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兆易創(chuàng)新:前沿存儲技術(shù)與開創(chuàng)性Flash解決方案引領(lǐng)行業(yè)變革

jf_C6sANWk1 ? 來源:阿寶1990 ? 2023-11-12 11:29 ? 次閱讀
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作為中國存儲芯片及MCU的領(lǐng)軍企業(yè),兆易創(chuàng)新自2005年成立以來,不僅在NOR Flash領(lǐng)域全球排名第三、國內(nèi)第一,更是累計出貨超過212億顆,成為華為、蘋果、三星等大廠的主要供應(yīng)商。

該公司在此領(lǐng)域已連續(xù)十年的市場份額始終保持在前三,并且份額超過20%。公司以其豐富的產(chǎn)品線,如NOR FLASH、MCU、NAND FLASH等,成功打入各大消費、工業(yè)和汽車市場,憑借其平臺化布局與創(chuàng)新技術(shù),引領(lǐng)著行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和市場趨勢。在當(dāng)前存儲器和微控制器市場空間超過230億美金的背景下,兆易創(chuàng)新正展現(xiàn)其在智能時代的核心競爭力。

兆易創(chuàng)新的成功不僅在于其大規(guī)模的生產(chǎn),更在于其對創(chuàng)新和適應(yīng)的承諾。從最初為消費電子服務(wù),到現(xiàn)在的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、智能手機(jī)OLED屏幕、5G基站和汽車電子等領(lǐng)域,兆易創(chuàng)新都提供了解決方案。在第11屆EEVIA中國硬科技媒體論壇上,兆易創(chuàng)新Flash事業(yè)部產(chǎn)品市場經(jīng)理張靜詳細(xì)介紹了兆易創(chuàng)新的突破性存儲技術(shù)。

自其成立以來,兆易創(chuàng)新一直致力于技術(shù)創(chuàng)新,并為市場帶來了一系列高性能、低功耗和多樣化的存儲解決方案。

起初,兆易創(chuàng)新的重點主要集中在NOR Flash上,但隨著技術(shù)的演進(jìn)和市場的變化,其產(chǎn)品線逐漸從NOR擴(kuò)展到了NAND Flash,提供了從小容量到8GB的豐富選擇,以滿足各種應(yīng)用場景的需求。

兆易創(chuàng)新的產(chǎn)品目前已覆蓋了27個產(chǎn)品系列,16種容量類型,4個電壓范圍,7個溫度規(guī)格和29種封裝方法。這種廣泛的產(chǎn)品線確保了客戶能夠為其應(yīng)用找到最佳的存儲解決方案,無論是關(guān)于性能、功耗還是封裝。

在新興領(lǐng)域如物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴和汽車電子對Flash存儲需求不斷增長的今天,兆易創(chuàng)新推出了T/LT/X/LX系列,這些系列都具備了超高的性能。例如,其四口SPI Flash產(chǎn)品達(dá)到了驚人的200MB每秒,而八口版本更是達(dá)到了400MB每秒,這使它們在行業(yè)中都占有一席之地。

但兆易創(chuàng)新并不僅僅關(guān)注性能,他們非常明確地意識到了在當(dāng)前全球能源有限的大背景下,綠色和低功耗設(shè)計的重要性。他們推出了多種電壓級別的Flash產(chǎn)品,范圍從3伏到1.2伏,確保了從工業(yè)控制到電子煙等各種應(yīng)用的能源效率需求都能得到滿足。

在封裝技術(shù)方面,為了迎合日益迫切的小型化和高容量需求,兆易創(chuàng)新在業(yè)界率先推出了1.2x1.2的USON6封裝和尺寸與裸die相當(dāng)?shù)腤LCSP封裝。這些封裝技術(shù)不僅滿足了對更小尺寸的需求,還為客戶提供了更大容量的選擇,滿足了日益增長的數(shù)據(jù)存儲需求。

隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步,與先進(jìn)的SoC制程的兼容性也變得尤為重要。兆易創(chuàng)新針對這個需求,推出了與1.2V SoC完美匹配的1.2V NOR Flash,極大地簡化了設(shè)計工作,同時也進(jìn)一步提高了整體系統(tǒng)的效率。

對于NOR Flash的數(shù)據(jù)保持時間和擦寫周期,張靜表示,他們的產(chǎn)品已經(jīng)可以實現(xiàn)20年的數(shù)據(jù)保持和10萬次的擦寫周期。這意味著,即使在高頻繁的使用環(huán)境中,他們的產(chǎn)品也能夠保持穩(wěn)定的性能。張靜進(jìn)一步指出,盡管NAND Flash和NOR Flash在某些容量點上存在重疊,但對于某些高可靠性的應(yīng)用場景,客戶仍傾向于選擇NOR Flash。

關(guān)于封裝技術(shù)的未來,張靜透露,兆易創(chuàng)新正在探索微型化的可能性,并考慮如何在不犧牲容量的情況下進(jìn)一步縮小尺寸。此外,他們還在研究NOR Flash的容量是否可以進(jìn)一步提高,以及電壓是否有可能突破到1.1V或更低。

在PCM相變存儲器這個潛在的競爭技術(shù)方面,張靜認(rèn)為,盡管PCM有其獨特的優(yōu)勢,但NOR Flash在高可靠性和長期存儲系統(tǒng)代碼的應(yīng)用中仍然占有不可替代的地位。

綜上所述,兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)通過其不斷的技術(shù)創(chuàng)新,為全球市場提供了一系列高質(zhì)量和高性能的存儲解決方案。他們深知技術(shù)發(fā)展的趨勢,始終站在行業(yè)的前沿,不斷推動技術(shù)進(jìn)步,滿足客戶的需求。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,我們有理由相信,兆易創(chuàng)新將繼續(xù)引領(lǐng)存儲行業(yè)的未來,為我們帶來更多創(chuàng)新和優(yōu)秀的產(chǎn)品。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:兆易創(chuàng)新:前沿存儲技術(shù)與開創(chuàng)性Flash解決方案引領(lǐng)行業(yè)變革

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