99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

激烈競(jìng)爭(zhēng)市場(chǎng)車(chē)企的SIC/IGBT模塊布局介紹

向欣電子 ? 2023-10-31 08:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

?

當(dāng)前電動(dòng)汽車(chē)的發(fā)展速度有目共睹,據(jù)高盛研究公司發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,到2023年,電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量將占全球汽車(chē)銷(xiāo)量的10%;到2030年,這一數(shù)據(jù)預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至30%;到2035年,電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量將有可能占全球汽車(chē)銷(xiāo)量的一半。

功率半導(dǎo)體作為電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心元器件,涉及電動(dòng)汽車(chē)的驅(qū)動(dòng)效率、充電速度以及續(xù)航里程等多方面性能,是三電的核心部件,隨著電動(dòng)汽車(chē)數(shù)量的急劇增長(zhǎng),對(duì)相應(yīng)功率半導(dǎo)體的需求也水漲船高。

同時(shí),相較于傳統(tǒng)燃油車(chē),電動(dòng)汽車(chē)對(duì)功率半導(dǎo)體的使用量也大幅提升,根據(jù)Strategy Analytics數(shù)據(jù),目前占比半導(dǎo)體成本已達(dá)55%,單車(chē)功率半導(dǎo)體價(jià)值量平均可達(dá)500美元,是傳統(tǒng)燃油車(chē)的5倍,量?jī)r(jià)齊升之下,車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體的重要性愈發(fā)凸顯。

在此情況下,車(chē)企斥巨資布局功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)早已屢見(jiàn)不鮮,特別是過(guò)去經(jīng)歷了“缺芯”的折磨,讓車(chē)企根本不敢掉以輕心,通過(guò)參與功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上下游,車(chē)企不僅能保障功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定和安全,也有助于優(yōu)化生產(chǎn)效率,實(shí)現(xiàn)降本增效的目的。

目前在汽車(chē)領(lǐng)域,從逆變器到我們看到的各種高壓功率部分,采用模塊化的趨勢(shì)越發(fā)凸顯,功率芯片的優(yōu)良特性,需要通過(guò)封裝與電路系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高效、高可靠連接,才能得到完美展現(xiàn),經(jīng)過(guò)專(zhuān)業(yè)的設(shè)計(jì)和先進(jìn)的封裝工藝制作出來(lái)的功率半導(dǎo)體模塊,是目前電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用的主流趨勢(shì)。

本文將詳細(xì)介紹各大主機(jī)廠在SIC/IGBT模塊上的布局,以及現(xiàn)在的產(chǎn)能應(yīng)用情況等,探討車(chē)企大規(guī)模進(jìn)入功率半導(dǎo)體行業(yè)背后的原因,助力車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康持續(xù)發(fā)展。

?

車(chē)企斥巨資布局功率半導(dǎo)體

車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體是一個(gè)高技術(shù)壁壘的重資產(chǎn)行業(yè),即使是財(cái)大氣粗的車(chē)企想要參與進(jìn)來(lái)也并不容易,綜合當(dāng)前車(chē)企的入局模式可分為三種,即自主研發(fā)、聯(lián)合研發(fā)以及戰(zhàn)略投資。

f427ba36-7781-11ee-9788-92fbcf53809c.png

比亞迪-比亞迪半導(dǎo)體

在自主研發(fā)功率半導(dǎo)體這條路上,比亞迪是“先行者”,在2005年,比亞迪旗下的半導(dǎo)體公司——比亞迪半導(dǎo)體便開(kāi)啟了IGBT自研之路,這也為后來(lái)比亞迪的崛起打好了基礎(chǔ)。

資料顯示,比亞迪半導(dǎo)體以車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體為核心,產(chǎn)品已基本覆蓋新能源汽車(chē)核心應(yīng)用領(lǐng)域,同時(shí)也廣泛應(yīng)用于工業(yè)、家電、新能源、消費(fèi)電子等應(yīng)用領(lǐng)域。2007年,比亞迪半導(dǎo)體就建立了IGBT模塊生產(chǎn)線,2009年完成首款車(chē)規(guī)級(jí)IGBT芯片開(kāi)發(fā),2018年,比亞迪半導(dǎo)體發(fā)布車(chē)規(guī)級(jí)領(lǐng)域具有標(biāo)桿性意義的IGBT4.0技術(shù),到2021年,比亞迪半導(dǎo)體基于高密度Trench FS的IGBT 5.0技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

