99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

麥肯錫:8英寸SiC晶圓市場滲透率即將和6英寸持平

第三代半導體產(chǎn)業(yè) ? 來源:艾邦半導體網(wǎng) ? 2023-10-26 09:21 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電動汽車采用率的不斷提高正在推動對關鍵碳化硅電力電子元件的需求。半導體企業(yè)、汽車原始設備制造商和其他企業(yè)要如何在混亂中創(chuàng)造價值?

電動汽車(EV)市場預計到2030年將以20%的復合年增長率增長,屆時xEV的銷量預計將達到6400萬輛,是2022年電動汽車預計銷量的四倍。確保電動汽車元件供應足以滿足這一快速增長的預計需求至關重要,碳化硅(SiC)的供應值得特別考慮。最近麥肯錫發(fā)布相關報告做了分析說明。

電動汽車動力系統(tǒng)(主要是逆變器,也包括DC-DC轉(zhuǎn)換器和車載充電器)中使用的碳化硅MOSFET與硅基器件相比,具有更高的開關頻率、熱阻和擊穿電壓。這些差異有助于提高動力系統(tǒng)的效率(延長車輛行駛里程)和降低系統(tǒng)總成本(減少電池容量和熱管理要求)。這些優(yōu)勢在電池電動汽車(BEV)所需的更高電壓下得到放大,預計到2030年,大多數(shù)電動汽車都將采用這種電壓。

在本文中,麥肯錫探討了SiC制造商、汽車原始設備制造商和其他企業(yè)應如何抓住電動汽車市場預計增長激增的內(nèi)在機遇,創(chuàng)造價值并獲得競爭優(yōu)勢。

預計到2030年電動汽車和碳化硅市場將大幅增長

從2018年到2022年的預計,2030年電動汽車在全球輕型汽車市場的份額將增長3.8倍,從約1700萬輛增至6400萬輛(見圖1)。在許多國家,電動汽車的總擁有成本(TCO)預計將在2024年或2025年達到與內(nèi)燃汽車(ICE)持平的水平,同時,作為實現(xiàn)凈零排放目標的一部分,對電動汽車和充電基礎設施采取了監(jiān)管措施并進行了投資,這些都推動了這一增長。

9270d246-7326-11ee-939d-92fbcf53809c.png

目前,SiC器件市場價值約為20億美元,預計到2030年將達到110億至140億美元,年復合增長率約為26%(見圖2)。鑒于電動汽車銷量的激增以及碳化硅對逆變器的極高適用性,預計70%的碳化硅需求將來自電動汽車。中國是預計電動汽車需求量最大的國家,預計將占電動汽車生產(chǎn)對碳化硅總體需求量的40%左右。

927cdb04-7326-11ee-939d-92fbcf53809c.png

圖2

在所有電動汽車中,BEV、混合動力電動汽車(HEV)、插電式混合動力電動汽車(PHEV)、400伏或800伏的動力系統(tǒng)類型決定了SiC的效益和相對使用率。根據(jù)麥肯錫的分析,到2030年,BEV預計將占電動汽車產(chǎn)量的75%(高于2022年的50%),而HEV和PHEV將占另外的25%。此外,麥肯錫預計到2030年,800伏動力系統(tǒng)的市場滲透率將超過50%(而2022年還不到5%)。因此,麥肯錫預計碳化硅器件在未來十年將迎來重大發(fā)展機遇。

垂直整合:碳化硅市場上引人注目的商業(yè)模式

目前的碳化硅市場高度集中,只有少數(shù)幾家端到端的領先企業(yè)。事實上,SiC晶圓和器件市場的頭部兩大公司控制了大約60%至65%的SiC市場份額(見圖3)。

