CMP（Chemical Mechanical Polishing）即“化學(xué)機(jī)械拋光”，是為了克服化學(xué)拋光和機(jī)械拋光的缺點(diǎn)，而在其基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，是磨粒機(jī)械磨削和拋光液化學(xué)腐蝕作用組合的拋光技術(shù)。半導(dǎo)體器件通常要求達(dá)到納米級(jí)的平整度，目前最好的工藝是用化學(xué)（液體）和機(jī)械（墊子）結(jié)合起來(lái)的方式?；瘜W(xué)機(jī)械拋光最大的優(yōu)點(diǎn)就是能使加工表面實(shí)現(xiàn)納米級(jí)全局平坦化，滿足集成電路特征尺寸在0.35μm以下的超精密無(wú)損傷表面加工。

我們?cè)谏a(chǎn)，購(gòu)買，使用拋光墊時(shí)，通常需要關(guān)注的指標(biāo)有7種，分別是：密度，硬度，厚度，溝槽圖案，溝槽寬度，溝槽深度，外徑。

拋光墊的密度

拋光墊的密度是質(zhì)量與體積的比值。換句話說(shuō)，相同體積的cmp拋光墊，密度越大，則拋光墊越重。拋光墊的密度直接由其材質(zhì)，制造工藝，孔隙率，添加劑等決定。密度較高的拋光墊通常具有較低的黏彈性，也就是說(shuō)在施加壓力時(shí)，拋光墊更加不容易變形。

拋光墊的硬度

硬度一般用邵氏硬度來(lái)表示，而邵氏硬度又分為A、D、C等類型，每種類型用于測(cè)量不同硬度范圍的材料。通常，拋光墊的硬度用邵氏A型硬度（Shore A）來(lái)表征。不同的材料具有不同的硬度，比如聚氨酯和無(wú)紡布等材料具有不同的硬度等級(jí)。硬度較高的拋光墊通常具有更高的研磨效率和較低的磨損速率，而對(duì)于需要高度平坦的應(yīng)用場(chǎng)景，使用硬度稍軟的拋光墊則更合適。

拋光墊的厚度

拋光墊的厚度指的是墊子從頂部到底部的垂直距離。適當(dāng)?shù)暮穸瓤梢源_保在整個(gè)晶圓表面施加均勻的壓力，從而獲得均勻的研磨效果。而較厚的拋光墊在使用中更換的頻率會(huì)更小，具有更久的使用壽命。不同的CMP設(shè)備對(duì)拋光墊的厚度有特定的要求。因此，拋光墊的厚度需要與所使用的設(shè)備相適應(yīng)。

拋光墊的溝槽圖案

拋光墊表面并不是一個(gè)光滑的平面，而是有很多溝槽，這些溝槽不僅在整個(gè)拋光墊表面均勻分布研磨液，還能夠?qū)MP過(guò)程中產(chǎn)生的廢物及時(shí)排除。 拋光墊的溝槽圖案多種多樣。有直線型，網(wǎng)格型，螺旋形等圖形樣式。為什么要有如此多的溝槽圖案類型呢？因?yàn)椴煌谋谎心ゲ牧希コ?，表面平整度，均勻性等都需要不同類型的溝槽圖案。

拋光墊溝槽的寬度

拋光墊上的溝槽寬度直接影響到研磨效率、均勻性以及廢物的排除。更寬的溝槽有更大的空間來(lái)分布研磨液，從而有助于在拋光墊的表面和被研磨的晶圓之間建立一個(gè)均勻的研磨緩沖層，影響了壓力在拋光墊表面的分布。溝槽寬度的選擇根據(jù)特定的CMP應(yīng)用場(chǎng)景、所處理的材料類型、所需的拋光質(zhì)量等因素來(lái)確定。

拋光墊溝槽的深度

拋光墊的溝槽深度與寬度具有差不多的作用。較深的溝槽可以存儲(chǔ)更多的研磨液，而且隨著使用時(shí)間的增加，拋光墊表面會(huì)逐漸磨損，深溝槽能實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的使用壽命。

拋光墊的外徑

拋光墊的外徑必須與CMP設(shè)備上的拋光盤尺寸相匹配，否則拋光墊安裝不上，就像鞋不合腳。隨著晶圓尺寸的變化，拋光墊的外徑也需要相應(yīng)調(diào)整，以適應(yīng)不同大小的晶圓。 這些參數(shù)共同決定了CMP拋光墊的性能，在使用前與使用時(shí)需要綜合考量。

審核編輯：劉清