2021年那場(chǎng)席卷了整個(gè)行業(yè)的芯片荒,全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)能緊張,海外廠商交期延長(zhǎng),給了比亞迪半導(dǎo)體飛躍發(fā)展的機(jī)遇,也是同年比亞迪汽車(chē)的銷(xiāo)售量開(kāi)始爆發(fā)式增長(zhǎng),自研的多種芯片不僅讓自己的汽車(chē)能有充足的芯片供應(yīng),甚至還打開(kāi)了供給其他車(chē)企的路徑,天時(shí)地利人和之下造就了今日比亞迪半導(dǎo)體的口碑地位。

當(dāng)前,比亞迪半導(dǎo)體已成為國(guó)內(nèi)的頭部IGBT模塊廠商,在國(guó)內(nèi)車(chē)用IGBT市場(chǎng)擁有超過(guò)兩成的市占率。據(jù)NE時(shí)代數(shù)據(jù),今年1-7月,比亞迪半導(dǎo)體在新能源汽車(chē)主驅(qū)上累計(jì)搭載功率模塊約106萬(wàn)套,占比達(dá)32.0%,超過(guò)了英飛凌成為第一。

除了IGBT外,近來(lái)比亞迪半導(dǎo)體在碳化硅方面也取得重大技術(shù)突破,比亞迪漢、唐四驅(qū)等旗艦車(chē)型上已大批使用碳化硅模塊,未來(lái)有望在SIC模塊上獲得領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

去年11月,比亞迪半導(dǎo)體第四次終止創(chuàng)業(yè)板IPO,比亞迪董事長(zhǎng)王傳福解釋稱,因集團(tuán)業(yè)務(wù)快速增長(zhǎng),對(duì)功率半導(dǎo)體需求量巨大,關(guān)聯(lián)交易比例提升導(dǎo)致比亞迪半導(dǎo)體獨(dú)立性變?nèi)?,同時(shí)新能源汽車(chē)高速增長(zhǎng)導(dǎo)致芯片供給嚴(yán)重不足,晶圓產(chǎn)能成為車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)能瓶頸,為加快晶圓產(chǎn)能建設(shè)才終止上市,“比亞迪半導(dǎo)體上市計(jì)劃不變,只是進(jìn)程上有一些調(diào)整”。

吉利-晶能微電子

有了比亞迪這一榜樣,其他實(shí)力強(qiáng)大的車(chē)企也想自己掌握功率半導(dǎo)體核心技術(shù),比如吉利在去年6月吉利孵化了自己的功率半導(dǎo)體公司——晶能微電子,該公司專(zhuān)注于新能源領(lǐng)域的芯片設(shè)計(jì)與模塊創(chuàng)新,以“芯片設(shè)計(jì)+模塊制造+車(chē)規(guī)認(rèn)證”的綜合能力,開(kāi)發(fā)車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體器件及模塊。

雖然起步較晚,但晶能微電子的進(jìn)度卻是飛快,在產(chǎn)品上,晶能微電子CEO潘運(yùn)濱在去年底時(shí)透露,晶能多款產(chǎn)品將于今年裝車(chē);同時(shí)今年3月,晶能微電子宣布其自主設(shè)計(jì)研發(fā)的首款車(chē)規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)品成功流片,該款芯片采用第七代微溝槽柵和場(chǎng)截止技術(shù),具有更高功率密度和系統(tǒng)效率,同時(shí)有著高短路能力、高工作結(jié)溫以及低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn),充分匹配商用車(chē)低轉(zhuǎn)速高負(fù)荷的工作需求。

今年,9月初,晶能微電子宣布,首款SiC半橋模塊試制成功,據(jù)悉,該模塊電氣設(shè)計(jì)優(yōu)異,寄生電感5nH,采用雙面銀燒結(jié)與銅線鍵合工藝,配合環(huán)氧樹(shù)脂轉(zhuǎn)模塑封工藝,持續(xù)工作結(jié)溫達(dá)175℃,在800V電池系統(tǒng)中輸出電流有效值高達(dá)700Arms。

產(chǎn)能上晶能微電子更是大闊步前行,去年12月,吉利招標(biāo)平臺(tái)發(fā)布了一則《晶能微電子一期工廠改造項(xiàng)目監(jiān)理工程招標(biāo)公告》,意味著位于杭州錢(qián)江經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)的這個(gè)年產(chǎn)60萬(wàn)套IGBT功率模塊的項(xiàng)目正式上馬。

今年5月,晶能微電子與溫嶺新城開(kāi)發(fā)區(qū)簽訂項(xiàng)目合作協(xié)議,宣布將在溫嶺新城投資建設(shè)車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體封測(cè)基地,此次落地,晶能微電子將圍繞自有車(chē)規(guī)級(jí)功率器件系列產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和封測(cè),同步攻堅(jiān)MEMS IC等新產(chǎn)品和業(yè)務(wù),全力推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新和轉(zhuǎn)型升級(jí)的戰(zhàn)略需求。

