臺(tái)積電和三星在晶圓代工領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)激烈，先前市場(chǎng)消息傳出，高通Snapdragon 8 Gen 4移動(dòng)處理器可能采用雙代工廠策略，即臺(tái)積電、三星同時(shí)生產(chǎn)，但據(jù)最新業(yè)界消息，三星明年3納米產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃保守，加上良率不穩(wěn)定，高通正式取消明年處理器采三星的計(jì)劃，延至2025年才采雙代工模式。

三星去年6 月底量產(chǎn)第一代3 納米GAA (SF3E) 制程，為三星首次采用全新GAA 架構(gòu)晶體管技術(shù)，而第二代3 納米制程3GAP(SF3) 將使用第二代MBCFET 架構(gòu)，從第一代3 納米SF3E基礎(chǔ)上再最佳化，預(yù)期2024 年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

高通雙代工策略最早是知名爆料人Revegnus通過X 平臺(tái)爆料，稱Snapdragon 8 Gen 4處理器將采臺(tái)積電3 納米（N3E）制程，供應(yīng)三星Galaxy系列智能手機(jī)的Snapdragon 8 Gen 4采三星3GAP制程；另有消息稱，受限臺(tái)積電3 納米產(chǎn)能，高通不得不找三星代工晶片。

也因此，高通原本預(yù)期2024年同時(shí)交給臺(tái)積電和三星代工，有望成為3GAP 首間客戶，然而考慮到三星明年3 納米產(chǎn)能計(jì)劃保守，加上良率不穩(wěn)定，高通決定取消計(jì)劃并由臺(tái)積電供應(yīng)，延到2025 年再進(jìn)行雙投片策略。

目前臺(tái)積電3 納米制程技術(shù)產(chǎn)能已開始拉升，預(yù)計(jì)2024 年末每月產(chǎn)能將達(dá)十萬片規(guī)模，營(yíng)收占比也從現(xiàn)在5% 上升至10%。