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『這個知識不太冷』探索5G射頻技術(shù)(下)

Qorvo半導(dǎo)體 ? 來源:未知 ? 2023-11-07 12:15 ? 次閱讀
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『這個知識不太冷』系列,旨在幫助小伙伴們喚醒知識的記憶,將挑選一部分Qorvo劃重點的知識點,結(jié)合產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀解讀,以此溫故知新、查漏補缺。本篇推文繼續(xù)談5G射頻~

wKgZomVJuvSAUpvqAAACizBGAA0624.png點擊這里,查看5G射頻技術(shù)(上篇)精彩內(nèi)容 探索射頻前端技術(shù)的不同

5G愿景的真正實現(xiàn),還需要更多創(chuàng)新。網(wǎng)絡(luò)基站和用戶設(shè)備(例如:手機)變得越來越纖薄和小巧,能耗也變得越來越低。為了適合小尺寸設(shè)備,許多射頻應(yīng)用所使用的印刷電路板(PCB)也在不斷減小尺寸。因此,射頻應(yīng)用供應(yīng)商必須開發(fā)新的封裝技術(shù),盡量減小射頻組件的占位面積。再進一步,部分供應(yīng)商開始開發(fā)系統(tǒng)級封裝辦法(SiP),以減少射頻組件的數(shù)量,盡管這種辦法將會增加封裝成本。

系統(tǒng)級封裝辦法正在被用于射頻前端,而射頻前端包含基站與天線中間的所有組件。

一個典型的射頻前端由開關(guān)、濾波器、放大器及調(diào)諧組件組成。這些技術(shù)設(shè)備的尺寸不斷減小,并且相互集成度不斷加大。結(jié)果,在手機、小蜂窩、天線陣列系統(tǒng)、Wi-Fi等5G應(yīng)用中,射頻前端正在變成一個復(fù)雜的、高度集成的系統(tǒng)封包。

不管怎樣,5G愿景的實現(xiàn)都需要射頻技術(shù)和封裝技術(shù)的顛覆性創(chuàng)新。

#氮化鎵技術(shù)#

氮化鎵(GaN)是一種二進制III/V族帶隙半導(dǎo)體,非常適合用于高功率、耐高溫晶體管。氮化鎵功率放大器技術(shù)的5G通信潛力才剛剛顯現(xiàn)。氮化鎵具有高射頻功率、低直流功耗、小尺寸及高可靠性等優(yōu)勢,讓設(shè)備制造商能夠減小基站體積。反過來,這又有助于減少5G基站信號塔上安裝的天線陣列系統(tǒng)的重量,因此可以降低安裝成本。另外,氮化鎵還能在各種毫米波頻率上,輕松支持高吞吐量和寬帶寬。

氮化鎵技術(shù)最適合實現(xiàn)高有效等向輻射基站功率(EIRP),如下圖所示。美國聯(lián)邦通信委員會定義了非常高的EIRP限值,規(guī)定對于28GHz和39GHz頻帶,每100MHz帶寬需要達到75dBm功率。因此帶來了哪些挑戰(zhàn)?相關(guān)設(shè)備的搭建既要滿足這些目標(biāo),又要將成本、尺寸、重量和功率等保持在移動網(wǎng)絡(luò)運營商的預(yù)算范圍內(nèi)。氮化鎵技術(shù)是關(guān)鍵;相比于其他技術(shù),氮化鎵技術(shù)在達到以上高EIRP值時,使用的元件更少, 并且輸出功率更高。

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半導(dǎo)體技術(shù)與EIRP需求的適應(yīng)性比較

對于高功率基站應(yīng)用,相比于鍺硅(SiGe)或硅(Si)等其他功率放大器技術(shù),在相同EIRP目標(biāo)值下,氮化鎵技術(shù)的總功率耗散更低,如下圖所示。氮化鎵減少了整體系統(tǒng)的重量和復(fù)雜性,同時還仍保持較低功耗,因此更適合塔上安裝系統(tǒng)的設(shè)計。

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氮化鎵減少了基站設(shè)計的復(fù)雜性,降低了成本

氮化鎵技術(shù)的部分重要屬性:
  • 可靠性與結(jié)實性:氮化鎵的功率效率更高,因此降低了熱量輸出。氮化鎵的帶隙寬,能夠耐受更高的工作溫度,因此可以減少緊湊區(qū)域的冷卻需求。由于氮化鎵能夠在塔上應(yīng)用(例如:天線陣列系統(tǒng))的高溫條件下工作,因此可以不需要冷卻風(fēng)扇,以及/或者可以減少散熱器的體積。歷史上,冷卻風(fēng)扇由于機械性質(zhì),一直是造成外場故障的首要原因。大型散熱器不僅硬件本身構(gòu)成重大成本,并且由于重量原因,還可能帶來額外的人力成本。使用氮化鎵可以讓人們不再使用這些高成本的散熱辦法。

  • 電流消耗:氮化鎵降低了工作成本,產(chǎn)生的熱量也更少。另外,低電流還有助于減少系統(tǒng)功耗和降低電源需求。再者,由于功耗降低,服務(wù)提供商也減少了運營支出。

  • 功率能力:相比于其他半導(dǎo)體技術(shù),氮化鎵設(shè)備提供更高的輸出功率。市場的發(fā)展趨勢以及對于基站高功率輸出的需求,更加有利于氮化鎵技術(shù)的發(fā)展。

