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西安紫光國(guó)芯亮相ICCAD 2023發(fā)布CXL內(nèi)存擴(kuò)展主控技術(shù)方案

西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體 ? 來源:西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體 ? 2023-11-13 17:49 ? 次閱讀
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2023年11月10日-11日,以“灣區(qū)有你,芯向未來”為主題的中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2023年會(huì)暨廣州集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇ICCAD 2023)在廣州舉辦。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè),西安紫光國(guó)芯重磅發(fā)布了行業(yè)領(lǐng)先的CXL內(nèi)存擴(kuò)展主控技術(shù)方案。同時(shí),包括DRAM存儲(chǔ)系列產(chǎn)品、SeDRAM技術(shù)和先進(jìn)設(shè)計(jì)服務(wù)在內(nèi)的多款創(chuàng)新產(chǎn)品和前沿技術(shù)也悉數(shù)亮相大會(huì)展區(qū),吸引了來自世界各地嘉賓和產(chǎn)業(yè)鏈伙伴的關(guān)注。

行業(yè)領(lǐng)先的CXL內(nèi)存擴(kuò)展主控技術(shù)方案

賦能高性能計(jì)算平臺(tái)

在本屆ICCAD年會(huì)上,西安紫光國(guó)芯副總裁左豐國(guó)發(fā)表了“從系統(tǒng)級(jí)、芯片級(jí)尋求突破存儲(chǔ)墻”的主題演講。他從計(jì)算系統(tǒng)硬件基礎(chǔ)架構(gòu)的視角,分析了制約計(jì)算系統(tǒng)性能發(fā)揮的關(guān)鍵瓶頸,即“數(shù)據(jù)計(jì)算”與“數(shù)據(jù)存儲(chǔ)”之間的“存儲(chǔ)墻”問題。介紹了西安紫光國(guó)芯“在芯片級(jí)用嵌入式DRAM(SeDRAM)技術(shù)實(shí)現(xiàn)大帶寬、大容量嵌入式存儲(chǔ)”和“在系統(tǒng)級(jí)用CXL技術(shù)實(shí)現(xiàn)內(nèi)存容量、帶寬擴(kuò)展”的方案,助力計(jì)算系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)性能上的不斷提升。

作為CXL技術(shù)聯(lián)盟“Contributor”級(jí)別成員和國(guó)內(nèi)CXL技術(shù)的先行者,西安紫光國(guó)芯多年來持續(xù)關(guān)注CXL技術(shù)并積極地參與相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的討論及完善工作。

本次展會(huì)上,公司首次展出了UniICCXL內(nèi)存擴(kuò)展主控技術(shù)方案和產(chǎn)品。該方案具有很好的兼容性及可拓展性,包括適配多型號(hào)主流處理器平臺(tái)、適配多種存儲(chǔ)介質(zhì)、支持不同設(shè)備容量及硬件外觀形態(tài)。

值得一提的是,通過跟行業(yè)上下游頭部廠商長(zhǎng)期在技術(shù)及產(chǎn)品層面的緊密合作,西安紫光國(guó)芯的方案在訪存的延遲、帶寬及RAS等各方面均有優(yōu)異的表現(xiàn)。

左豐國(guó)表示:“在CXL技術(shù)進(jìn)入商業(yè)化應(yīng)用的大背景下,我們推出的CXL內(nèi)存擴(kuò)展主控技術(shù)方案以開放、兼容的設(shè)計(jì)思路,可靈活支持針對(duì)不同類型應(yīng)用的定制化需求,為計(jì)算系統(tǒng)提供內(nèi)存容量/帶寬擴(kuò)展解決方案。同時(shí),公司還將持續(xù)推進(jìn)與行業(yè)上下游廠商在CXL技術(shù)產(chǎn)品化應(yīng)用方面的深度合作,為CXL技術(shù)、生態(tài)的不斷發(fā)展演進(jìn)做出積極貢獻(xiàn)?!?/p>

領(lǐng)先的嵌入式DRAM技術(shù)(SeDRAM)

為大算力芯片提供支撐

西安紫光國(guó)芯嵌入式DRAM技術(shù)(SeDRAM)可以為大算力芯片提供超大帶寬、超低功耗、超大容量嵌入式存儲(chǔ)解決方案,存儲(chǔ)容量達(dá)GB級(jí)別,訪存帶寬達(dá)10TB~100TB級(jí)別。SeDRAM技術(shù)采用3D異質(zhì)集成技術(shù),在訪存延遲和能效方面也大幅優(yōu)于2.5D結(jié)構(gòu)。