今年6月,晶能微電子宣布完成第二輪融資,融資完成之后,在8月份,晶能微電子與錢(qián)江摩托簽署協(xié)議,以1.23億元收購(gòu)后者持有的浙江益中封裝技術(shù)有限公司100%股權(quán),據(jù)悉,益中封裝業(yè)務(wù)已穩(wěn)定運(yùn)行10年,主做單管先進(jìn)封裝,年產(chǎn)能3.6億只,收購(gòu)?fù)瓿珊螅芪㈦娮赢a(chǎn)品版圖實(shí)現(xiàn)對(duì)殼封模塊、塑封模塊和單管產(chǎn)品的全覆蓋。此外,還將持續(xù)增加投資,將現(xiàn)有產(chǎn)線逐步升級(jí)為工業(yè)級(jí)產(chǎn)品線,并新建車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品線。

長(zhǎng)城-芯動(dòng)半導(dǎo)體

想要自研功率半導(dǎo)體的還有長(zhǎng)城汽車(chē),在去年11月成立了無(wú)錫芯動(dòng)半導(dǎo)體科技有限公司,主營(yíng)業(yè)務(wù)有功率半導(dǎo)體模塊及分立器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝、測(cè)試和銷(xiāo)售。

如今,芯動(dòng)半導(dǎo)體以車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體為起點(diǎn),已完成GFM平臺(tái)750V IGBT、1200V SiC以及SFM平臺(tái)1200V SiC功率模塊產(chǎn)品開(kāi)發(fā)與驗(yàn)證。

8月17日,芯動(dòng)半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體模組封測(cè)項(xiàng)目舉行“車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊生產(chǎn)線”預(yù)驗(yàn)收儀式,并計(jì)劃在9月底完成調(diào)試后進(jìn)入小批量生產(chǎn),最快將于今年年底投入量產(chǎn)。

據(jù)悉,該項(xiàng)目總投資8億元,將建設(shè)年產(chǎn)120萬(wàn)套車(chē)規(guī)級(jí)功率器件模組項(xiàng)目,產(chǎn)品涵蓋功率半導(dǎo)體模塊、分立器件等,主要用于新能源汽車(chē)、新能源綠電、充電樁等領(lǐng)域,自首批設(shè)備入廠后,現(xiàn)已進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。

奇瑞-瑞迪微電子

奇瑞汽車(chē)旗下全資子公司奇瑞科技,持有了安徽瑞迪微電子有限公司超過(guò)56%的股份,瑞迪微電子成立于2019年6月,從事IGBT模塊及碳化硅MOS/SBD芯片的研發(fā)、封裝測(cè)試和銷(xiāo)售。

公司項(xiàng)目總投資8億元人民幣,一期投資3億元人民幣,建設(shè)高度自動(dòng)化、智能化的IGBT模塊封測(cè)生產(chǎn)線,建成后年產(chǎn)能150萬(wàn)只新能源汽車(chē)IGBT模塊,年配套60萬(wàn)臺(tái)新能源車(chē);二期擴(kuò)建后年產(chǎn)能可配套200萬(wàn)臺(tái)新能源車(chē)。

同時(shí)在碳化硅器件領(lǐng)域,瑞迪微電子在去年已與奇瑞汽車(chē)平臺(tái)及外部驅(qū)動(dòng)方案合作伙伴已展開(kāi)深度合作聯(lián)合開(kāi)發(fā),今年已啟動(dòng)導(dǎo)入驗(yàn)證,其碳化硅模塊將首先進(jìn)入奇瑞汽車(chē)供應(yīng)鏈,然后逐步開(kāi)展與其他車(chē)廠及系統(tǒng)廠商的合作,目前已準(zhǔn)備投資規(guī)劃碳化硅模塊產(chǎn)線。

第二種聯(lián)合研發(fā)模式,車(chē)企與功率半導(dǎo)體企業(yè)合資成立新企業(yè)研發(fā)功率半導(dǎo)體,這種模式風(fēng)險(xiǎn)相對(duì)較小,也是國(guó)內(nèi)多數(shù)車(chē)企的選擇。

上汽-上汽英飛凌

比如在2018年,上汽與英飛凌成立合資企業(yè)上汽英飛凌汽車(chē)功率半導(dǎo)體(上海)有限公司,總部坐落于上海浦東,工廠位于江蘇無(wú)錫,主要從事車(chē)規(guī)級(jí)IGBT功率模塊的生產(chǎn)、銷(xiāo)售、本土化的應(yīng)用服務(wù)與開(kāi)發(fā)支持。

