LDO使用中特別需要關(guān)注熱耗的影響
一、LDO簡(jiǎn)介
LDO,其實(shí)LDO是線性電源的一種,即Low drop out低壓降的線性電源,這個(gè)dropout是線性電源的一個(gè)重要特性,行業(yè)內(nèi)最低好像能實(shí)現(xiàn)50mV的壓降,即輸入3.35V,輸出可以做到輸出3.3V。
LDO主要特征如下,這些特征使得LDO具有很廣泛的應(yīng)用:
1)輸入電流≈輸出電流。
2)輸出干凈,紋波非常小,高頻噪聲比較低。
3)能夠抑制低頻段噪聲,抑制能力很強(qiáng)。
4)LDO自身消耗的功耗相對(duì)較大,其自身功耗≈(輸入電壓—輸出電壓)*輸入電流,PD≈(VIN-VOUT)*IOUT。
5)LDO一般可用于模擬電路的供電,推薦小于0.5W以下的供電需求使用。
二、LDO基本選型要素
1)輸入電壓范圍VIN;
2)輸出電壓范圍VOUT;
3)輸出電流大小IOUT;
4)輸入輸出壓差VDO;
5)靜態(tài)電流;
6)其他功能如輸出使能引腳、軟起動(dòng)引腳、偏置電壓引腳等。
除了以上的選型要素,LDO雖然電路非常簡(jiǎn)單,但是在使用過程中還有蠻多的注意事項(xiàng),下文提到的熱耗就是一個(gè)特別重要的LDO設(shè)計(jì)考慮要素。
三、LDO熱耗定義相關(guān)說明
1、與熱耗相關(guān)的一些溫度參數(shù)
上圖是一個(gè)LDO器件焊接在PCB上的一個(gè)示意圖,里面展現(xiàn)了與溫度相關(guān)的一些參數(shù)以及位置說明。
序號(hào) | 溫度參數(shù) | 具體定義 |
---|---|---|
1 | TC | 芯片外殼的溫度,測(cè)量點(diǎn)在芯片封裝的頂部中間(一般用于老的封裝) |
2 | TT | 芯片外殼的溫度(同TC),測(cè)量點(diǎn)在芯片封裝的頂部中間(一般用于現(xiàn)在的表面貼裝器件)。 |
3 | TB | 靠近芯片安裝位置附近的PCB板表面測(cè)量的溫度,測(cè)量點(diǎn)在芯片四周PCB板表面(1mm間隔) |
4 | TP | 芯片封裝底部散熱焊盤上的溫度(如果暴露在外可測(cè)量的話),測(cè)量點(diǎn)在芯片底部散熱焊盤上 |
5 | TA | 芯片所處的環(huán)境溫度,測(cè)量點(diǎn)處于產(chǎn)品內(nèi)部空氣中 |
6 | TJ | 芯片結(jié)溫,測(cè)量點(diǎn)處于芯片內(nèi)部 |
7 | TSTG | 芯片存儲(chǔ)溫度 |
8 | TSD | 芯片熱關(guān)斷溫度 |
2、與熱耗相關(guān)的一些熱阻參數(shù),熱阻代表單位功耗下,兩個(gè)不同位置之間的溫度差,表征芯片兩個(gè)位置之間熱傳導(dǎo)的能力。
序號(hào) | 熱阻參數(shù) | 具體定義 |
---|---|---|
1 | Rθ | Rθ(℃/W)=Temp(℃)/Power(W) |
2 | RθJA | 芯片內(nèi)部結(jié)到芯片環(huán)境的熱阻 |
3 | RθJC(TOP) | 芯片內(nèi)部結(jié)到芯片外殼頂部(中間)的熱阻 |
4 | ΨJT | 芯片內(nèi)部結(jié)到芯片頂部的特性參數(shù)(類熱阻) |
5 | ΨJB | 芯片內(nèi)部結(jié)到電路板(1mm處)的特性參數(shù)(類熱阻) |
6 | RθJC(bottom) | 芯片內(nèi)部結(jié)到芯片外殼底部(散熱焊盤)的熱阻 |
3、與熱耗相關(guān)的結(jié)溫的不同計(jì)算方法,結(jié)溫是LDO器件內(nèi)部溫度,是我們考慮熱耗最終衡量的目標(biāo)。
序號(hào) | 計(jì)算結(jié)溫的公式 | 說明 |
---|---|---|
1 | TJ = TT + ΨJT * PD | 基于芯片外殼頂部的溫度計(jì)算 |
2 | TJ = TB + ΨJB * PD | 基于芯片附近1mmPCB板表面溫度計(jì)算 |
3 | TJ = TA + RθJA * PD | 基于芯片的環(huán)境溫度計(jì)算 |
4 | TJ = TC + RθJC * PD | 基于芯片外殼頂部溫度計(jì)算(老封裝) |
四、常用LDO熱耗示意說明(選取項(xiàng)目中常用的兩個(gè)器件,也是本文的動(dòng)機(jī))
1、LTM4615
4615支持2路4A的DC/DC輸出和1路1.5A的LDO輸出,這里舉例應(yīng)用如下:
DC/DC通道1:輸入5V,輸出2.5V,輸出電流1.2A;
DC/DC通道2:輸入5V,輸出1.8V,輸出電流1A;
