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三星、美光看好Q4存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇?2024年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢兩大看點(diǎn)

章鷹觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:章鷹 ? 2023-11-09 09:09 ? 次閱讀
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(電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道 文/章鷹)2023年第三季度,對于全球存儲(chǔ)行業(yè)的大多數(shù)企業(yè)來說還在經(jīng)歷寒冬。10月31日,三星電子公布了第三季度財(cái)報(bào),數(shù)據(jù)顯示,公司第三季度營收為67.40萬億韓元 (約合人民幣3653億元),同比下降約12%,但公司凈利潤達(dá)5.5萬億韓元,遠(yuǎn)超此前預(yù)期的2.52萬億韓元。另外一家存儲(chǔ)大廠美光科技,公布2023財(cái)年第四季度(截止8月31日)財(cái)報(bào)顯示,第四季度營收僅為40.1億美元,同比2022財(cái)年同期的66.4億美元下降40%。

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三星電子負(fù)責(zé)半導(dǎo)體的DS部門三季度虧損3.75萬億韓元,這是連續(xù)第三個(gè)季度出現(xiàn)虧損,加上前兩個(gè)季度虧損的8.94萬億韓元,三星半導(dǎo)體今年已經(jīng)累計(jì)虧損12.69萬億韓元(約合688億元人民幣)。但是三星表示,由于HBM、DDR5和LPDDR5x等高附加值產(chǎn)品的銷售擴(kuò)大,以及銷售價(jià)格的上漲,所以虧損幅度還是一直在收窄。預(yù)期長期低迷的存儲(chǔ)市場即將復(fù)蘇。

11月8日,在深圳舉辦的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)大會(huì)上,來自集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷分析了《減產(chǎn)策略下的2024年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢》,本文將重點(diǎn)分析兩大內(nèi)存產(chǎn)業(yè)動(dòng)向。

2024年內(nèi)存市場先抑后揚(yáng),HBM和DDR5成為潛力增長市場

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集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷表示,2023年全球存儲(chǔ)市場出現(xiàn)下滑,三星、SK海力士、美光等大型存儲(chǔ)芯片廠商必須通過減產(chǎn)才能消化現(xiàn)在行業(yè)當(dāng)中的庫存。2023年底比較去年年底,最健康的情況是去庫存已經(jīng)達(dá)到成效。三星今年對DRAM做了大幅度減產(chǎn),特別是第四季度,產(chǎn)能利用率降到70%以下。

據(jù)悉,2023年第四季度DRAM與NAND Flash合約價(jià)格將開始全面上漲,DRAM合約價(jià)格季漲約3%到8%。

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吳雅婷表示,2024年預(yù)計(jì)DRAM的產(chǎn)能利用率上半年偏低,隨著均價(jià)的復(fù)蘇還有市場狀況的改善,下半年的時(shí)候會(huì)提高到13.2%,其中主要是DDR5和HBM產(chǎn)品的貢獻(xiàn)。

從行業(yè)應(yīng)用來看,2024年P(guān)C、服務(wù)器、手機(jī)、圖形和消費(fèi)電子對內(nèi)存的需求占比不同,但是服務(wù)器對內(nèi)存的需求占據(jù)市場14.8%,超越手機(jī)對內(nèi)存市場需求,成為市場供應(yīng)的主流,真正對均價(jià)會(huì)產(chǎn)生影響的,主要以服務(wù)器需求DRAM為主。

HBM即為高帶寬存儲(chǔ)器,是一種基于3D堆疊工藝的DRAM內(nèi)存芯片,具有更高帶寬、更多I/O數(shù)量、更低功耗、更小尺寸等優(yōu)點(diǎn)。HBM已經(jīng)存在十年,在DRAM的整體頹勢之中,HBM卻在逆市增長。2023年開年后三星、SK海力士兩家存儲(chǔ)大廠HBM訂單快速增加,HBM3規(guī)格DRAM價(jià)格上漲5倍。

吳雅婷分析表示,目前高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM芯片已成主流,預(yù)計(jì)2023年全球HBM需求量將增近六成,達(dá)到2.9億GB,占據(jù)DRAM整體營收的3%,但是2024年HBM供應(yīng)量將會(huì)增長一倍,在整個(gè)DRAM營收中占比將達(dá)到9%。

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DDR5在服務(wù)器和PC上的使用進(jìn)程不如預(yù)期,DDR5的滲透率在DRAM占比不大。但是業(yè)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片原廠都把最先進(jìn)制程放到DDR5的生產(chǎn)上,三星電子計(jì)劃從今年第四季度開始全面提高DDR5產(chǎn)量。三星主要在平澤廠生產(chǎn)DDR5等最新產(chǎn)品;SK海力士今年5月開發(fā)出10nm級第5代(1b)DDR5,供應(yīng)給英特爾。美光在今年9月末的財(cái)報(bào)會(huì)議上表示,正在出樣128 GB DDR5內(nèi)存模塊,采用美光32 Gb DDR5內(nèi)存芯片。

吳雅婷認(rèn)為,HBM和DDR5明年可能都會(huì)爭奪原廠的工藝制程,根據(jù)現(xiàn)在行業(yè)客戶的需求,HBM3e將在2024年支持主要AI服務(wù)器需求,這也是AMD、亞馬遜和微軟向SK海力士獲取HBM3e樣本的原因。

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終端產(chǎn)品出貨量來看,服務(wù)器需求DRAM的量2024年比較2023年會(huì)增加2.3%。手機(jī)對DRAM需求,2024年比較2023年會(huì)增加2.9%。PC對DRAM需求量2024年比較2023年會(huì)增加2.1%。

哪些內(nèi)存類別將成為主流獲利來源?2024年預(yù)計(jì)產(chǎn)業(yè)增長接近40%

吳雅婷認(rèn)為,包括LPDDR5X、DDR5和HBM三大產(chǎn)品線將是原廠主要的獲利來源。2023年到2024年,存儲(chǔ)行業(yè)經(jīng)受很大挑戰(zhàn),幾乎沒有供應(yīng)商能賺錢,三星、SK海力士和美光在資本支出都非常謹(jǐn)慎,未來幾個(gè)季度產(chǎn)能的增加會(huì)非常小。

“2024年,不僅因?yàn)楣┬杵胶庠斐蒁RAM均價(jià)上漲,還有HBM產(chǎn)品的增長,會(huì)帶動(dòng)行業(yè)來到40%的增長?!?吳雅婷總結(jié)說。

據(jù)悉,TrendForce公司表示,預(yù)計(jì)內(nèi)存供應(yīng)商將繼續(xù)“在2024年縮減DRAM和NAND閃存的產(chǎn)量”。同時(shí),該公司還預(yù)測,到2024年,DRAM和NAND閃存的需求將分別增長13%和16%。


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