9290123c-7326-11ee-939d-92fbcf53809c.png

圖3

市場鼓勵垂直整合,這一點從大多數(shù)整合型龍頭企業(yè)的主導地位中可見一斑。根據(jù)麥肯錫的分析,SiC晶圓和器件制造的垂直整合可將產(chǎn)量提高5到10個百分點,利潤率提高10到15個百分點,部分原因是產(chǎn)量損失較低,部分原因是消除了流程中每一步的利潤堆疊(見圖4)。通過更好地控制設計,以及晶圓和器件制造之間的閉環(huán)反饋實現(xiàn)更快的良率提升,從而實現(xiàn)更高的良率。

92a209ec-7326-11ee-939d-92fbcf53809c.png

圖4

從戰(zhàn)略上講,垂直整合的制造商還能為汽車原始設備制造商提供更強的價值主張,因為他們有更高的供應保證,這在近期供應鏈面臨挑戰(zhàn)的情況下值得注意。同樣,垂直整合還能為晶圓生產(chǎn)商提供對沖商品化風險的手段,如硅市場上出現(xiàn)的商品化。

毫不奇怪,一些領先的制造商已經(jīng)通過并購和合作向縱向一體化發(fā)展。特別是,半導體設備制造商已經(jīng)增加了晶圓材料制造的上游能力。這包括意法半導體收購Norstel、Onsmi收購GT Advanced Technologies,以及羅姆半導體收購SiCrystal。

向8英寸晶圓過渡可帶來價格、利潤和市場優(yōu)勢

根據(jù)麥肯錫的分析,預計將從生產(chǎn)和使用六英寸晶圓過渡到八英寸晶圓,大約在2024年或2025年開始材料普及,到2030年達到50%的市場滲透率。一旦克服了技術(shù)上的挑戰(zhàn),八英寸晶圓將為制造商帶來毛利率方面的優(yōu)勢,包括減少邊緣損耗、提高自動化水平,以及充分利用硅生產(chǎn)過程中的折舊資產(chǎn)。根據(jù)麥肯錫的分析預測,這一轉(zhuǎn)變的毛利率效益約為五到十個百分點,具體取決于垂直整合的程度。

美國八英寸晶圓的批量生產(chǎn)預計將于2024年和2025年開始,屆時行業(yè)領先的制造商將陸續(xù)投產(chǎn)。此后,八英寸晶圓的產(chǎn)量預計將迅速攀升,這主要是為了應對需求和價格壓力(尤其是來自中端電動汽車原始設備制造商的需求和價格壓力),以及向八英寸碳化硅晶圓制造轉(zhuǎn)型所實現(xiàn)的成本節(jié)約。

麥肯錫的分析表明,由于產(chǎn)量較低,八英寸晶圓襯底的每平方英寸成本仍比六英寸晶圓高。不過,由于工藝產(chǎn)量的提高和新型芯片技術(shù)的出現(xiàn),預計未來十年領先制造商的差距將縮小。例如,麥肯錫發(fā)現(xiàn),與使用多線鋸的傳統(tǒng)晶片切割技術(shù)相比,激光切割技術(shù)有可能使一個單晶圓棒生產(chǎn)的晶片數(shù)量增加一倍以上。而氫分裂等先進的晶片切割技術(shù)可以進一步提高產(chǎn)量。

更多地參與碳化硅價值鏈為汽車原始設備制造商創(chuàng)造了新的優(yōu)先事項。

嚴峻的供應鏈挑戰(zhàn)、地緣政治因素、向800伏汽車的過渡,以及由此帶來的對SiC MOSFET需求的增加,都促使原始設備制造商最近擴大了對半導體和SiC采購的參與。鑒于近期供應鏈的混亂和碳化硅領域的發(fā)展,以及預期的重大技術(shù)創(chuàng)新,汽車原始設備制造商對基于碳化硅的電動汽車逆變器和底層碳化硅芯片采用了多種采購模式(見圖5)。麥肯錫的分析表明,隨著行業(yè)的成熟,OEM可能會更多地參與碳化硅的采購和逆變器的設計。這種轉(zhuǎn)變還表現(xiàn)在SiC制造商與汽車OEM之間的合作日益增多。