據(jù)上汽英飛凌官方消息,上汽英飛凌已建立了先進(jìn)的自動(dòng)化生產(chǎn)線,階段性地完成了第一代和第二代產(chǎn)品的量產(chǎn),目前上汽新能源汽車(chē)的核心部件IGBT功率半導(dǎo)體模塊由上汽英飛凌全力保障供給。

上汽英飛凌基于英飛凌產(chǎn)品支持,其HybridPACK Drive功率模塊采用英飛凌最先進(jìn)的第7代IGBT/EDT2芯片和首創(chuàng)的模塊封裝技術(shù),兼具高功率密度、低能量損耗的特點(diǎn),展現(xiàn)了超越普通汽車(chē)功率模塊30%以上的功率循環(huán)能力,成為不同功率等級(jí)的新能源電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)功率半導(dǎo)體的首選產(chǎn)品,截至目前,上汽英飛凌已累計(jì)完成了超過(guò)1百萬(wàn)只IGBT功率模塊在中國(guó)市場(chǎng)的生產(chǎn)與銷(xiāo)售。

長(zhǎng)安-安達(dá)半導(dǎo)體

今年6月,長(zhǎng)安旗下的深藍(lán)汽車(chē),與斯達(dá)半導(dǎo)體組建了一家名為“重慶安達(dá)半導(dǎo)體有限公司”的全新合資公司,雙方將圍繞車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊開(kāi)展合作,共同推進(jìn)下一代功率半導(dǎo)體在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的商業(yè)化應(yīng)用。

深藍(lán)汽車(chē)計(jì)劃在2025年前陸續(xù)推出共計(jì)6款產(chǎn)品,力爭(zhēng)五年內(nèi)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)銷(xiāo)突破100萬(wàn)輛;而斯達(dá)半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē)大功率車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊的主要供應(yīng)商,2022年斯達(dá)半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)模塊配套超過(guò)120萬(wàn)輛新能源汽車(chē)。

雙方的合作,一方面將增強(qiáng)深藍(lán)汽車(chē)的供應(yīng)鏈垂直整合能力,為深藍(lán)汽車(chē)達(dá)成百萬(wàn)級(jí)戰(zhàn)略銷(xiāo)量目標(biāo)提供扎實(shí)支撐;另一方面還將加速雙方在“產(chǎn)研供需”方面的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ),合力打造高品質(zhì)產(chǎn)品。

今年5月,斯達(dá)半導(dǎo)體重慶車(chē)規(guī)級(jí)模塊生產(chǎn)基地項(xiàng)目簽約落戶西部科學(xué)城,總投資4億元,實(shí)現(xiàn)主控制器用大功率車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊、車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET模塊研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,該項(xiàng)目擬實(shí)現(xiàn)模塊生產(chǎn)100萬(wàn)片,計(jì)劃2023年購(gòu)地建設(shè),2024年產(chǎn)能爬坡,2025年達(dá)產(chǎn)。

廣汽-青藍(lán)半導(dǎo)體

廣汽集團(tuán)旗下子公司則與株洲中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體在2022年合資成立了廣州青藍(lán)半導(dǎo)體有限公司,主要圍繞新能源汽車(chē)自主IGBT開(kāi)展技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

該項(xiàng)目投資總額約為4.63億元人民幣,分兩期投資,一期規(guī)劃產(chǎn)能為年產(chǎn)30萬(wàn)只汽車(chē)IGBT模塊,計(jì)劃2023年投產(chǎn);二期規(guī)劃產(chǎn)能為年產(chǎn)30萬(wàn)只汽車(chē)IGBT模塊,計(jì)劃2025年投產(chǎn),項(xiàng)目全部完成后,可實(shí)現(xiàn)總產(chǎn)能60萬(wàn)只IGBT/年。

f4849166-7781-11ee-9788-92fbcf53809c.png

據(jù)消息,今年5月,青藍(lán)半導(dǎo)體廠房?jī)艋こ碳皬S務(wù)系統(tǒng)建設(shè)項(xiàng)目工藝設(shè)備順利移入,可見(jiàn)項(xiàng)目工期順利,預(yù)計(jì)可按計(jì)劃在今年實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)。

東風(fēng)-智新半導(dǎo)體

還有在2019 年,東風(fēng)公司與中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體攜手成立智新半導(dǎo)體有限公司,開(kāi)始自主研發(fā)、生產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)IGBT 模塊,在2021 年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)30萬(wàn)只的 IGBT 生產(chǎn)線在武漢市東風(fēng)新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)園正式投產(chǎn)。

