據(jù)媒體報道，美國加州北區(qū)法院最近發(fā)布的信息顯示，長江存儲公司11月9日已與美光科技有限公司出資的子公司完全micron建議消費品集團有限責任公司提訴8侵害?！?/p>

長江存儲在專利侵害訴訟場主張說：“此次訴訟是為了中斷美光公司廣泛而無許可地使用長江低利的專利革新?！遍L江存儲訴訟稱，美光使用長江存儲的專利技術，從與長江存儲的競爭中防御，確保和保護市場占有率。此次訴訟是為了解決美光將長江存儲從三維nand閃存市場中淘汰，試圖阻止競爭和革新的問題之一。

據(jù)悉，長江存儲指控美光侵犯了美國專利號為“10，950，623”“11，501，822”“10，658，378”“10，937，806”“10，861，872”“11，468，957”“11，600，342”和“10，868，031”的專利。美光被控侵權的產(chǎn)品包括96層、128層、176層和232層3D NAND產(chǎn)品。

長江存儲在訴狀中主張：“長江存儲不再是新進（upstart），將成為全球3d nand市場的重要參與者。”據(jù)長江存儲公司稱，去年11月分析、追蹤閃存市場的techchincyts公司得出結論稱，長江存儲公司作為3d nand閃存領域的領先者，超過了美光公司。

據(jù)資料顯示，長江存儲于2016年7月總部設在武漢，是一家集3d nand閃存設計制造一體化的idm集成電路企業(yè)，同時提供完善的內(nèi)存解決方案。長江存儲將于2018年批量生產(chǎn)32段3d nand閃存第一代，2019年批量生產(chǎn)64段256gb tlc 3d nand閃存，到2020年將超過96段，開發(fā)2種128段flash產(chǎn)品。長江存儲此前還在推進擴大生產(chǎn)，但從去年開始就沒能確保美國、日本、荷蘭的尖端設備，因此在美國的壓力下，在擴大生產(chǎn)方面受到制約。長江存儲器公司此次以美國巨大的存儲器半導體企業(yè)美光公司為對象，通過專利訴訟表示要維護自己的權利。

2022年10月，美國商務部產(chǎn)業(yè)安全局發(fā)布了出口控制新規(guī)定，限制對中國的半導體制造設備等出口，并對已經(jīng)批量生產(chǎn)長江存儲nand閃存芯片的最新工程進行了分層。同年12月美國又將長江存儲納入出口管制“實體清單”。

NAND Flash和DRAM是目前最主要的兩種存儲介質(zhì)，NAND Flash可制造SSD（固態(tài)硬盤）等存儲器，用于手機、服務器、PC等產(chǎn)品。集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，今年第二季度，全球NAND Flash品牌廠商中，三星、鎧俠、SK Group、西部數(shù)據(jù)、美光的市占率分別為31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他廠商占比僅3.8%。