92b716a2-7326-11ee-939d-92fbcf53809c.png

圖5

原始設備制造商建立了大量合作關系,但很少達成排他性協(xié)議

碳化硅制造商與汽車OEM之間的合作關系包括長期供應協(xié)議、戰(zhàn)略和開發(fā)合作關系,甚至包括生產(chǎn)設施的共同投資和合資協(xié)議。麥肯錫對占2030年BEV銷量75%以上的18家汽車OEM廠商的公告進行了分析,發(fā)現(xiàn)12家OEM廠商(占2030年BEV銷量的60%以上)已經(jīng)宣布與SiC制造商建立兩個或兩個以上的合作伙伴關系。五家原始設備制造商(約占BEV銷量的15%)宣布了一項合作關系,只有一家原始設備制造商(約占BEV銷量的2%)尚未宣布與SiC制造商的合作關系。雖然本分析僅限于已宣布的合作關系,但汽車原始設備制造商通過非排他性合作關系實現(xiàn)供應鏈多樣化和安全的趨勢非常明顯(見圖6)。

92dfb47c-7326-11ee-939d-92fbcf53809c.png

圖6

原始設備制造商的高度參與表明,與原始設備制造商建立深厚關系并擁有汽車專用設備能力的現(xiàn)有和潛在碳化硅制造商將最有能力參與該行業(yè)的發(fā)展??紤]到在展示技術(shù)能力和確保獲得供應方面存在的障礙,SiC制造商在尋求確保市場份額時,不妨盡早建立合作伙伴關系。鑒于許多供應商與原始設備制造商之間的關系具有長期性,這一點尤為重要。此外,成立時間較短的碳化硅制造商可能需要盡早與原始設備制造商建立合作關系,以實現(xiàn)概念驗證并證明供應保證,從而將其設計到汽車平臺中。麥肯錫的分析表明,原始設備制造商很可能愿意與歷史較短的制造商建立多種合作關系,以開辟確保供應的新途徑。

中國原始設備制造商發(fā)出增加本地采購的信號,但領先者尚未出現(xiàn)

預計到2030年,中國仍將是最大的碳化硅市場(見圖7),增長動力主要來自消費者需求和大眾激勵措施,如電動汽車不受車牌配額限制。根據(jù)麥肯錫的研究和分析,在中國,這一市場約有三分之一是OEM,三分之二是外國原始設備制造商。

92ebbc40-7326-11ee-939d-92fbcf53809c.png

圖7

目前,非中國碳化硅制造商供應著中國80%的晶圓市場和95%以上的器件市場。然而,麥肯錫的分析表明,出于地緣政治和供應保證的考慮,中國原始設備制造商正越來越多地尋求本地供應來源。鑒于充足的產(chǎn)能和技術(shù)性能,預計到2030年,中國原始設備制造商將廣泛轉(zhuǎn)向本地供應商采購,從目前的約15%提高到約60%(見圖8)。

92f72080-7326-11ee-939d-92fbcf53809c.png

圖8

在整個碳化硅價值鏈中,從設備供應到晶圓和器件制造,再到系統(tǒng)集成,中國企業(yè)的崛起將推動中國向本地采購的轉(zhuǎn)變。中國的設備供應商已經(jīng)覆蓋了所有主要的碳化硅制造步驟,并已宣布投資提升產(chǎn)能至2027年。然而,在中國的生態(tài)系統(tǒng)中,尚未出現(xiàn)明確的供應領導者。

利益相關者如何充分利用碳化硅需求激增的機遇

電動汽車的加速普及以及碳化硅在不斷增長的電動汽車市場中日益重要的作用,對整個碳化硅價值鏈的參與者產(chǎn)生了根本性的影響。雖然沒有通過增加市場份額或創(chuàng)造價值來領先的首要戰(zhàn)略,但要在不斷變化的碳化硅市場中占據(jù)主導地位,企業(yè)必須考慮一些因素。

