NVSRAM的工作原理基于將SRAM部分的數(shù)據(jù)在斷電前復(fù)制到NVM單元中，并在重新上電時(shí)將數(shù)據(jù)從NVM恢復(fù)到SRAM。

當(dāng)寫入數(shù)據(jù)時(shí)，數(shù)據(jù)首先存儲在SRAM中。同時(shí)，數(shù)據(jù)也被復(fù)制到NVM單元中，以實(shí)現(xiàn)非易失性的保存。這通常涉及到將數(shù)據(jù)寫入閃存或EEPROM等NVM技術(shù)。

在正常的讀取操作中，數(shù)據(jù)直接從SRAM中讀取。SRAM提供了快速的讀取速度和低延遲。

當(dāng)斷電發(fā)生時(shí)，SRAM中的數(shù)據(jù)會失去電源供應(yīng)，而NVM單元中的數(shù)據(jù)仍然保持，這使得在斷電期間，NVSRAM能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性，而不需要外部電源的持續(xù)供電，在重新上電后，NVM單元中的數(shù)據(jù)被傳輸回SRAM中，以恢復(fù)最新的數(shù)據(jù)狀態(tài)，這樣NVSRAM可以在重新上電后立即提供準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)訪問。

NVSRAM的架構(gòu)由三個(gè)主要組件組成：SRAM、NVM和控制電路：

SRAM提供了快速的讀寫訪問，用于臨時(shí)存儲數(shù)據(jù)。它由一組存儲單元組成，每個(gè)單元通常由多個(gè)存儲器單元構(gòu)成，SRAM的高速性能使得數(shù)據(jù)能夠以較低的延遲進(jìn)行讀取和寫入操作。

NVM單元用于存儲數(shù)據(jù)的非易失性保存，常用的NVM技術(shù)包括閃存和EEPROM。閃存具有較高的存儲密度和較低的功耗，適用于大容量的非易失性存儲，EEPROM則提供了更高的可編程性和數(shù)據(jù)擦除能力，適用于頻繁數(shù)據(jù)更新和更靈活的編程操作。

控制電路負(fù)責(zé)管理數(shù)據(jù)的傳輸和控制。它包括時(shí)序生成器、地址和數(shù)據(jù)線路的控制、寫入和讀取操作的管理等?？刂齐娐反_保數(shù)據(jù)的正確傳輸和保持，并實(shí)現(xiàn)SRAM和NVM之間的數(shù)據(jù)復(fù)制和恢復(fù)。

通過工作原理和架構(gòu)的分析，NVSRAM的非易失性存儲能力是通過將SRAM部分的數(shù)據(jù)復(fù)制到NVM單元中實(shí)現(xiàn)的。

NVSRAM在斷電時(shí)能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)，不需要外部電源的持續(xù)供電。這使得NVSRAM在需要快速數(shù)據(jù)訪問和斷電保持的應(yīng)用場景中具備重要的優(yōu)勢。

通過合理的架構(gòu)設(shè)計(jì)和NVM技術(shù)選擇，NVSRAM實(shí)現(xiàn)了高速、可靠的數(shù)據(jù)存儲和恢復(fù)能力。