LDO通道:輸入3.3V,輸出1.5V,輸出電流0.4A;
1)計(jì)算LTM4615的熱耗
對(duì)于DC/DC通道來說,其熱耗主要跟DC/DC的轉(zhuǎn)換效率有關(guān),參照上表可知,DC/DC通道1的熱耗<0.6W@1.2A,DC/DC通道2的熱耗<0.5W@1A。
對(duì)于LDO通道,根據(jù)公式PD≈(VIN-VOUT)*IOUT,則熱耗PD≈(3.3-1.5)*0.4=0.72W。
則總的熱耗≈0.6+0.5+0.72=1.82W。
2)計(jì)算LTM4615的溫升
對(duì)于LTM4615來說,考慮最惡劣情況(無風(fēng)、無底部散熱器),RθJA=15(℃/W),則根據(jù)公式TJ = TA + RθJA * PD,其中TA為產(chǎn)品環(huán)境溫度,一般環(huán)境要求高溫為70℃(實(shí)際產(chǎn)品內(nèi)部環(huán)境溫度會(huì)更高,eg:80℃),TJ = 80 + 15 * 1.82 = 107.3℃,滿足<120℃的結(jié)溫要求(一般最高為125℃結(jié)溫)。
綜上:LTM4615使用時(shí),DC/DC-1:輸入5V,輸出2.5V,輸出電流1.2A;
DC/DC-2:輸入5V,輸出1.8V,輸出電流1A;LDO通道:輸入3.3V,輸出1.5V,輸出電流0.4A;滿足使用要求。
但是若LD0通道:選擇輸入3.3V,輸出1.5V,輸出電流1A時(shí),LDO的熱耗PD≈(3.3-1.5)*1=1.8W,總功耗則≈0.6+0.5+1.8=2.9W。TJ = 80 + 15 * 2.9 = 123.5℃,則不滿足<120℃的結(jié)溫要求,此時(shí)雖然該LDO的總輸出電流1A<LDO的額定輸出1.5A,但使用時(shí)仍存在隱患。因此在使用LDO時(shí)一定要關(guān)注LDO的熱耗,盡可能壓降小一點(diǎn)。
2、TPS74401
TPS74401支持1路3A的LDO輸出,這里舉例應(yīng)用如下:
LDO通道:輸入2.5V,輸出1.2V,輸出電流1A,選用封裝為RGW(QFN);
1)計(jì)算TPS74401的熱耗
對(duì)于LDO通道,根據(jù)公式PD≈(VIN-VOUT)*IOUT,則熱耗PD≈(2.5-1.2)*1=1.3W。
2)計(jì)算TPS74401的溫升
對(duì)于TPS74401來說,考慮PCB尺寸為2in2,RθJA=45(℃/W),則根據(jù)公式TJ = TA + RθJA * PD,其中TA為產(chǎn)品環(huán)境溫度,一般環(huán)境要求高溫為70℃(實(shí)際產(chǎn)品內(nèi)部環(huán)境溫度會(huì)更高,eg:80℃),TJ = 80 + 45 * 1.3= 138.5℃,不滿足該器件結(jié)溫要求,存在高溫隱患。
3)驗(yàn)證TPS74401的溫升
在板子實(shí)際做出來后,可以通過測(cè)量TT或者TB,來進(jìn)一步驗(yàn)證TPS74401的結(jié)溫,用紅外測(cè)溫儀分別測(cè)量74401的封裝頂部中間位置的溫度TT以及距離74401周邊1mm的PCB板的溫度TB,分別進(jìn)行計(jì)算結(jié)溫。
TJ = TT + ΨJT * PD = ?+ 0.5* 1.3
TJ = TB + ΨJB * PD = ?+ 10.5* 1.3
通常來說兩種不同的方法測(cè)量計(jì)算出來的結(jié)果會(huì)比較匹配,如果不匹配,則可能具體哪個(gè)參數(shù)出現(xiàn)了變化。且一般ΨJT、ΨJB會(huì)比RθJA計(jì)算結(jié)果更為準(zhǔn)確。
五、降低熱阻的常見做法
通過上面的分析我們知道,對(duì)于LDO來說,其熱耗是其非常重要,需要重點(diǎn)關(guān)注的一個(gè)指標(biāo),熱耗*熱阻等于結(jié)溫溫升,結(jié)溫溫升限制了LDO的使用溫度范圍。因此除了常見的通過降低LDO的輸入輸出壓降、輸出電流控制熱耗外,還可以通過降低熱阻來進(jìn)行優(yōu)化,其具體做法包括:
1)通過PCB布局優(yōu)化,LDO遠(yuǎn)離發(fā)熱器件;
2)通過PCB布線優(yōu)化,LDO的輸入輸出端的銅皮盡可能大一點(diǎn),底部散熱焊盤的散熱過孔等;
3)通過散熱冷板優(yōu)化,通過散熱冷板進(jìn)行傳熱以降低RθJA;
4)根據(jù)不同熱耗需求選擇不同封裝的LDO。
5)還可以在LDO輸入端串接電阻分散熱耗,但需要注意電阻選型。
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