智新半導(dǎo)體碳化硅功率模塊也在2021年1月立項(xiàng),將從今年開(kāi)始搭載東風(fēng)自主新能源乘用車(chē),實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉,該模塊能推動(dòng)新能源汽車(chē)電氣架構(gòu)從 400V 到 800V 的迭代,從而實(shí)現(xiàn) 10 分鐘充電 80%,并進(jìn)一步提升車(chē)輛續(xù)航里程,降低整車(chē)成本。

此外,東風(fēng)汽車(chē)總投資 2.8 億元的功率模塊二期項(xiàng)目也在加速推進(jìn)中,該項(xiàng)目一方面優(yōu)化現(xiàn)有產(chǎn)線,提高IGBT模塊產(chǎn)量,另一方面開(kāi)辟兩條全新產(chǎn)線,按訂單需求生產(chǎn)IGBT模塊及碳化硅功率模塊,到2025年,每年可為東風(fēng)新能源汽車(chē)生產(chǎn)提供約120萬(wàn)只功率模塊。

理想-斯科半導(dǎo)體

2022年3月,理想汽車(chē)關(guān)聯(lián)公司與三安半導(dǎo)體成立了斯科半導(dǎo)體公司,布局車(chē)用SiC芯片及模塊市場(chǎng)。

今年5月,三安光電在其2022年年度報(bào)告中稱,蘇州斯科半導(dǎo)體規(guī)劃“年產(chǎn)240萬(wàn)只碳化硅半橋功率模塊項(xiàng)目”基礎(chǔ)建設(shè)已完成,設(shè)備正陸續(xù)入廠,已進(jìn)入安裝調(diào)試階段,待產(chǎn)線通線后進(jìn)入試生產(chǎn)。按原計(jì)劃,2024年正式投產(chǎn)后預(yù)計(jì)產(chǎn)能將逐步提升并最終達(dá)到240萬(wàn)只碳化硅半橋功率模塊的年生產(chǎn)能力。

第三種戰(zhàn)略投資模式在業(yè)內(nèi)已經(jīng)司空見(jiàn)慣,車(chē)企投資功率半導(dǎo)體企業(yè)或是培養(yǎng)潛在供應(yīng)商,保障未來(lái)功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈,或是為了增強(qiáng)自身在功率電子和逆變器等方面技術(shù)的領(lǐng)先性,甚至只是擴(kuò)充自己的投資版圖,目前幾乎所有主流車(chē)企或多或少都有所涉足。

如就在10月24日,中芯集成公告投資設(shè)立芯聯(lián)動(dòng)力科技(紹興)有限公司,注冊(cè)資本5億元,芯聯(lián)動(dòng)力將是車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)制造及模組封裝的一站式系統(tǒng)解決方案提供者。

芯聯(lián)動(dòng)力的股東陣容可謂豪華,集結(jié)了多家中外新能源企業(yè)、車(chē)企以及半導(dǎo)體企業(yè),除中心集成以外,還包括上汽集團(tuán)旗下的尚頎資本和恒旭資本,小鵬汽車(chē)旗下的星航資本,寧德時(shí)代旗下的晨道投資,立訊精密旗下的立翎基金,博世旗下的博原資本,陽(yáng)光電源則是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的光伏企業(yè)。

中芯集成是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模碳化硅MOS量產(chǎn)的公司,車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅 MOS產(chǎn)品出貨量為國(guó)內(nèi)大幅領(lǐng)先,截至2023年6月底,具備2000片/月(6英寸)產(chǎn)能,此次投資,也是上汽和小鵬兩家車(chē)企在碳化硅模塊上的先導(dǎo)布局。

上汽尚頎資本表示,碳化硅功率產(chǎn)品正處于行業(yè)爆發(fā)的前夜,芯聯(lián)動(dòng)力作為全球領(lǐng)先的碳化硅功率器件供應(yīng)商,具有豐富的功率器件量產(chǎn)開(kāi)發(fā)及質(zhì)量管控經(jīng)驗(yàn),很好的契合尚頎資本在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的布局;星航資本提到,小鵬汽車(chē)是國(guó)內(nèi)首家量產(chǎn)800V碳化硅高壓平臺(tái)車(chē)型的車(chē)企,也在持續(xù)關(guān)注國(guó)內(nèi)優(yōu)質(zhì)的碳化硅企業(yè),而芯聯(lián)動(dòng)力在主驅(qū)逆變碳化硅芯片、模塊等方面的研發(fā)加速推動(dòng)了碳化硅產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)化,未來(lái)雙方將推動(dòng)芯聯(lián)動(dòng)力持續(xù)為全國(guó)乃至全球的用戶提供優(yōu)質(zhì)“中國(guó)芯”。

