晶圓測(cè)溫系統(tǒng)的原理主要是通過(guò)測(cè)量晶圓表面與環(huán)境之間的溫差來(lái)實(shí)現(xiàn)的。晶圓表面的熱量傳遞受到多種因素的影響，如熱傳導(dǎo)、熱輻射、對(duì)流等。為了實(shí)現(xiàn)精確的溫度監(jiān)測(cè)，晶圓測(cè)溫系統(tǒng)需要綜合考慮這些因素，采用合適的測(cè)溫方法和設(shè)備。

以熱電偶法為例，它是通過(guò)將傳感器或探頭直接接觸晶圓表面來(lái)實(shí)現(xiàn)溫度測(cè)量的。當(dāng)探針與晶片接觸時(shí)，熱電偶會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電壓信號(hào)，該信號(hào)被控制器接收并轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，再被發(fā)送到顯示屏上進(jìn)行顯示。

晶圓的發(fā)展歷史可以追溯到20世紀(jì)50年代，下面是它的具體發(fā)展歷程：

20世紀(jì)50年代：鍺是最早的半導(dǎo)體材料，被用于分立器件中，而第一塊集成電路是在1958年7月由杰克·基爾比在德州儀器公司使用鍺半導(dǎo)體材料作為襯底制造的。

60年代后期：由于鍺器件的耐高溫和抗輻射性能存在短板，逐漸被硅器件所取代。硅儲(chǔ)量豐富，提純和結(jié)晶工藝成熟，且二氧化硅薄膜絕緣性能好，使得器件的穩(wěn)定性和可靠性得到了很大提高，因此硅成為了應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料。

21世紀(jì)：雖然硅在半導(dǎo)體材料中占據(jù)主導(dǎo)地位，但是它的物理性質(zhì)限制了其在光電子和高頻、高功率器件上的應(yīng)用。因此，以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表的第二代半導(dǎo)體材料開(kāi)始嶄露頭角。它們適用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料。

至今，晶圓已經(jīng)發(fā)展成為制造半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)性原材料，經(jīng)歷了60多年的技術(shù)演進(jìn)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，形成了以硅為主、多種新型半導(dǎo)體材料為補(bǔ)充的產(chǎn)業(yè)局面。
我們的TC-Wafer是將高精度溫度傳感器鑲嵌在晶圓表面，對(duì)晶圓表面的溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)測(cè)量。通過(guò)晶圓的測(cè)溫點(diǎn)了解特定位置晶圓的真實(shí)溫度，以及晶圓整體的溫度分布，同還可以監(jiān)控半導(dǎo)體設(shè)備控溫過(guò)程中晶圓發(fā)生的溫度變化，獲得升溫、降溫以及恒溫過(guò)程期間的溫度溫度數(shù)據(jù)，從而了解半導(dǎo)體設(shè)備的溫度均勻度。

應(yīng)用：

半導(dǎo)體制造：在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，晶圓是關(guān)鍵的元件，測(cè)溫系統(tǒng)用于準(zhǔn)確地測(cè)量晶圓表面的溫度，以確保生產(chǎn)質(zhì)量。

高精度傳感器：晶圓測(cè)溫系統(tǒng)采用了高精度傳感器，如熱電偶等，將溫度轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，再通過(guò)數(shù)據(jù)采集和處理系統(tǒng)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和分析。

無(wú)線通信技術(shù)：無(wú)線通信技術(shù)被用于傳輸測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)，將晶圓表面溫度信息實(shí)時(shí)傳輸?shù)綌?shù)據(jù)收集器、監(jiān)控站或其他設(shè)備中，方便工作人員進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和分析。

總的來(lái)說(shuō)，晶圓測(cè)溫系統(tǒng)是半導(dǎo)體制造過(guò)程中不可或缺的一部分，對(duì)于半導(dǎo)體制造的精密性和生產(chǎn)質(zhì)量都有重要影響。

審核編輯 黃宇