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過(guò)壓的常見(jiàn)來(lái)源 常用的過(guò)電壓保護(hù)方法

CHANBAEK ? 來(lái)源:硬件系統(tǒng)架構(gòu)師 ? 作者:Timothy ? 2023-10-26 14:51 ? 次閱讀
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引言:每個(gè)電子元器件都都有其額定電壓,任何高于額定最大電壓的電壓都會(huì)導(dǎo)致器件損壞或降低其性能,從而導(dǎo)致系統(tǒng)故障。因此通過(guò)增加過(guò)壓保護(hù)來(lái)避免器件承受這些更高的電壓,基本核心是將這過(guò)電壓與下游設(shè)備隔離,或?qū)⑤敵鲢Q位到一個(gè)安全電壓。

1.過(guò)壓的常見(jiàn)來(lái)源

施加于電子元器件的過(guò)電壓可能超過(guò)其內(nèi)部器件結(jié)構(gòu)的雪崩擊穿電壓,從而導(dǎo)致電流過(guò)大,這種過(guò)度的電流會(huì)嚴(yán)重削弱、損壞整個(gè)器件或使器件過(guò)熱。

對(duì)低功耗和低成本的需求的增加推動(dòng)了技術(shù)的改進(jìn),許多半導(dǎo)體器件現(xiàn)在在較低的電壓范圍內(nèi)運(yùn)行。降低單個(gè)器件的電壓可以降低系統(tǒng)的整體功耗,從而提高電池壽命,提高效率,并間接降低成本(系統(tǒng)耗電更少),此外低壓器件的制造成本比高壓器件更低。然而隨著功率效率的提高和成本的降低,也帶來(lái)了一個(gè)副作用--->增加了器件對(duì)過(guò)電壓條件的敏感性。

過(guò)電壓有兩種類(lèi)型:瞬態(tài)過(guò)電壓和連續(xù)過(guò)電壓,瞬態(tài)過(guò)電壓通常是由靜電放電ESD、瞬態(tài)電變化、熱插拔等產(chǎn)生的電壓振鈴或來(lái)自附近電源轉(zhuǎn)換器的感應(yīng)開(kāi)關(guān)浪涌引起的。瞬態(tài)過(guò)電壓可以接近千伏,但通常持續(xù)時(shí)間很短,例如ESD事件可以持續(xù)60-100ns,而浪涌事件可以持續(xù)約20us。室外的電信設(shè)備可能暴露在閃電沖擊中--->另一種形式的瞬態(tài)過(guò)電壓,浪涌脈沖可以比常規(guī)電壓高一個(gè)數(shù)量級(jí)。這些系統(tǒng)需要特殊的保護(hù)要求,因?yàn)殚W電瞬變的強(qiáng)度和持續(xù)時(shí)間都更為嚴(yán)重。

連續(xù)過(guò)電壓是指長(zhǎng)時(shí)間持續(xù)存在的過(guò)電壓狀態(tài)和無(wú)限期的應(yīng)激系統(tǒng),上游電源、電壓調(diào)節(jié)器、轉(zhuǎn)換器故障或?qū)⒉患嫒莸倪m配器插入系統(tǒng),都可能導(dǎo)致連續(xù)過(guò)電壓。

2. 常用的過(guò)電壓保護(hù)方法

對(duì)于以上兩種類(lèi)型的過(guò)電壓,有幾種不同的過(guò)電壓保護(hù)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

對(duì)瞬態(tài)過(guò)電壓條件的保護(hù)

由于瞬態(tài)過(guò)電壓條件的持續(xù)時(shí)間較短,因此任何保護(hù)方案的響應(yīng)時(shí)間都必須足夠快,以盡量減少下游電路受應(yīng)力時(shí)間。ESD二極管、瞬態(tài)電壓抑制器TVS管和齊納二極管可以將瞬態(tài)過(guò)電流引導(dǎo)到地平面,并箝位瞬態(tài)過(guò)電壓,使下游負(fù)載保持在安全工作區(qū)域內(nèi)。

金屬氧化物電敏電阻MOVs也可以抑制瞬態(tài)過(guò)電壓,比ESD二極管、TVSs和Zener二極管能吸收更多的能量,但響應(yīng)時(shí)間較慢。TVS可以在ns內(nèi)響應(yīng),而MOV在us內(nèi)響應(yīng),因此ESD二極管和TVS被用于低壓電路,而MOV為交流電源或高壓直流級(jí)提供更好的保護(hù)。

防止連續(xù)過(guò)電壓條件

雖然瞬態(tài)過(guò)電壓保護(hù)方案可以快速響應(yīng)瞬態(tài)過(guò)電壓,但它們不適合連續(xù)過(guò)電壓狀況,連續(xù)過(guò)電壓特點(diǎn)是持續(xù)時(shí)間更長(zhǎng)。畢竟MOV、ESD二極管、TVS和Zener在失效前只能鉗制和耗散一定數(shù)量的能量。為了防止連續(xù)過(guò)電壓,有兩種常見(jiàn)的方法:過(guò)電壓鎖定和過(guò)壓箝位。

過(guò)電壓鎖定

過(guò)電壓鎖定(也稱(chēng)為輸出電壓截止)是兩者中更簡(jiǎn)單和更常見(jiàn)的保護(hù)方案,具有過(guò)電壓鎖定功能的電源開(kāi)關(guān)通常有一個(gè)OVLO引腳,通過(guò)一個(gè)可配置的電阻分壓器監(jiān)測(cè)輸入電壓軌。一旦OVLO引腳的電壓超過(guò)一定閾值,內(nèi)部比較器關(guān)閉通過(guò)MOSFET,圖4-1是過(guò)電壓鎖定電路實(shí)現(xiàn)的典型簡(jiǎn)圖。