過去五年,西安紫光國(guó)芯的SeDRAM技術(shù)已演進(jìn)到現(xiàn)今的第三代,其技術(shù)水平及應(yīng)用落地案例數(shù)量均處于行業(yè)領(lǐng)先水平,數(shù)十款搭載西安紫光國(guó)芯嵌入式DRAM技術(shù)的芯片產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)和銷售,場(chǎng)景覆蓋高性能計(jì)算、人工智能、大數(shù)據(jù)分析等多個(gè)領(lǐng)域。

專業(yè)DRAM KGD解決方案

持續(xù)為客戶創(chuàng)造價(jià)值

此次展會(huì),西安紫光國(guó)芯還展出了DRAM KGD全系列產(chǎn)品。其中,全新發(fā)布的512Mb DDR2和1Gb DDR3 KGD產(chǎn)品,在進(jìn)一步優(yōu)化芯片尺寸的同時(shí)還提升了主要性能指標(biāo),可廣泛應(yīng)用于IPC、STB和汽車電子等市場(chǎng),并已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

西安紫光國(guó)芯的DRAMKGD系產(chǎn)品已覆蓋通信、穿戴、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)及安防等諸多高端領(lǐng)域,并以其高品質(zhì)產(chǎn)品、長(zhǎng)期的技術(shù)支持和供貨保證等突出優(yōu)勢(shì),持續(xù)為客戶創(chuàng)造價(jià)值。

DRAM存儲(chǔ)系列產(chǎn)品

深度布局商業(yè)市場(chǎng) 西安紫光國(guó)芯重點(diǎn)展示了LPDDR4x、LPDDR4、DDR3、DDR2及SDR等多款具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高可靠車規(guī)級(jí)芯片產(chǎn)品、新一代DDR5 R/U/SO-DIMM、NVDIMM等模組及系統(tǒng)產(chǎn)品。

其中,作為業(yè)界首款具備On-Chip ECC功能的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品LPDDR4 DRAM,其在高溫環(huán)境下的性能和可靠性均得到了顯著增強(qiáng)。另外,結(jié)合芯片封裝設(shè)計(jì)的可靠性仿真優(yōu)化,西安紫光國(guó)芯LPDDR4 DRAM尤其適用于車規(guī)等高可靠應(yīng)用場(chǎng)景。系列產(chǎn)品已在智能駕駛、智能座艙等領(lǐng)域批量出貨,應(yīng)用車型達(dá)10款以上。

西安紫光國(guó)芯緊跟市場(chǎng)需求變化,專注技術(shù)創(chuàng)新與突破。為滿足企業(yè)級(jí)應(yīng)用在性能和質(zhì)量方面的更高要求,公司此次展出的新一代DDR5 RDIMM產(chǎn)品在各項(xiàng)性能方向進(jìn)行了全面優(yōu)化,速度可達(dá)5600Mbps,可為國(guó)產(chǎn)CPU平臺(tái)以及英特爾第5代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器Emerald Rapids等平臺(tái)提供內(nèi)存解決方案。

“一站式”芯片設(shè)計(jì)開發(fā)

多元服務(wù)全場(chǎng)景 通過多年行業(yè)深耕與技術(shù)積累,西安紫光國(guó)芯建立從芯片規(guī)格定義到量產(chǎn)測(cè)試的完整芯片設(shè)計(jì)開發(fā)體系,打造了先進(jìn)工藝全流程的芯片設(shè)計(jì)開發(fā)平臺(tái)。平臺(tái)應(yīng)用覆蓋基帶通訊、AR/VR、存儲(chǔ)控制、網(wǎng)絡(luò)處理、可編程陣列、電源管理和大帶寬解決方案等領(lǐng)域。 目前,西安紫光國(guó)芯已為60余家海內(nèi)外客戶提供全流程設(shè)計(jì)服務(wù),交付220余項(xiàng)服務(wù)成

未來,西安紫光國(guó)芯將持續(xù)推出具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品和服務(wù),在新紫光集團(tuán)“志高行遠(yuǎn) 創(chuàng)造價(jià)值”的價(jià)值觀引領(lǐng)下,“芯向未來持續(xù)創(chuàng)新”,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)造更多價(jià)值,為全球科技進(jìn)步發(fā)展做出更大貢獻(xiàn)。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:重磅!西安紫光國(guó)芯亮相ICCAD 2023 發(fā)布CXL內(nèi)存擴(kuò)展主控技術(shù)方案

文章出處:【微信號(hào):gh_fb990360bfee,微信公眾號(hào):西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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