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用實(shí)驗(yàn)來(lái)證明,不同條件下的熱阻數(shù)值千差萬(wàn)別

jf_pJlTbmA9 ? 來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 作者:羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 2023-12-15 09:20 ? 次閱讀
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本文將會(huì)給出實(shí)際的熱阻數(shù)據(jù)示例。

實(shí)際的熱阻數(shù)據(jù)示例

通常在IC的技術(shù)規(guī)格書(shū)中都會(huì)提供IC熱阻相關(guān)的信息。但是,所提供的熱阻類(lèi)型和設(shè)置可能會(huì)因IC的種類(lèi)(例如用于信號(hào)處理的低功耗運(yùn)算放大器、用于供電的熱設(shè)計(jì)很重要的穩(wěn)壓器等)不同而略有不同。另外,也會(huì)因IC制造商而異。

下面是500mA輸出LDO線性穩(wěn)壓器的技術(shù)規(guī)格書(shū)中提供的熱阻信息示例。

wKgZomVdml6AWr8AAAQCP-gjufM819.png

這款I(lǐng)C有兩種封裝,因此提供了每種封裝(TO263-5、TO252-J5)的熱阻。順便提一下,這兩種封裝都是帶散熱片的電源系統(tǒng)5引腳表貼型封裝。

下面來(lái)看一下具體內(nèi)容。如Note 1所示,該熱阻數(shù)據(jù)符合前文所述的 JESD51-2A(Still-Air)標(biāo)準(zhǔn)(紅框部分)。

提供的熱阻為以下兩種:

Junction to Ambient:θJA(℃/W)
Junction to Top Characterization Parameter:ΨJT(℃/W)

此外,還給出了每種熱阻在兩種電路板條件下的值,一種是安裝于1層電路板上,另一種是安裝于4層電路板上。1層電路板如Note 3所示是符合JESD51-3的電路板,4層電路板是符合JESD51-5和7的電路板(Note 4)。表中列出了每種電路板的條件。

熱阻與實(shí)裝電路板之間的關(guān)系

在上例中,作為熱阻條件,明確列出了JESD51中規(guī)定的實(shí)裝電路板的條件。這意味著熱阻不僅僅由IC封裝決定,很大程度上還受到其實(shí)裝電路板條件的影響。近年來(lái),表貼型封裝的應(yīng)用非常廣泛,在考慮IC的熱阻時(shí),必須要考慮到實(shí)裝電路板的散熱(降低熱阻)情況。僅根據(jù)封裝的熱阻進(jìn)行熱計(jì)算是不現(xiàn)實(shí)的。

該圖顯示了每種熱阻(θJA、ΨJT)與散熱用的銅箔面積之間的關(guān)系。這是用于測(cè)試的封裝為背面帶散熱片的8引腳SOP型封裝、銅箔面積為15.7mm2到1200mm2條件下的數(shù)據(jù)。其他因素還包括電路板層數(shù)、材料和銅箔厚度等,不過(guò)在這個(gè)關(guān)系示意圖中,請(qǐng)將這些因素視為條件相同,在此前提下來(lái)看銅箔面積與熱阻之間的關(guān)系。

wKgaomVdml-ADL5WAACaKiBdgmk890.png

在本例中,從IC的結(jié)點(diǎn)(芯片)經(jīng)由實(shí)裝電路板到環(huán)境(大氣)的熱阻θJA和銅箔面積的關(guān)系非常顯著。實(shí)際上,需要確保散熱所需(即適當(dāng)?shù)摩菾A)的銅箔面積,以免在使用條件下超過(guò)Tjmax。

反之,如果未明確說(shuō)明所提供的熱阻的條件,則必須要確認(rèn)其條件。上例中的數(shù)值表明,熱阻會(huì)因條件不同而有很大不同。

關(guān)鍵要點(diǎn)

· IC的技術(shù)規(guī)格書(shū)等資料中通常會(huì)提供熱阻數(shù)據(jù),但內(nèi)容可能會(huì)因IC的類(lèi)型和制造商而異。

· 熱阻因?qū)嵮b電路板的條件不同而有很大差異,因此必須確認(rèn)測(cè)試條件。

文章來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

審核編輯 黃宇

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