圖片

圖4-1:過(guò)電壓鎖定方框圖

對(duì)于連續(xù)過(guò)電壓保護(hù),需要更快的響應(yīng)時(shí)間和穩(wěn)健的保護(hù),以確保下游負(fù)載不會(huì)長(zhǎng)時(shí)間暴露在過(guò)電壓環(huán)境下。例如eFuse可以對(duì)3us范圍內(nèi)的過(guò)電壓條件進(jìn)行響應(yīng)。只要輸入電壓超過(guò)設(shè)定的過(guò)電壓鎖定閾值,過(guò)電壓鎖定電源開(kāi)關(guān)就將保持關(guān)閉狀態(tài),一旦輸入電壓降到閾值以下,開(kāi)關(guān)就會(huì)重新打開(kāi)。

圖4-2顯示了eFuse的過(guò)電壓鎖定操作。過(guò)電壓鎖定設(shè)定點(diǎn)為17V,對(duì)12V標(biāo)稱(chēng)工作電壓施加18V的過(guò)電壓。一旦輸入電壓上升到設(shè)定的閾值以上,內(nèi)部場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET就會(huì)關(guān)閉,Vout緩慢下降,在FET關(guān)閉后,F(xiàn)LT會(huì)發(fā)出故障信號(hào)。

圖片

圖4-2:eFuse的過(guò)電壓鎖定響應(yīng)

過(guò)電壓鉗位

當(dāng)系統(tǒng)中出現(xiàn)短暫過(guò)電壓情況時(shí),過(guò)電壓鉗位是另一種響應(yīng)保護(hù)方式,在短暫過(guò)壓事件期間,有的系統(tǒng)需要持續(xù)保持工作,所以最好不要中斷下游負(fù)載,此時(shí)過(guò)電壓鉗位功能可以將輸出電壓夾在一個(gè)安全水平,而不是切斷系統(tǒng)電壓。在以下場(chǎng)景,可能會(huì)發(fā)生臨時(shí)過(guò)電壓:

1:上游低開(kāi)關(guān)頻率DC/DC轉(zhuǎn)換器的負(fù)載突然跌落(波動(dòng))。

2:上游DC/DC轉(zhuǎn)換器在輕負(fù)載下以脈沖頻率調(diào)制工作。

3:負(fù)載由多輸出反激式轉(zhuǎn)換器的不受調(diào)節(jié)的次級(jí)繞組供電。

這些事件的持續(xù)時(shí)間可以從幾十us到數(shù)百u(mài)s不等。

當(dāng)輸入電壓超過(guò)某一閾值時(shí),內(nèi)部鉗位激活并將輸出電壓限制在設(shè)定值,如圖4-3所示,從而確保了電源在仍然為負(fù)載供電的同時(shí),系統(tǒng)不會(huì)暴露在輸入電源處存在的高電壓下。

圖片

圖4-3:過(guò)壓鉗位方框圖

只要在輸入上存在過(guò)電壓,輸出電壓將被鉗位到設(shè)定值,當(dāng)輸入下降到輸出箝位閾值以下時(shí),箝位將釋放并繼續(xù)正常工作。在輸入過(guò)電壓條件下,調(diào)節(jié)MOSFET的柵極以降低額外的電壓并箝位輸出電壓。MOSFET中的功耗是通過(guò)它的電壓降與流過(guò)的電流的乘積,如下式所示:

圖片

輸入過(guò)電壓和負(fù)載電流越高,為保持輸出電壓恒定,在MOSFET中耗散的功率就越高,因此內(nèi)部MOSFET可能會(huì)有明顯的發(fā)熱和器件結(jié)溫升高。如果過(guò)電壓狀態(tài)持續(xù)存在,可能會(huì)發(fā)生熱關(guān)斷,即器件停止工作并斷開(kāi)電源上的負(fù)載,此時(shí)器件將保持閉鎖狀態(tài)或啟動(dòng)自動(dòng)重試循環(huán)直到溫度降低。

此外快速反應(yīng)有可能降低或消除對(duì)外部TVS和齊納二極管等器件保護(hù)的依賴(lài),例如具有快速過(guò)壓保護(hù)的eFuse的輸出鉗位響應(yīng)時(shí)間為5us。圖4-4顯示了快速eFuse的過(guò)壓鉗位工作波形,該系統(tǒng)的過(guò)壓鉗值設(shè)置為5.7V,對(duì)5V標(biāo)稱(chēng)工作電壓施加8V的過(guò)電壓,一旦輸入電壓超過(guò)5.7V閾值,則調(diào)節(jié)內(nèi)部FET的柵極以鎖定輸出電壓在5.7V。

圖片

圖4-4:具有快速過(guò)壓保護(hù)的eFuse過(guò)壓鉗位響應(yīng)

3. 結(jié)論

為了可靠地保護(hù)電源傳輸路徑,過(guò)電壓保護(hù)非常重要,不同的系統(tǒng)測(cè)試用例要求在過(guò)電壓條件下有不同的響應(yīng),如過(guò)電壓鎖定或過(guò)電壓箝位。而具有集成過(guò)電壓保護(hù)的eFuse器件則提供了靈活、快速和緊湊的保護(hù)方案。

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