低壓差線性穩(wěn)壓器(Low dropout regulator),通常簡(jiǎn)稱為“LDO”,是一種線性穩(wěn)壓器,它通過內(nèi)部負(fù)反饋?zhàn)詣?dòng)調(diào)節(jié)晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管(FET)在線性區(qū)域所占用的電壓,從輸入電壓中獲取穩(wěn)定的輸出降額電壓。
下圖為L(zhǎng)DO典型應(yīng)用電路圖
輸入電壓Vi施加到LDO芯片輸入后,被降壓成輸出電壓VO驅(qū)動(dòng)負(fù)載(電燈泡),這里的輸出電壓VO(Output Voltage) 是LDO的一個(gè)重要參數(shù),一般工程師在進(jìn)行選型時(shí)首先考慮的就是輸出電壓。
LDO有固定輸出電壓(Fixed)和可調(diào)輸出電壓(Adjustable)兩種。固定輸出電壓LDO使用比較方便,經(jīng)過廠家精密調(diào)整后的輸出電壓精度很高,但是其設(shè)定的輸出電壓數(shù)值均為常用電壓值(如1.2V、 2.5V、3.3V、5V等),不可能滿足所有的應(yīng)用場(chǎng)合要求,這時(shí)可以使用可調(diào)輸出電壓類型的LDO,只需要調(diào)整外接元件數(shù)值即可在一定范圍內(nèi)進(jìn)行輸出電壓的調(diào)整。
有人可能會(huì)說了:什么爛編劇,不就是個(gè)降壓嘛,我用電阻分壓不是一樣的?我要退票!
下面我們?cè)敿?xì)講解LDO的穩(wěn)壓特性,這是普通電阻分壓所不能提供的。LDO的基本原理與通用串聯(lián)型穩(wěn)壓電路是一致的,其基本結(jié)構(gòu)如下圖所示:
其中,三極管Q1為電壓調(diào)整管,電阻R3、R4及可調(diào)電阻RP1用來對(duì)輸出電壓VO進(jìn)行電壓采樣,D1為穩(wěn)壓二極管,與電阻R2配合為三極管Q2的發(fā)射極提供穩(wěn)定的 參考電****位VREF(Reference Voltage) ,三極管Q2用來對(duì)參考電壓與采集到的輸出電壓進(jìn)行比較,R2為Q1與Q2提供靜態(tài)偏置電壓。
當(dāng)電路還沒有施加輸入電壓時(shí),三極管Q1與Q2均處于截止?fàn)顟B(tài),此時(shí)夜靜闌珊,萬籟俱寂。
如果對(duì)該電路施加輸入電壓V i (暫時(shí)還沒有接負(fù)載)時(shí),輸入電壓Vi經(jīng)電阻R1、三極管Q1的發(fā)射結(jié)V BE1 、R2、D1(或R3、R4、RP1)為三極管Q1提供基極電流,由于三極管Q1的集電極電位最高,基極電位次之、發(fā)射極電位最低,三極管處于放大狀態(tài),如下圖所示:
此時(shí)此刻,上圖的等效電路如下所示:
可以看到,這個(gè)電路就是一個(gè)共集電極放大電路,其中的電阻RX表示R2、R3、R4、RP1、D1等效的總電阻,此時(shí)三極管Q1處于放大狀態(tài),輸出VO也有一定的電壓,但電路還沒有穩(wěn)壓能力。
下一刻,三極管基極電壓VB2由電阻R3、R4、RP1分壓獲取,如下式:
三極管發(fā)射極電位VE2是VO通過R2、D1穩(wěn)壓電路獲取的恒定參考電壓V Z ,通常這個(gè)參考電壓稍大于1V,而三極管的集電極電位VC2由Vi通過R2提供,很明顯,三極管Q2的三個(gè)極電位V C >V B >V E ,集電結(jié)反偏,發(fā)射極正偏,三極管Q2處于放大狀態(tài)。
三極管Q2將基極電流IB2放大后,產(chǎn)生集電極電流IC2并將其集電極電位VC2拉下來,繼而使三極管Q1的基極-發(fā)射極電壓VBE1下降,引起IB1與IC1相繼下降,集電極-發(fā)射極電壓VCE1升高,輸出電壓VO會(huì)比三極管Q2沒有接入時(shí)會(huì)下降一些,三極管Q2接入后電路形成負(fù)反饋并達(dá)到穩(wěn)態(tài)。
此時(shí)電路中雖然還沒有接負(fù)載,但放大電路回路已經(jīng)形成,因此必然會(huì)有一定的電流,稱為 靜態(tài)電流(Quiescent Current) ,也有些規(guī)格書稱之為 接地電流(Ground Pin Current) ,這個(gè)電流要求越小越好。