再比如今年9月,沃爾沃汽車(chē)集團(tuán)投資臻驅(qū)科技,將主要圍繞碳化硅功率模塊及電控整機(jī)的應(yīng)用展開(kāi)深入研究;還有如瞻芯電子,在其投資者名單中便有上汽、廣汽、北汽、小鵬、小米的身影,事實(shí)上近年來(lái)國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)的許多功率半導(dǎo)體新玩家,它們背后大都有車(chē)企的支持,或多或少,或慢或快,一眾車(chē)企都在不可抑制的卷入到這場(chǎng)“旋渦”之中。

了解更多車(chē)企在功率模塊上的布局,以及現(xiàn)在的產(chǎn)能應(yīng)用情況等信息,歡迎加入艾邦的碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈交流群,和產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)一起交流進(jìn)步,掃描以下二維碼即可加入產(chǎn)業(yè)鏈微信群及通訊錄。

?

布局功率半導(dǎo)體是車(chē)企未來(lái)能否生存的關(guān)鍵

中國(guó)的車(chē)企活的并不容易!

就在10月10日,威馬汽車(chē)突然申請(qǐng)破產(chǎn)重整,作為國(guó)內(nèi)最早一批的造車(chē)新勢(shì)力之一,威馬汽車(chē)曾穩(wěn)居造車(chē)新勢(shì)力頭部梯隊(duì),2018年,威馬汽車(chē)交付量排名行業(yè)第二,如今在燒光300多億元后卻難以為繼,也讓我們看到了造車(chē)企業(yè)背后的艱難。

近年來(lái)我國(guó)汽車(chē)銷(xiāo)售總額連年上升,據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局發(fā)布的8月數(shù)據(jù),1-7月汽車(chē)制造業(yè)總體營(yíng)收53148.4億元,同比增長(zhǎng)11.8%,但與之對(duì)應(yīng)的,利潤(rùn)總額只有2583.1億元,同比增長(zhǎng)僅1%,應(yīng)收規(guī)模增長(zhǎng),利潤(rùn)卻在停滯,車(chē)企做的越多,虧得越多。

事實(shí)上這并非是近期才發(fā)生的事情,以國(guó)內(nèi)6家頭部車(chē)企比亞迪、吉利、長(zhǎng)城、上汽、長(zhǎng)安、廣汽的經(jīng)營(yíng)狀況為例,從2018年至今,其營(yíng)收規(guī)模增長(zhǎng)了超過(guò)30%,利潤(rùn)反而下降了37%,相當(dāng)于利潤(rùn)率下滑了42%。

f4b4e88e-7781-11ee-9788-92fbcf53809c.png

圖源:《中國(guó)汽車(chē)再洗牌,誰(shuí)會(huì)下牌桌?》

這種反?,F(xiàn)象背后的原因,在于中國(guó)汽車(chē)市場(chǎng)太“卷”了,各種激烈的“價(jià)格戰(zhàn)”頻繁出現(xiàn)在新聞中,整個(gè)汽車(chē)行業(yè)的利潤(rùn)率從2019年開(kāi)始就已經(jīng)維持在極低的水平,甚至長(zhǎng)期低于4%,導(dǎo)致車(chē)企承受著巨大的經(jīng)營(yíng)壓力。

中國(guó)的汽車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)展較晚,同時(shí)市場(chǎng)又足夠大,結(jié)果就是集中度低,諸多大小車(chē)企競(jìng)爭(zhēng)十分激烈,這也是太“卷”的原因,然而這種情況不會(huì)長(zhǎng)期持續(xù)下去,參照歐美發(fā)達(dá)國(guó)家市場(chǎng),它們的汽車(chē)品牌數(shù)量一般不超過(guò)10家,如日本,形成以豐田、本田、日產(chǎn)為首的“三大三小”格局;韓國(guó)更是基本只?,F(xiàn)代這一家車(chē)企。

但根據(jù)瑞銀中國(guó)的統(tǒng)計(jì),我國(guó)市場(chǎng)共有148家車(chē)企,這導(dǎo)致了消費(fèi)力分散,車(chē)企無(wú)法實(shí)現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益,越賣(mài)越虧損,因此有機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì),未來(lái)中國(guó)車(chē)企的集中度會(huì)顯著提高,到2030年左右,數(shù)量會(huì)縮減至十幾家。

