毫米波雷達是推動ADAS和自動輔助駕駛發(fā)展的關鍵驅動因素，這種感知方式使得車輛能夠感知周圍環(huán)境并基于此信息做出決策，從而提高了安全性和駕駛性能。毫米波雷達雷達在面對干擾大氣和環(huán)境因素時表現(xiàn)非常強大，能夠即時測量距離、角度和速度，并生成環(huán)境的信息。

● 毫米波雷達發(fā)展趨勢

毫米波雷達技術主要用于高檔車輛，但在過去的20年里，雷達技術取得了長足的進展，第一個大規(guī)模生產(chǎn)的77GHz雷達于1998年在奔馳S級車；2011年之后更多車輛采用了標準毫米波雷達產(chǎn)品（開始普及）。目前全球毫米波雷達市場的主要驅動因素是對ADAS的需求增加，同時由NCAP要求的主動安全系統(tǒng)的需求加速增長，汽車行業(yè)目前對高精度、多功能毫米波雷達系統(tǒng)的需求增加了。

為滿足下一代雷達系統(tǒng)的需求，毫米波雷達轉向了CMOS，采用CMOS技術可以顯著增加集成密度，單芯片上的雷達發(fā)射接收器（雷達芯片SoC開始流行），設計通常包括毫米波前端、模擬基帶和數(shù)字處理，全部集成在同一芯片上，還可以包括微控制器（MCUs）、數(shù)字信號處理器（DSPs）、內(nèi)存和機器學習引擎，使得毫米波雷達能夠獨立運行，幾乎不需要外部組件，從而降低了整體BOM成本，芯片制造節(jié)點選擇是40/45nm、28nm和22nm，甚至選擇了16nm。

汽車雷達最有前途的硅技術之一是全耗盡硅絕緣體（FD-SOI），F(xiàn)D-SOI技術使得高頻雷達組件能夠集成在單一芯片上，不僅可以提高雷達系統(tǒng)的性能，還可以實現(xiàn)低功耗操作，這對于汽車應用中的功率效率至關重要。

●FD-SOI技術

毫米波雷達的任務是識別和空間定位基于質量的障礙物，包括其他車輛、自行車騎手、行人、動物，甚至固定障礙物。

分析雷達傳感器性能時的關鍵指標包括：

1）能夠探測物體的距離（范圍）

2）能夠準確分辨物體的可靠性（范圍分辨率）

3）能夠分辨物體的速度有多強（速度分辨率）

4）能夠確定物體位置和軌跡的準確度（角度分辨率）

表1：高級LRR雷達的典型性能參數(shù)

高精度和高分辨率不僅使得今天的雷達能夠進行物體探測，還能進行物體分類，為了獲得更高的精度和分辨率，需要付出更多的數(shù)據(jù)。隨著精度和分辨率的提高，數(shù)據(jù)量相應增加，這需要更多的計算能力。在管理由高精度和分辨率雷達系統(tǒng)產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)，同時保持低功耗方面，架構的選擇和使用高效CMOS技術至關重要。

使用CMOS技術設計毫米波雷達系統(tǒng)相對于傳統(tǒng)的模擬雷達收發(fā)器具有許多優(yōu)勢：

1）CMOS技術允許將多個組件（如雷達收發(fā)器、信號處理電路和控制邏輯）集成到一個芯片中，提高了雷達系統(tǒng)的分辨率和密度，使其能夠更準確、可靠地檢測物體。

2）CMOS技術通常比傳統(tǒng)的模擬雷達收發(fā)器更便宜，有助于降低雷達系統(tǒng)的總成本。通過將雷達系統(tǒng)集成到單一芯片上，SoC可以更加緊湊和高效，空間和功耗都至關重要。

評估CMOS技術在77GHz工作的汽車雷達中的適用性的一種方法是查看晶體管的速度。CMOS技術的傳輸頻率進入傳統(tǒng)上由BiCMOS工藝主導的雷達汽車市場，BiCMOS工藝在整體雷達市場中占據(jù)了2/3以上的份額。在目前用于雷達的CMOS工藝中，22nm的FD-SOI技術明顯優(yōu)于finfet和bulk技術，并且與最先進的SiGe技術相媲美。

這種技術被諸多雷達芯片制造商，如博世和Arbe，視為雷達的最先進CMOS技術，能夠提供fT > 350 GHz和Fmax > 390 GHz的晶體管，以及其他幾個獨特的優(yōu)勢，將在下一節(jié)中描述。

●FD-SOI技術的獨特特性

FD-SOI與傳統(tǒng)的體硅技術相比，具有更好的性能和更低的功耗，在設計和制造過程中具有更多的靈活性。FD-SOI晶體管具有幾個獨特特性，比如能夠在低電壓下工作、抵消PVTA（Process, Voltage, Temperature, Aging）變化、對輻射幾乎不敏感，以及表現(xiàn)出非常高的固有晶體管速度，這使其成為優(yōu)于其他RF-CMOS技術替代方案的理想選擇。

