半導體芯科技編譯

來源：Silicon Semiconductor

eBeam Initiative已完成第12屆年度eBeam Initiative杰出人物調查。

來自半導體生態(tài)系統（包括光掩模、電子設計自動化（EDA）、芯片設計、設備、材料、制造和研究）的47家公司的行業(yè)知名人士參與了今年的調查。

80%的受訪者認為，到2028年，將有多家公司在大批量制造（HVM）中廣泛采用高數值孔徑EUV光刻技術，與去年調查中報告的比例相同。此外，與去年的調查相比，對前沿掩模商能夠處理曲線掩模需求的信心增加了一倍，而87%的人預測前沿掩模至少可以處理有限數量的曲線掩模。

今年的杰出人物調查中增加了新問題，評估人們對EUV和非EUV前沿掩模和圖案的看法。70%的人表示曲線逆光刻技術（ILT）對于非EUV前沿節(jié)點非常有用，而75%的人同意2納米、0.33 NA EUV需要該技術。預計通過光化測試檢查EUV掩模的百分比將在三年內翻一番，從2023年的加權平均30%增加到2026年的63%。此外，95%的人同意需要多光束掩模寫入機來寫入EUV掩模 。

近日，專家小組在與加州蒙特雷SPIE光掩模技術 + EUV光刻會議聯合舉辦的eBeam Initiative活動中討論燈具調查的完整結果。

杰出人物調查（2023年7月進行）的其他亮點

? 83%的受訪者預測，2023年掩模收入將增加或保持不變，盡管SEMI預測掩模市場將收縮3%

? 82%的人預測，到2027年，高數值孔徑EUV將首先用于HVM

? 71%的人認為，高數值孔徑EUV的最小掩模尺寸將為20 nm或以下

? 大多數受訪者預測，未來三年用于多光束掩模寫入機（77%）和掩模檢測（63%）的僅193i設備采購量將會增加

? 83%的受訪者認為，“非EUV前沿”（193i光刻達到經濟可行性實際極限的節(jié)點）在>5 nm 至14 nm范圍內

eBeam Initiative的管理公司贊助商D2S首席執(zhí)行官Aki Fujimura表示：“年度eBeam Initiative杰出人物調查的參與者是一群獨特的半導體內部人士，他們對塑造該行業(yè)的市場和技術趨勢有著敏銳的洞察力。在過去幾年中，調查指出曲線ILT的使用增加是EUV和193i的主要趨勢。今年的調查結果表明，人們對曲線掩模（包括非EUV 前沿節(jié)點）仍然充滿信心，并且存在在更關鍵層使用ILT的趨勢。得益于多光束掩模寫入和GPU加速，現在可以實現曲線掩模。曲線掩模展示了諸如工藝窗口增加高達100%等優(yōu)勢，表明它們可以成為將當前光刻技術擴展到更先進節(jié)點的解決方案的一部分?！?/p>

審核編輯 黃宇