這意味著未來(lái)幾年眾多車(chē)企都需要努力爭(zhēng)奪這少數(shù)的幸存名額,而能否脫穎而出,無(wú)非是看車(chē)企的自身競(jìng)爭(zhēng)力,包括技術(shù)創(chuàng)新能力、產(chǎn)品質(zhì)量、市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)以及服務(wù)體驗(yàn)等方面,而對(duì)功率半導(dǎo)體的布局無(wú)疑是提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵一步。

功率半導(dǎo)體涉及三電核心性能,價(jià)值量巨大,車(chē)企加碼車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體,一方面可以提升車(chē)輛性能,提供消費(fèi)者更高質(zhì)量的產(chǎn)品,從而增強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力;另一方面滿足技術(shù)的自主可控需求,當(dāng)前功率半導(dǎo)體的核心技術(shù)依然由歐美日企業(yè)主導(dǎo),借由布局,車(chē)企可以加強(qiáng)自身的技術(shù)儲(chǔ)備和自主研發(fā)能力,在產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中獲取更多的話語(yǔ)權(quán),減少對(duì)外依賴。

最后布局功率半導(dǎo)體還能保障供應(yīng)鏈的安全,盡管目前大部分的汽車(chē)芯片供應(yīng)都已經(jīng)逐漸恢復(fù)正常,但芯片市場(chǎng)本身就有周期性波動(dòng)的特征,隨著電動(dòng)汽車(chē)數(shù)量的快速增長(zhǎng),未來(lái)幾年如功率半導(dǎo)體等芯片短缺的風(fēng)險(xiǎn)也在急劇增加,這令一眾車(chē)企根本無(wú)法放松神經(jīng)。

事實(shí)上,根據(jù)國(guó)信證券的調(diào)研,近期功率半導(dǎo)體的交期正在拉長(zhǎng),IGBT的交期在7-8月企穩(wěn)后,9月有所拉長(zhǎng),保持在39周左右;低壓MOSFET產(chǎn)品交期則經(jīng)五月調(diào)整后企穩(wěn),高壓MOSFET產(chǎn)品交期自2月開(kāi)始松動(dòng),6-8月保持在24.6周左右,9月交期逐步拉長(zhǎng)至27周。

對(duì)于車(chē)企而言,想必絕對(duì)不想再次經(jīng)歷2021年左右連車(chē)鑰匙芯片都湊不齊的窘境,如果因?yàn)槿毙緦?dǎo)致減產(chǎn)停產(chǎn),而在未來(lái)幾年這場(chǎng)生存競(jìng)爭(zhēng)中失敗,那將是車(chē)企無(wú)法承擔(dān)的結(jié)果,所以即使花費(fèi)大價(jià)錢(qián)也必須要保障芯片供應(yīng)安全。

中國(guó)是最大的新能源汽車(chē)市場(chǎng),也是全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng),車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體將是未來(lái)新能源市場(chǎng)發(fā)展受益最大的細(xì)分領(lǐng)域之一,車(chē)企想要脫穎而出展翅高飛,功率半導(dǎo)體是繞不開(kāi)的話題,其關(guān)乎著整車(chē)成本控制、核心技術(shù)掌握與供應(yīng)鏈能力,是未來(lái)車(chē)企生死存亡的關(guān)鍵,因此一眾車(chē)企義無(wú)反顧的投入到車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)中也就不難理解了。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電動(dòng)汽車(chē)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    156

    文章

    12427

    瀏覽量

    234629
  • 模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    2788

    瀏覽量

    50425
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1278

    文章

    4071

    瀏覽量

    254625
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3226

    瀏覽量

    65290
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    Testin云測(cè)攜手頭部車(chē)構(gòu)建智能座艙AI測(cè)試體系

    在汽車(chē)產(chǎn)業(yè)智能化轉(zhuǎn)型的浪潮中,某頭部車(chē)以行業(yè)引領(lǐng)者的姿態(tài)深度布局技術(shù)創(chuàng)新,持續(xù)探索 AI 在智能座艙領(lǐng)域的應(yīng)用邊界。該車(chē)作為總市值超 1900 億元、員工規(guī)模破萬(wàn)且在全國(guó)多地
    的頭像 發(fā)表于 06-26 14:57 ?329次閱讀

    硅基時(shí)代的黃昏:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT?

    革命性替代:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT? —— 當(dāng)效率差距跨越臨界點(diǎn),IGBT被淘汰便是唯一結(jié)局 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 05-30 16:24 ?317次閱讀
    硅基時(shí)代的黃昏:為何<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET全面淘汰<b class='flag-5'>IGBT</b>?