汽車原始設備制造商和一級供應商

定位準確的汽車原始設備制造商和一級供應商將制定與市場和同行保持一致的電動汽車和碳化硅采用計劃和時間安排。由于原始設備制造商和一級供應商的合作關系是在開發(fā)過程的早期建立的,因此根據(jù)內(nèi)部能力和發(fā)展戰(zhàn)略制定SiC逆變器和半導體供應鏈戰(zhàn)略——例如,與SiC器件制造商建立共同開發(fā)合作關系,而不是更直接的供應協(xié)議——對于確保和維持合作關系非常有利。隨著晶體管溝槽拓撲結(jié)構(gòu)和碳化硅混合逆變器設計等技術(shù)的進步,以及價值鏈的不斷變化,設計一個考慮到不確定性的整體采購戰(zhàn)略,同樣會為原始設備制造商和一級供應商提供良好的服務。

半導體元件制造商

制定碳化硅增長和投資戰(zhàn)略,與電動汽車和其他市場日益增長的碳化硅機遇保持同步,對任何處于有利地位的半導體元件制造商的前景都至關重要。通過與汽車原始設備制造商和一級供應商建立適當?shù)暮献骰锇殛P系進入市場同樣至關重要,在技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)能提升執(zhí)行和成本降低方面的持續(xù)投資也是如此——尤其是在向八英寸晶圓過渡的情況下。在整個制造價值鏈中,包括與襯底、外延和器件相關的決策,將繼續(xù)影響和左右參與者的“建設-購買-合作伙伴”決策。

碳化硅的潛在投資者

理想情況下,SiC投資理論應包括對再投資和成熟時間的評估,并與市場、價值鏈和技術(shù)動態(tài)保持一致。對于投資者來說,重要的是要考慮隨著市場的成熟,哪些企業(yè)有可能成為領導者,已宣布的產(chǎn)能是否有可能如期投產(chǎn),以及是否有機會通過戰(zhàn)略性選擇的投資進行顛覆并創(chuàng)造巨大價值。







審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電動汽車
    +關注

    關注

    156

    文章

    12427

    瀏覽量

    234628
  • 半導體
    +關注

    關注

    335

    文章

    28919

    瀏覽量

    238120
  • 晶圓
    +關注

    關注

    53

    文章

    5165

    瀏覽量

    129817
  • 逆變器
    +關注

    關注

    293

    文章

    4905

    瀏覽量

    211000
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    31

    文章

    3226

    瀏覽量

    65289

原文標題:麥肯錫:8英寸SiC晶圓市場滲透率即將和6英寸持平,中國SiC需求量將占全球40%

文章出處:【微信號:第三代半導體產(chǎn)業(yè),微信公眾號:第三代半導體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    12英寸SiC,再添新玩家

    科晶體也宣布成功研制差距12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底,并同期研制成功12英寸N型碳化硅單晶襯底;今年三月,天科合達、盛機電等也展出了其12英寸
    的頭像 發(fā)表于 05-21 00:51 ?6525次閱讀

    12英寸碳化硅襯底,又有新進展

    尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化
    的頭像 發(fā)表于 04-16 00:24 ?2037次閱讀

    環(huán)球宣布:6英寸碳化硅襯底價格趨于穩(wěn)定

    近日,環(huán)球董事長徐秀蘭表示,主流6英寸碳化硅(SiC)襯底的價格已經(jīng)穩(wěn)定,但市場反彈仍不確定。中國臺灣制造商正專注于開發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:35 ?543次閱讀

