99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

三星電子將擴大尖端DRAM/NAND產(chǎn)量

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-11-01 10:52 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

三星電子31日在第三季度業(yè)績發(fā)布會上公布,將擴大10納米第四代(1a)、第五代(1b) dram和第七、第八代v- nand閃存等尖端存儲器產(chǎn)品的供應,而不是增加。

三星電子副總裁Kim Jae-jun表示:“對生成人工智能ai)等高性能產(chǎn)品的運行非常重要的尖端存儲器的需求正在迅速增加?!毕喾矗匀ツ暌院?,隨著存儲器業(yè)界的資本投資減少,韓國尖端node技術的擴張受到了限制?!?/p>

Kim Jae-jun補充說:“三星電子將通過維持投資,進一步鞏固在尖端存儲器市場上的地位,并確保長期競爭力?!必撠?a target="_blank">半導體的ds部門計劃每年進行47萬5000億韓元的資本支出。

Kim Jae-jun總經(jīng)理解釋說,對于部分傳統(tǒng)產(chǎn)品,為了使庫存恢復正常,正在繼續(xù)進行調整。他說:“將有選擇地進行生產(chǎn)調整,在短時間內使庫存恢復正常?!迸cdram相比,nand閃存的供應減少幅度將更大?!?/p>

當天,三星電子公布了第三季度業(yè)績,銷售額和營業(yè)利潤分別為67.4047萬億韓元和2.4336萬億韓元。三星電子的銷售額雖然比去年第3季度減少了12.21%,但是與今年第2季度相比增加了12.3%。營業(yè)利潤與去年同期相比減少了77.57%。但這比市場預測的1.8358萬億韓元要多。

特別是三星ds部門的營業(yè)業(yè)績得到改善,實現(xiàn)了2萬億韓元以上的營業(yè)利潤。該公司公布的營業(yè)赤字為3萬7500億韓元,與第一季度的4萬5800億韓元、第二季度的4萬3600億韓元相比,赤字大幅減少。

三星電子在包括家電、移動通信在內的dx領域,銷售額和營業(yè)利潤分別達到44.2萬億韓元和3.73萬億韓元。另外,以智能手機中心的移動通信經(jīng)驗和網(wǎng)絡部門也創(chuàng)造了3兆3000億韓元的營業(yè)利潤。通過與消費電子的視覺展示,為部門創(chuàng)造了3800億韓元的營業(yè)利潤。三星表示,營業(yè)利潤實現(xiàn)了1.94萬億韓元。汽車電子子公司哈曼創(chuàng)造了4500億韓元的營業(yè)利潤。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 三星電子
    +關注

    關注

    34

    文章

    15888

    瀏覽量

    182339
  • 存儲器
    +關注

    關注

    38

    文章

    7648

    瀏覽量

    167305
  • 人工智能
    +關注

    關注

    1806

    文章

    48996

    瀏覽量

    249239
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組

    深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收
    發(fā)表于 05-19 10:05

    三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率

    三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折, 70% 的 HBM 內存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使
    發(fā)表于 04-18 10:52

    三星電子否認1b DRAM重新設計報道

    據(jù)報道,三星電子已正式否認了有關其重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對
    的頭像 發(fā)表于 01-23 15:05 ?572次閱讀

    三星否認重新設計1b DRAM

    據(jù)DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:04 ?964次閱讀

    三星電子1c nm內存開發(fā)良率里程碑推遲

    據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底1c nm制程
    的頭像 發(fā)表于 01-22 15:54 ?562次閱讀

    三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

    (High Bandwidth Memory 4)內存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本,三星電子計劃在2024年12月前1c nm制程DRAM的良率提升至70%,這是結束開發(fā)工作并進入量產(chǎn)階
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:27 ?619次閱讀

    三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰(zhàn)

    近日,據(jù)韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎上,全面重新
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:04 ?836次閱讀

    三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

    近日,三星電子已做出決定,減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星
    的頭像 發(fā)表于 01-14 14:21 ?559次閱讀

    三星削減中國西安NAND閃存產(chǎn)量應對市場變化

    近日,三星電子宣布將對其在中國西安的NAND閃存工廠實施減產(chǎn)措施,以應對全球NAND市場供過于求的現(xiàn)狀及預期的價格下滑趨勢。據(jù)《朝鮮日報》報道,三星
    的頭像 發(fā)表于 01-14 10:08 ?549次閱讀

    三星MLC NAND閃存或面臨停產(chǎn)傳聞

    近日,業(yè)界傳出消息稱,三星電子大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給,并計劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場銷售該類產(chǎn)品,而到了2025年6月,MLC
    的頭像 發(fā)表于 11-21 14:16 ?1039次閱讀

    MLC NAND產(chǎn)能或遭削減?三星否認停產(chǎn)傳聞

    近日,業(yè)界傳出消息,MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給大幅削減,其中三星電子被指調整產(chǎn)能。據(jù)市場傳言,
    的頭像 發(fā)表于 11-20 16:13 ?1116次閱讀

    三星與鎧俠計劃減產(chǎn)NAND閃存

    近日,據(jù)供應鏈消息,三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對NAND閃存進行減產(chǎn),并預計根據(jù)市場狀況分階段實施。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 16:18 ?658次閱讀

    三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻,或重新設計1a DRAM電路

    近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息,據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星
    的頭像 發(fā)表于 10-23 17:15 ?917次閱讀

    三星電子發(fā)布最新固態(tài)硬盤產(chǎn)品990 EVO Plus

    9月26日,三星電子震撼發(fā)布了其旗艦級固態(tài)硬盤新品——990 EVO Plus,該產(chǎn)品標志著存儲技術的新里程碑。融合了三星自研的第8代V-NAND
    的頭像 發(fā)表于 09-26 17:06 ?1715次閱讀

    三星電子量產(chǎn)1TB QLC第九代V-NAND

    三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特(Tb)容量四層單元(QLC)第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標志著三星在存儲技術領域的持續(xù)領先,也預示著
    的頭像 發(fā)表于 09-12 16:27 ?854次閱讀