    部分外資廠商IGBT模塊失效報(bào)告作假對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響

    部分IGBT模塊廠商失效報(bào)告作假的根本原因及其對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響,可以從技術(shù)、商業(yè)、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)等多維度分析,并結(jié)合中國(guó)功率
    的頭像 發(fā)表于 05-23 08:37 ?279次閱讀
    部分外資廠商<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>失效報(bào)告作假對(duì)中國(guó)功率<b class='flag-5'>模塊</b><b class='flag-5'>市場(chǎng)</b>的深遠(yuǎn)影響

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

    國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(
    的頭像 發(fā)表于 05-18 14:52 ?330次閱讀
    國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅功率<b class='flag-5'>模塊</b>全面取代進(jìn)口<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>的必然性

    SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來(lái)顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)

    SiC MOSFET模塊(BMF80R12RA3和BMF160R12RA3)能夠替代傳統(tǒng)IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè),主要原因在于: S
    的頭像 發(fā)表于 04-12 13:23 ?371次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>模塊</b>革掉<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>來(lái)顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)

    中國(guó)電力電子客戶不再迷信外資品牌的IGBT模塊SiC模塊

    中國(guó)電力電子客戶逐漸擺脫對(duì)國(guó)外IGBT模塊(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC功率模塊供應(yīng)商的依賴,轉(zhuǎn)向國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品IGBT
    的頭像 發(fā)表于 03-28 09:50 ?327次閱讀

    國(guó)產(chǎn)SiC模塊如何應(yīng)對(duì)25年英飛凌富士IGBT模塊瘋狂的價(jià)格絞殺戰(zhàn)

    這場(chǎng)價(jià)格絞殺戰(zhàn)。以下從市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)背景、國(guó)產(chǎn)SiC模塊的應(yīng)對(duì)策略及未來(lái)展望展開(kāi)深度分析: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 03-21 07:00 ?477次閱讀

    BTP1521P解決IGBT模塊升級(jí)SiC模塊的正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓

    基本股份)在成本上逐漸與進(jìn)口IGBT模塊持平。這推動(dòng)了國(guó)產(chǎn)SiC模塊在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的廣泛應(yīng)用,加速了對(duì)進(jìn)口I
    的頭像 發(fā)表于 02-13 19:19 ?446次閱讀
    BTP1521P解決<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>升級(jí)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>模塊</b>的正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓

    高頻感應(yīng)電源國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對(duì)比

    傾佳電子楊茜以50KW高頻感應(yīng)電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對(duì)比: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)Si
    的頭像 發(fā)表于 02-10 09:41 ?417次閱讀
    高頻感應(yīng)電源國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>模塊</b>替代英飛凌<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>損耗計(jì)算對(duì)比

    高頻電鍍電源國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比

    傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)Si
    的頭像 發(fā)表于 02-09 20:17 ?544次閱讀
    高頻電鍍電源國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>模塊</b>替代富士<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>損耗對(duì)比

    SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

    BASiC國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
    發(fā)表于 01-16 14:32 ?1次下載

    SiC模塊封裝技術(shù)解析

    較多的闡述,比如IGBT模塊可靠性設(shè)計(jì)與評(píng)估,功率器件IGBT模塊封裝工藝技術(shù)以及IGBT封裝技術(shù)探秘都比較詳細(xì)的闡述了功率
    的頭像 發(fā)表于 01-02 10:20 ?1048次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>模塊</b>封裝技術(shù)解析

    下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)——環(huán)氧灌封技術(shù)

    的影響 引線框架氧化對(duì)模塊分層的影響 去溢料的過(guò)程對(duì)模塊分層的影響 在之前,國(guó)內(nèi)絕大多數(shù)功率器件IGBT SiC模塊廠家采用傳統(tǒng)硅膠灌封方式
    的頭像 發(fā)表于 12-30 09:10 ?1289次閱讀
    下一代主流<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)——環(huán)氧灌封技術(shù)

    應(yīng)用筆記 | SiC模塊并聯(lián)驅(qū)動(dòng)振蕩的抑制方法

    市場(chǎng)的重要課題之一。 本應(yīng)用筆記將介紹有效抑制功率模塊振蕩的方法。 基礎(chǔ)理論 基礎(chǔ)理論分別為各位工程師詳細(xì)介紹振蕩發(fā)生的機(jī)制、振蕩抑制的想法(改善相位差)、影響相位裕量的實(shí)際參數(shù)三
    發(fā)表于 11-27 14:23

    揭秘安森美在SiC市場(chǎng)的未來(lái)布局

    地普及到更多的電動(dòng)汽車(chē)上。SiC市場(chǎng)面臨哪些機(jī)遇?安森美(onsemi)在SiC市場(chǎng)的未來(lái)布局如何?一起來(lái)看下。
    的頭像 發(fā)表于 11-15 10:35 ?802次閱讀