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背照式雙雪崩區(qū)單光子雪崩二極管(SPAD)介紹

MEMS ? 來源:MEMS ? 2023-11-21 09:17 ? 次閱讀
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單光子雪崩二極管(SPAD)的關(guān)鍵特征是能夠探測單個光子并提供數(shù)字信號輸出。雪崩倍增過程產(chǎn)生了可探測的電信號,該電信號可以在無需額外電路的情況下被放大到高電壓,從而使SPAD能夠探測單個光子。具體而言,采用CMOS技術(shù)制備的SPAD可以探測近紅外(NIR)信號,這是如激光雷達(LiDAR)、飛行時間(ToF)成像和NIR光學斷層掃描等諸多應用的關(guān)鍵要求。這些應用需要特定的性能特征,例如高光子探測概率(PDP)。

據(jù)麥姆斯咨詢報道,近日,韓國科學技術(shù)研究院(KIST)的科研團隊在IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics期刊上發(fā)表了以“Back-Illuminated Double-Avalanche-Region Single-Photon Avalanche Diode”為主題的論文。該論文的第一作者為Eunsung Park,通訊作者為Myung-Jae Lee和Woo-Young Choi。

為了提高探測器的PDP性能,這項工作提出了一種雙雪崩區(qū)(DAR)SPAD,該SPAD通過摻雜優(yōu)化擴展了雪崩倍增區(qū)。雙雪崩區(qū)SPAD采用40 nm CMOS圖像傳感器(CIS)技術(shù)制備,這是迄今為止所報道的最先進的CMOS SPAD技術(shù)。隨后,研究人員對雙雪崩區(qū)SPAD的全部性能進行了清晰的表征和分析,并對傳統(tǒng)的SPAD與雙雪崩區(qū)SPAD的電學和光學特性進行了比較,證明了優(yōu)化的有效性。

為了在背照式(BSI)工藝中提高SPAD的PDP,可以引入微透鏡(microlens)和背面溝槽引導(backside trench guide)等技術(shù)。然而,實現(xiàn)額外結(jié)構(gòu)需要專門的設備和工藝,這樣不僅更難控制,而且制造成本也更高。如圖1所示,最具成本效益且最簡單的方法是在不增添任何額外結(jié)構(gòu)下優(yōu)化摻雜濃度,以擴展直接影響PDP的雪崩倍增區(qū)和載流子收集區(qū)。

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圖1 (a)未經(jīng)保護環(huán)(GR)摻雜優(yōu)化的傳統(tǒng)SPAD(b)經(jīng)過GR摻雜優(yōu)化的雙雪崩區(qū)SPAD

如圖2所示,為了驗證并演示上述技術(shù),研究人員采用基于圓形40 nm背照式CMOS圖像傳感器技術(shù)制備了雙雪崩區(qū)SPAD。SPAD由重摻雜的P型區(qū)“P+”與倒摻雜的n型區(qū)“深n阱(DNW)”組成,它們連接在一起形成p-n結(jié)。為了防止邊緣擊穿并提高PDP,將摻雜優(yōu)化的p阱(PW)GR置于SPAD的p-n結(jié)周圍。傳統(tǒng)SPAD與雙雪崩區(qū)SPAD之間的唯一區(qū)別就是其PW GR的摻雜分布。

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圖2 雙雪崩區(qū)SPAD的橫截面圖

接著,研究人員利用TCAD仿真軟件核查了SPAD在2.5 V偏置電壓(VE)下的電場分布,結(jié)果如圖3所示,顯示了兩種SPAD的雪崩倍增區(qū)的電場分布。

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圖3 VE = 2.5 V時兩種SPAD的電場分布圖:(a)采用傳統(tǒng)PW GR的SPAD;(b)采用摻雜優(yōu)化PW GR的SPAD

隨后,研究人員通過電學和光學實驗對兩種SPAD的特性進行了清晰的評估,從而證明了GR優(yōu)化的有效性,兩種SPAD的I-V特性和有效活性面積相關(guān)測試結(jié)果如圖4和圖5所示。研究人員還對兩種SPAD的有效活性區(qū)域、PDP、暗計數(shù)率(DCR)、時間抖動(Timing jitter)等指標做了詳細的對比和分析。

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圖4 兩種SPAD的I-V特性結(jié)果

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圖5 兩種SPAD在不同偏置電壓下的光發(fā)射測試(LET)結(jié)果

綜上所述,這項研究提出了一種基于40 nm背照式CMOS圖像傳感器技術(shù)制備SPAD的優(yōu)化方案。SPAD采用重摻雜P型(P+)和倒摻雜DNW結(jié)設計和制備。用于擴展雪崩倍增區(qū)的摻雜優(yōu)化GR在最大限度地提高PDP的同時,保留了其原有功能,即在結(jié)的邊緣防止過早邊緣擊穿(PEB)。通過將電學和光學實驗結(jié)果與傳統(tǒng)SPAD進行比較,研究人員證明了GR優(yōu)化的有效性。所提出的雙雪崩區(qū)SPAD在700 nm處達到了約89%的峰值PDP,在940 nm處達到了約45%的峰值PDP,這是迄今為止報道的SPAD中在2.5 V偏置電壓下的最高值。在相同的工作條件下,其DCR為27 cps/μm2,時間抖動的半峰全寬(FWHM)為89 ps。






審核編輯:劉清

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原文標題:背照式雙雪崩區(qū)單光子雪崩二極管(SPAD)

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