有些LDO芯片(特別是低電壓輸出的)必須外接負(fù)載才有正確的電壓輸出,它需要一定的負(fù)載電流才能維持內(nèi)部正常的調(diào)整行為,這個(gè)電流的最小值稱為 最小負(fù)載電流(Minimum Load Current)
下面我們將電路接上負(fù)載(電燈泡),看看情況會(huì)有什么不一樣,如下圖所示:
由于負(fù)載肯定會(huì)有一定的電阻值(通常比等效電阻RX小多了),當(dāng)負(fù)載如上圖所示接到電路中時(shí),相當(dāng)于等效電阻RX與RL并聯(lián),相當(dāng)于Q1集電極對(duì)地的電阻下降了,由于此時(shí)回路電流I還沒有變化,根據(jù)歐姆定律V=R×I,則輸出VO勢(shì)必會(huì)下降。
電阻R3、R4、RP1是對(duì)輸出電壓VO進(jìn)行分壓采集,因此三極管Q2的基極電位VB2電位相應(yīng)也會(huì)下降,而Q2的發(fā)射極因?yàn)镈1、R2提供穩(wěn)定的參考電位V Z ,則有V BE2 =V B2 -VZ下降,繼而導(dǎo)致Q2的基極電流IB2與集電極電流IC2相繼下降。
三極管Q2的集電極電流IC2下降將導(dǎo)致Q2集電極電位VC2上升,則有Q1的發(fā)射結(jié)電壓V BE1 =V B1 -V E1 =V C2 -V E1 =V C2 -VO上升(記住前提條件,輸出電壓VO是下降的),其基極電流IB1與集電極電流Ic1亦相繼上升,從而導(dǎo)致VCE1下降。
輸入Vi是一直恒定不變的,因此有輸出電壓V O =V i -VCE1上升
可以看到,電路剛剛接入負(fù)載的一瞬間,輸出電壓是下降的,但是經(jīng)過一系列比較反饋調(diào)整后,輸出電壓又上升了,亦即輸出電壓回升到?jīng)]有接入負(fù)載時(shí)的電壓,也就是說,不管有沒有接入負(fù)載,輸出電壓都可以穩(wěn)定到同一個(gè)數(shù)值。
這個(gè)穩(wěn)壓的過程可以如下所示:
事實(shí)上,這里的三極管Q1就相當(dāng)于可調(diào)電阻R Q1 ,負(fù)載電燈泡就相當(dāng)于電阻R L ,如下圖所示:
當(dāng)負(fù)載重了(即RL阻值變?。?,輸出電壓VO下降了,為了維持與之前相同的輸出電壓,就把可調(diào)電阻值RQ1下降一些,這樣按電阻分壓原理,輸出電壓VO就上升了(只是電流增大了),上升量抵消了下降量,輸出電壓VO保持不變
相反,就把可調(diào)電阻RQ1上升一些,這與剛剛那位退票離場(chǎng)的同仁所述是一致的。
三極管Q1的集電極-發(fā)射極電壓VCE1就是LDO的壓降VD(Dropout Voltage) ,這個(gè)電壓會(huì)在三極管上產(chǎn)生熱量,流過三極管Q1(即負(fù)載電流)的電流越大,則由P=V×I公式可知(電流I越大),在三極管消耗的功率越大,從而導(dǎo)致三極管發(fā)熱,因此一般Q1采用的都是功率管。
這個(gè)壓差VD自然是越小越好,對(duì)于給定的LDO都有一個(gè)VD值,在實(shí)際使用時(shí),輸入電壓Vi與輸出電壓Vo的差值一定要大于這個(gè)VD值,否則LDO將無法正常維持內(nèi)部調(diào)節(jié)行為而無法實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓功能。
同樣,如果外加的輸入電壓Vi太大,則由P=V×I公式可知(電壓V越大),也會(huì)導(dǎo)致三極管消耗功率增大,從而引起三極管發(fā)熱,這也會(huì)極大的影響LDO的電源轉(zhuǎn)換效率,如下圖所示:
LDO的輸入輸出電流接近一致的,因此計(jì)算LDO的效率只需知道輸出電壓Vo與輸入電壓Vi的比值即可,對(duì)于同樣的輸出電壓3.3V,當(dāng)輸入電壓為5V時(shí),LDO的效率約為66%,而當(dāng)輸入電壓為9V時(shí),LDO的效率就降到約36%了,大部分的輸入能源都被消耗到了LDO本體上,這是低功耗應(yīng)用所不允許的。