    尋求68打包發(fā)貨紙箱廠家

    大家元宵節(jié)快樂! 半導體新人,想尋求一家紙箱供應商。 用于我司成品發(fā)貨,主要是68
    發(fā)表于 02-12 18:04

    豐田合成開發(fā)出8英寸GaN單晶晶

    近日,日本豐田合成株式會社宣布了一項重大技術(shù)突破:成功開發(fā)出用于垂直晶體管的200mm(8英寸)氮化鎵(GaN)單晶晶。
    的頭像 發(fā)表于 01-23 16:46 ?833次閱讀

    馳機電8英寸碳化硅電阻式長爐順利通過客戶驗證

    近日,馳機電開發(fā)的8英寸碳化硅(SiC)電阻式長爐順利通過客戶驗證,設備穩(wěn)定性和工藝穩(wěn)定性均滿足客戶需求。 ?
    的頭像 發(fā)表于 01-09 11:25 ?556次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b>馳機電<b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b>碳化硅電阻式長<b class='flag-5'>晶</b>爐順利通過客戶驗證

    8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結(jié)構(gòu)

    隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域的廣泛應用,高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC
    的頭像 發(fā)表于 12-31 15:04 ?398次閱讀
    <b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b>單片高溫碳化硅外延生長室結(jié)構(gòu)

    天域半導體8英寸SiC制備與外延應用

    碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料之一,近20年來隨著SiC材料加工技術(shù)的不斷提升,其應用領域不斷擴大。目前SiC芯片的制備仍然以6
    的頭像 發(fā)表于 12-07 10:39 ?1278次閱讀
    天域半導體<b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b><b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>制備與外延應用

    碳化硅襯底,進化到12英寸

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當前主流的尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在
    的頭像 發(fā)表于 11-21 00:01 ?4137次閱讀
    碳化硅襯底,進化到12<b class='flag-5'>英寸</b>!

    升股份研發(fā)出可視化8英寸電阻法SiC單晶爐

     10月26日,升股份憑借其在碳化硅領域的創(chuàng)新技術(shù)引起了市場關注。據(jù)“證券時報”報道,升股份已成功研發(fā)出可視化的8英寸電阻法
    的頭像 發(fā)表于 10-29 11:13 ?1023次閱讀

    氮化鎵在劃切過程中如何避免崩邊

    9月,英飛凌宣布成功開發(fā)出全球首款12英寸(300mm)功率氮化鎵(GaN)。12英寸
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:25 ?1594次閱讀
    氮化鎵<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>在劃切過程中如何避免崩邊

    功率氮化鎵進入12英寸時代!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)提升芯片產(chǎn)能的最顯著方式,就是擴大尺寸,就像硅6英寸
    的頭像 發(fā)表于 09-23 07:53 ?6588次閱讀
    功率氮化鎵進入12<b class='flag-5'>英寸</b>時代!

    又一企業(yè)官宣已成功制備8英寸SiC

    近日,日本礙子株式會(NGK,下文簡稱日本礙子)在其官網(wǎng)宣布,已成功制備出直徑為8英寸SiC,并表示公司將于本月低在美國ICSCRM
    的頭像 發(fā)表于 09-21 11:04 ?649次閱讀

    世界先進與漢磊攜手進軍8英寸碳化硅市場

    半導體行業(yè)迎來重要合作新篇章,世界先進與漢磊科技近日宣布達成戰(zhàn)略合作協(xié)議,共同瞄準化合物半導體碳化硅(SiC8英寸圓領域,攜手推動技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造。根據(jù)協(xié)議,世界先進將斥資約5.
    的頭像 發(fā)表于 09-12 17:18 ?976次閱讀

    萬年芯:三代半企業(yè)提速,碳化硅跑步進入8英寸時代

    碳化硅市場。在江西萬年芯看來,這一趨勢預示著半導體行業(yè)即將迎來新一輪的技術(shù)革新和市場擴張。“8
    的頭像 發(fā)表于 08-16 16:48 ?995次閱讀
    萬年芯:三代半企業(yè)提速,碳化硅跑步進入<b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b>時代