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可控硅的工作原理

CHANBAEK ? 來源:freecircuitdiagram ? 作者:freecircuitdiagram ? 2023-12-14 18:22 ? 次閱讀
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下圖向我們展示了 SCR 的簡(jiǎn)單框圖(左上)及其原理圖(右上)。下圖向我們展示了 PNPN 器件的操作,最好將其可視化為一對(duì)特殊耦合晶體管。

當(dāng)適當(dāng)?shù)臇艠O信號(hào)施加到NPN晶體管的基極時(shí),兩個(gè)晶體管之間的連接觸發(fā)再生動(dòng)作的發(fā)生。

特別耦合的兩個(gè)晶體管反饋放大器的組合 hFE 小于 1,因?yàn)檎B╇娏鞣浅5?,從而使電路處于截止?fàn)顟B(tài)。

NPN 晶體管被偏置導(dǎo)通,而施加到柵極的瞬時(shí)正脈沖又使 PNP 晶體管偏置導(dǎo)通。由于有效 hFE 瞬間變得大于 1,所以特殊耦合的晶體管會(huì)飽和。

當(dāng)晶體管飽和一次時(shí),流經(jīng)晶體管的電流足以使組合 hFE 大于 1。直到通過降低陽(yáng)極至陰極電流 (It) 使組合 hFE 小于 1 且再生停止而將其關(guān)閉之前,電路仍保持開啟狀態(tài)。該閾值陽(yáng)極電流就是 SCR 的保持電流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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