11月2日消息，據(jù)媒體報道，在本季度將NAND閃存芯片報價調(diào)漲10%至20%之后，三星計劃明年一季度與二季度再次逐季調(diào)漲20%。

三星表示，此舉是為了努力穩(wěn)定NAND價格、達(dá)成明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標(biāo)的一系列行動。

根據(jù)近日三星向客戶公布的四季度官價，移動DRAM合約價環(huán)比漲幅在11%-25%左右。NAND閃存方面，UFS4.0漲幅約2%，eMCP、uMCP漲幅不等，平均漲幅20%以上，最高漲幅高達(dá)66%。

三星漲價的底氣主要還是來自于其減產(chǎn)計劃，在10月31日的財報會議上，三星執(zhí)行副總裁直言，“三星接下來的減產(chǎn)行動，將比目前DRAM縮減產(chǎn)出的規(guī)模更大?！边@也意味著，目前三星在積極提高報價的同時，也通過持續(xù)減產(chǎn)來控制市場供給量。

作為全球存儲芯片的龍頭企業(yè)，三星帶頭漲價也將會使整體市場價格上漲。此外，隨著主要廠商減產(chǎn)，以及終端廠商需求的復(fù)蘇，NAND閃存預(yù)計在今年四季度開始價格反彈，并開啟新一輪上漲周期。