PN結反向偏置時，隨著反向電壓的增加，勢壘電容是增加還是減少？

PN結是由N型半導體和P型半導體組成的。當PN結處于正向偏置時，電子從N型半導體流入P型半導體，而空穴從P型半導體流入N型半導體。當PN結處于反向偏置時，電子和空穴流動方向相反，無法通過結區(qū)域，這樣PN結的電流就非常小。

在PN結反向偏置時，會形成一個勢壘，阻礙電子和空穴的運動，這個勢壘隨著反向電壓的增加會變大。在這個過程中，我們需要考慮勢壘電容的變化情況。

勢壘電容指的是PN結反向偏置時，在0V處最小的電容值。在反向偏置下，PN結區(qū)域中沒有可導通的電子或空穴，因此柵極受到的電壓無法影響電子或空穴引起的電場。也就是說，當PN結出現(xiàn)高反向電壓時，電荷會在PN結兩側累積，這就會產生一個變化的電場。

這個變化的電場會改變PN結中的勢壘電容。實際上，這個費用的變化是由PN結區(qū)域中的載流子數(shù)量變化引起的。當反向電壓越來越高時，PN結中的載流子數(shù)量會越來越少，勢壘電容也會跟著減少。因此，隨著反向電壓的增加，勢壘電容會發(fā)生變化。

當反向電壓增加到正向擊穿電壓時，PN結中的載流子數(shù)量會增加到非常高的水平。在這個非常高的電流水平下，電流變得與PN結的電容關系不大，因為它是由源源不斷的正電荷和負電荷所產生，可以形成連續(xù)的電流。

總之，在PN結反向偏置時，勢壘電容的變化取決于反向電壓的大小。當反向電壓增加時，勢壘電容越來越小。當反向電壓超過 PN 結的擊穿電壓時，PN結區(qū)域中載流子數(shù)量就會變得非常高，使得電容與電流關系比較不大。因此，精確的計算勢壘電容和其變化是非常重要的，因為這是設計PN結電路所必需的。

總而言之，無論是PN結中的電容還是電流，都受到反向電壓的影響。從勢壘電容的角度來看，隨著反向電壓的增加，勢壘電容會減少，這是由于PN結區(qū)域中的載流子數(shù)量減少。因此，精確計算PN結的電容和流量是非常重要的。