芯片介紹



芯片特性

·內(nèi)置單芯片集成200V/1.5Ω(PN8080)，200V/0.7Ω(PN8081)功率 LDMOS

·開關(guān)頻率外部可調(diào)，范圍100kHz~1MHz

·內(nèi)置高壓啟動電路，啟動電流高達18mA

·智能保護功能：過溫保護 (OTP)、輸入欠壓保護、輸入過壓保護、VCC鉗位保護、功率管逐周期限流保護

應(yīng)用場景

·光伏微逆變器輔源

·服務(wù)器二次電源輔源

·POE主電源

芯片優(yōu)勢

01

高功率密度

PN808x系列為電壓模式控制，工作頻率外部可調(diào)，最高支持頻率1MHz，可通過外部CT電容靈活調(diào)整。

PN808x系列內(nèi)部恒流源對CT電容進行充電和放電，產(chǎn)生3.0V~3.5V的鋸齒波，充放電電流比例為1:3。CT電容在總周期的25%時間內(nèi)放電， 放電期間功率開關(guān)電路關(guān)閉，確保最大占空比為75%。

CT與開關(guān)頻率設(shè)置曲線如下：

CT電容與頻率關(guān)系（TJ=25℃,VCC=12V）

02

系統(tǒng)架構(gòu)靈活適配

PN808x系列內(nèi)部集成運放，支持隔離及非隔離拓?fù)浼軜?gòu)應(yīng)用。

反激變換器應(yīng)用

Boost變換器應(yīng)用

03

保護功能豐富

PN808x系列集成了輸入欠壓保護、輸入過壓保護、最大限流保護、熱關(guān)斷功能、VCC鉗位保護，可在故障發(fā)生時及時保護系統(tǒng)。

PN808x系列包含兩個單獨的輸入欠壓（UV）和過壓（OV）比較器。UV和OV的閾值都是2.55V，當(dāng)OV超過2.55V，或者UV低于2.55V時，都會出現(xiàn)故障并關(guān)斷功率開關(guān)。UV和OV的比較器均有175mV遲滯，以避免噪聲信號引起的誤關(guān)斷。

輸入欠過壓保護及VCC鉗位保護






審核編輯：劉清