1）FD-SOI和超低電壓

由于其固有的低變異性特性和Body Bias技術，F(xiàn)D-SOI能夠在非常低的供電電壓下工作，甚至可以達到0.4V或更低，這使其成為對功耗非常關鍵的應用的理想技術。降低供電電壓可以減少動態(tài)功耗，這是與其他技術相比的獨特優(yōu)勢，允許在功耗比性能更為重要的應用中更高效地使用電能。

2）FD-SOI和軟錯誤率

FD-SOI以其高抗高能粒子的特性而聞名，高能粒子可能導致電子器件出現(xiàn)軟錯誤。這是因為在FD-SOI中，活動器件區(qū)域與基底之間由薄薄的絕緣層（稱為Box）隔開。埋藏的氧化物層降低了器件對在基底中產(chǎn)生的電荷的敏感性，使其不太可能發(fā)生軟錯誤。這使FD-SOI成為諸如先進駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和自動駕駛系統(tǒng)（AD）等對安全性要求極高的應用的理想技術。

3）FD-SOI和Body Bias

Body Bias允許在制造后對器件的閾值電壓進行控制，在汽車應用中是一個非常有用的工具，并且已經(jīng)在許多消費者和汽車產(chǎn)品中廣泛使用，用于PVTA補償。通過在產(chǎn)品中實施體偏壓，可以達到顯著減少工藝、電壓、溫度和老化變化的目標，簡化產(chǎn)品工程師確保產(chǎn)品規(guī)格在1 ppm以下的任務。在數(shù)字方面，最近開發(fā)了新的自適應技術ABB，允許應用設計在廣泛的工作條件下（如溫度、制造變異性和供電電壓）維持目標操作頻率。構能夠使22nm FD-SOI技術的處理器能效提高30％，并將操作頻率提高450％。

4）FD-SOI和模擬/射頻

隨著速度、噪聲、功耗、漏電和變異性目標變得越來越難以實現(xiàn)，F(xiàn)D-SOI技術通過提供改進的晶體管匹配度、增益和寄生參數(shù)，簡化了模擬和射頻模塊的設計。將盡可能多的模擬/射頻功能組合到單一的RF-CMOS硅平臺中對于成本和功耗效率而言變得更加重要，但是RF-CMOS平臺在頻率上的增加，特別是在毫米波頻譜中，面臨著越來越多的困難。FinFET結構具有更多的架構限制，因此在這個頻率范圍內(nèi)通常使用SiGe-Bipolar平臺。由于FD-SOI是一種平面技術，它不具備3D器件的限制，其Ft/Fmax在350 GHz至410 GHz的范圍內(nèi)，可以充分利用毫米波頻譜，使FD-SOI RF-CMOS平臺成為各種應用（如汽車雷達）的有前途的選擇。

5）FD-SOI和性能增強器

Smartcut技術已被用于將偽形生長的硅薄膜通過完全松弛的SiGe緩沖層作為供體晶片轉移，形成獨特的應變硅絕緣體（SSOI）晶片。SSOI技術是SOI技術的自然延伸，結合了SOI的優(yōu)勢和張力應變硅的載流子遷移率增強，適用于高性能低功耗應用。n通道和p通道晶體管的性能提高，用于提高邏輯和射頻性能，n通道FD-SOI器件的飽和電流（Ion）在20%張力應變硅通道下增加28%，在未松弛張力應變的情況下通過Ge凝聚在35% c-SiGe中形成，Ion增加16%。在形成cSiGe通道之前通過局部張力應變的方法，性能將更高，可超過25%的cSiGe。

應變硅對絕緣體上的晶體管的提高性能，降低功耗，減少漏電電流等目標越來越難以實現(xiàn)，F(xiàn)D-SOI技術通過在晶體管中提供改進的匹配、增益和寄生參數(shù)，為模擬和RF模塊的設計提供了解決方案。將盡可能多的模擬/RF功能集成到單一的RF-CMOS硅平臺中對于成本和功耗效率而言變得更加重要，但是RF-CMOS平臺在頻率上的增加，特別是在毫米波頻譜中，面臨著越來越多的困難。FinFET結構具有更多的架構限制，因此在這個頻率范圍內(nèi)通常使用SiGe-Bipolar平臺。

FD-SOI是一種平面技術，不具備3D器件的限制，其Ft/Fmax在350 GHz至410 GHz的范圍內(nèi)，可以充分利用毫米波頻譜，使FD-SOI RF-CMOS平臺成為各種應用（如汽車雷達）的有前途的選擇。

集成模擬前端和數(shù)字信號處理的SoC是下一代雷達技術的合理選擇，允許在傳感器操作期間高效、廣泛地監(jiān)測多個參數(shù)并進行實時評估，這對于符合安全性要求的應用是必不可少的。傳統(tǒng)上，雷達系統(tǒng)是使用離散元件實現(xiàn)的，這增加了功耗和整個系統(tǒng)成本。FD-SOI技術看似是汽車雷達的理想技術和自然演變。FD-SOI技術結合了無摻雜通道的高遷移率、相同設計規(guī)則下最小的總電容、低功耗數(shù)字功能和硅基遷移率增強的選項，這些功能極大地提高了數(shù)字和RF/mmWave功能的性能，為開發(fā)完全集成的雷達設備提供了理想平臺。

審核編輯：劉清