  • 頻率帶寬:氮化鎵擁有高阻抗和低柵極電容,能夠?qū)崿F(xiàn)更大的工作帶寬和更高的數(shù)據(jù)傳輸速度。另外,氮化鎵技術(shù)還在3GHz以上擁有良好的射頻性能,其他技術(shù)(例如:硅)在這個頻率范圍的性能卻不佳。今天氮化鎵模塊和功率放大器提供的寬帶性能,能夠支持5G前所未有的帶寬需求。
  • 集成:5G需要體積更小的解決方案,這促使供應(yīng)商將大規(guī)模、包含多個技術(shù)的離散式射頻前端,替換成單體式全面集成解決方案。氮化鎵制造商開始抓住這個潮流,開發(fā)那些能夠?qū)⑹瞻l(fā)鏈條整合到單一封裝的全面集成解決方案。這進一步減少了系統(tǒng)的體積、重量和上市時間。

#體聲波濾波器技術(shù)#

由于新增頻帶和載波聚合,再加上蜂窩通信必須與許多其他無線標(biāo)準(zhǔn)共存的事實,干涉問題比以往更加嚴(yán)重。要減少頻帶與標(biāo)準(zhǔn)之間的干涉,濾波器技術(shù)是關(guān)鍵。

  • 表面聲波濾波器和體聲波濾波器具有占位面積小、性能優(yōu)異、經(jīng)濟適用等優(yōu)勢,在移動設(shè)備濾波器市場上居于主導(dǎo)地位。

  • 體聲波濾波器最適合1GHz至6GHz的頻段,表面聲波濾波器最適合1GHz以下的頻段。因此,體聲波的5G “甜蜜點”是低于7GHz的頻段。

  • 體聲波和表面聲波能夠減少LTE、Wi-Fi、自動通信以及新的7GHz以下5G頻率的干涉,同時又能滿足制造商嚴(yán)格的體積和性能標(biāo)準(zhǔn)。

對于智能手機設(shè)計者, 5G的推出對于電池壽命和主板空間又是一個挑戰(zhàn)。隨著每代產(chǎn)品推陳出新,集成的壓力和縮小體積的壓力不斷增加。在較高頻率下工作,意味著功率放大器效率降低,同時天線和線路的損耗增加。另外,5G手機還需要增加射頻開關(guān),因此帶來更多鏈路預(yù)算損失。(所謂“鏈路預(yù)算”,是指在電信系統(tǒng)中,從發(fā)送器經(jīng)由電纜、走線等直至接收器,在這一過程中產(chǎn)生的所有增益與損失的總和。)

不出意外,從4G到5G,手機里安裝的濾波器數(shù)量急劇增加,如下圖所示。載波聚合是濾波器數(shù)量增加的主要促成因素。隨著全球載波聚合以及手機中標(biāo)準(zhǔn)和頻帶的數(shù)量越來越多,濾波器技術(shù)方興未艾。另外,在載波聚合以及手機性能優(yōu)化需求的驅(qū)使下,濾波器的復(fù)雜性也在增加。

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智能手機與集成濾波器技術(shù)

體聲波技術(shù)的一項優(yōu)勢就是散熱,如下圖所示。如前所述,放大器功率的增加導(dǎo)致熱量的增加。如果為補償系統(tǒng)功率損耗或信號范圍問題而增加放大器的功率,則發(fā)送濾波器產(chǎn)生的熱量也將增加。該熱量對濾波器的性能和工作壽命都有不利影響,并且會在衰減區(qū)域和傳輸頻帶造成頻率偏移。體聲波技術(shù)有助于減輕這一問題,因為SMR體聲波濾波器(BAW-SMR)產(chǎn)生垂直熱通量,有助于將熱量導(dǎo)離設(shè)備。在高頻率下,反射器層變得更薄,這更加有助于體聲波諧振器的散熱。

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SMR BAW濾波器功率處置方式

#射頻技術(shù)、封裝及設(shè)計# 射頻前端由多個半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)備組成。眾多的5G應(yīng)用需要五花八門的處理技術(shù)、設(shè)計技巧、集成辦法和封裝辦法,以滿足各個獨特用例的需求。 對于5G的7GHz以下頻段,相應(yīng)的射頻前端解決方案需要創(chuàng)新封裝辦法,例如,提高組件排列的緊湊度;縮短組件之間的導(dǎo)線長度,以盡量減少損耗;采用雙面安裝;劃區(qū)屏蔽;以及使用更高質(zhì)量的表面安裝技術(shù)組件等。 所有5G用例都需要射頻前端技術(shù)。根據(jù)射頻功能、頻帶、功率等級等性能要求,射頻半導(dǎo)體技術(shù)的選擇不盡相同。如下圖所示,每個射頻功能和應(yīng)用分別對應(yīng)多個半導(dǎo)體技術(shù)。 wKgZomVJuvWANmV2AAOxXNBwX2Y708.png ?5G射頻通信技術(shù) 這些應(yīng)用需要五花八門的處理技術(shù)、設(shè)計技巧、集成辦法和封裝辦法,以滿足各個獨特用例的特定需求。 wKgZomVJuvWAampRAACUzQFMjcA180.gif


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