當(dāng)然,負(fù)載電流不能一直升高到無限大(即負(fù)載電阻不可能無限小,否則電路將帶不動(dòng),這跟小馬拉大車的道理是一樣的),當(dāng)負(fù)載電流高到一定值時(shí),三極管Q1由于電流太大而發(fā)熱,最終導(dǎo)致三極管損壞,此時(shí)的電流稱為最大負(fù)載電流ILIMIT(Current Limit)
我們說穩(wěn)壓電路可以對(duì)負(fù)載引起的輸出電壓變化進(jìn)行穩(wěn)壓,那么用什么參數(shù)來衡量呢?通常我們用負(fù)載調(diào)整率ΔLoad(Load Regulation)參數(shù)來衡量這個(gè)性能,如下圖所示:
上圖中輸入電壓Vi對(duì)應(yīng)輸出V O ,假設(shè)負(fù)載RL的變化引起輸出電壓變化了ΔV O ,我們把負(fù)載RL變化引起的輸出電壓變化率叫做負(fù)載調(diào)整率,用ΔLoad表示,如下式:
舉個(gè)例子,芯片A與芯片B用上圖所示電路進(jìn)行測(cè)試,初始條件都是V i =5V、V O =3.3V,將負(fù)載值RL進(jìn)行相同大小的調(diào)整后,測(cè)得芯片A輸出為3.4V,而芯片B輸出為3.5V,
則芯片A的負(fù)載調(diào)整率是:
而芯片B的負(fù)載調(diào)整率是:
在理想狀態(tài)下,我們希望無論負(fù)載是怎么變化的,輸出都是恒定的,即ΔV為0,因此這個(gè)值是越小越好,因此芯片A的負(fù)載調(diào)整率要更好一些。嚴(yán)格地說,負(fù)載調(diào)整率=(滿負(fù)載輸出電壓-半負(fù)載輸出電壓)/額定負(fù)載輸出電壓,這里只是為了說明負(fù)載調(diào)整率的意義。
下面我們看看,當(dāng)輸入電壓波動(dòng)時(shí),電路是如何對(duì)輸出進(jìn)行調(diào)整的:
輸入電壓Vi上升時(shí),由于VCE1還沒來得及調(diào)整,因此輸出VO勢(shì)必會(huì)隨Vi上升。
電阻R3、R4、RP1是對(duì)輸出電壓VO進(jìn)行分壓采集,因此三極管Q2的基極電位VB2相應(yīng)也會(huì)上升,而Q2的發(fā)射極因?yàn)镈1、R2提供穩(wěn)定的參考電位V Z ,則有V BE2 =V B2 -VZ上升,繼而導(dǎo)致Q2的基極電流IB2與IC2相繼上升。
三極管Q2的集電極IC2上升將導(dǎo)致Q2集電極電位VC2下降,則有Q1的發(fā)射結(jié)電壓V BE1 =V B1 -V E1 =V C2 -V E1 =V C2 -VO下降(記住前提條件,輸出電壓VO是上升的),Q1基極電極電流IB1與集電極電流IC1相繼下降,繼而VCE1上升將Vi的上升量抵消,從而將輸出VO穩(wěn)定在之前的輸出電壓值。
這個(gè)穩(wěn)壓的過程可以如下所示:
與負(fù)載調(diào)整率類似,我們用電壓調(diào)整率來衡量輸入電壓變化引起的輸出電壓變化:
上圖中輸入電壓Vi對(duì)應(yīng)輸出V O ,假設(shè)輸入電壓Vi的變化引起輸出變化了ΔV O ,我們把輸入電壓變化引起的輸出電壓變化率叫做電壓調(diào)整率(line regulation,也有叫線性調(diào)整率),用ΔLine表示,如下式:
同樣,我們將芯片A與芯片B用上圖所示電路進(jìn)行測(cè)試,初始條件都是V i =5V、V O =3.3V,將輸入電壓值進(jìn)行相同大小的調(diào)整后,測(cè)得芯片A輸出為3.4V,而芯片B輸出為3.5V,
則芯片A的電壓調(diào)整率是:
而芯片B的電壓調(diào)整率是:
在理想狀態(tài)下,我們希望無論輸入電壓是怎么變化的,輸出電壓都是恒定的,即ΔV為0,因此這個(gè)值也是越小越好,因此芯片A的電壓調(diào)整率要更好一些。
嚴(yán)格地說,電壓調(diào)整率是在輸出接固定負(fù)載時(shí),將輸入電壓在一定的范圍進(jìn)行調(diào)整并從中取得輸出電壓的最小值與最大值,則電壓調(diào)整率=(輸出電壓最大值-輸出電壓最小值)/額定輸出電壓,這里只是為了說明電壓調(diào)整率的意義。
同樣,輸入電壓Vi不能一直升高到無限大,如果輸入電壓Vi超過 工作允許最大電壓(OperatingInput Voltage) ,LDO可能會(huì)損壞。
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