假如有人將24V電源連接到您的12V電路上，將發(fā)生什么？

倘若電源線和接地線因疏忽而反接，電路還能安然無恙嗎？

您的應(yīng)用電路是否工作于那種輸入電源會(huì)瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴(yán)酷環(huán)境中?

即使此類事件的發(fā)生概率很低，但只要出現(xiàn)任何一種就將徹底損壞電路板。

為了隔離負(fù)電源電壓，設(shè)計(jì)人員慣常的做法是布設(shè)一個(gè)與電源相串聯(lián)的功率二極管或 P 溝道 MOSFET。然而——

• 二極管既占用寶貴的板級(jí)空間，又會(huì)在高負(fù)載電流下消耗大量的功率。

• P 溝道 MOSFET 的功耗雖然低于串聯(lián)二極管，但 MOSFET 以及所需的驅(qū)動(dòng)電路將導(dǎo)致成本增加。

這兩種解決方案均犧牲了低電源操作性能，尤其是串聯(lián)二極管。而且，兩種方法都沒有提供針對(duì)過高電壓的保護(hù) —— 這種保護(hù)需要更多的電路，包括一個(gè)高電壓窗口比較器和充電泵。

欠壓、過壓和電源反向保護(hù)

LTC4365是一款獨(dú)特的解決方案，可精巧和穩(wěn)健地保護(hù)敏感電路免遭意料之外的高電源電壓或負(fù)電源電壓。LTC4365 能隔離高達(dá) 60V 的正電壓和低至 –40V的負(fù)電壓。只有處于安全工作電源范圍之內(nèi)的電壓被傳送至負(fù)載。僅需的外部有源組件是一個(gè)連接在不可預(yù)知的電源與敏感負(fù)載之間的雙路N溝道MOSFET。

圖 1 示出了一款完整的應(yīng)用電路。一個(gè)阻性分壓器負(fù)責(zé)設(shè)定用于負(fù)載與V_IN連接 / 斷接的過壓(OV)和欠壓(UV) 跳變點(diǎn)。如果輸入電源漂移至該電壓窗口之外，則LTC4365 將迅速把負(fù)載與電源斷接。

圖 1：完整的 12V 汽車欠壓、過壓及電源反向保護(hù)電路

雙路 N 溝道 MOSFET 負(fù)責(zé)在 VIN 上隔離正電壓和負(fù)電壓。在標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)作期間，LTC4365 為外部 MOSFET 的柵極提供了增強(qiáng)的 8.4V。LTC4365 的有效工作范圍從低至2.5V到高達(dá)34V —— OV和UV窗口可介于此范圍之內(nèi)。對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用來說，無需在 VIN 上設(shè)置保護(hù)性箝位電路，從而進(jìn)一步簡(jiǎn)化電路板設(shè)計(jì)。

準(zhǔn)確和快速的過壓及欠壓保護(hù)

LTC4365 中兩個(gè)準(zhǔn)確 (±1.5%) 的比較器用于監(jiān)視 V_IN上的過壓 (OV) 和欠壓 (UV) 狀況。如果輸入電壓分別升至 OV 門限以上或降至 UV 門限以下，則外部MOSFET 的柵極將快速關(guān)斷。外部阻性分壓器允許用戶選擇一個(gè)與 V_OUT 上的負(fù)載相兼容的輸入電源范圍。此外，UV 和 OV 輸入還具有非常低的漏電流 (在100°C 時(shí)通常 <1nA)，因而可在外部阻性分壓器中提供大的電流值。

圖 2 示出了圖 1 電路中的 V_IN 從 –30V 緩慢斜坡上升至 30V 時(shí)做出的反應(yīng)。UV 和 OV 門限被分別設(shè)定為3.5V 和 18V。當(dāng)電源電壓位于 3.5V 至 18V 窗口之內(nèi)時(shí)， V_OUT 跟隨 V_IN。若超出該窗口時(shí)，LTC4365 將關(guān)斷 N 溝道 MOSFET，并使 V_OUT 與 V_IN 斷接，即使在V_IN為負(fù)值的情況下也不例外。

圖 2：當(dāng) V_IN 從 –30V上升至 30V 時(shí)的負(fù)載保護(hù)

新穎的電源反向保護(hù)

LTC4365 運(yùn)用了一種新穎的負(fù)電源保護(hù)電路。當(dāng)LTC4365 在 V_IN 上檢測(cè)到負(fù)電壓，它迅速將 GATE 引腳連接至 V_IN。在 GATE 與 V_IN 電壓之間沒有二極管壓降。當(dāng)外部 N 溝道 MOSFET 的柵極處于最負(fù)電位(V_IN)時(shí)，從V_OUT至V_IN上負(fù)電壓的漏電流極小。

圖 3 示出了當(dāng) V_IN 帶電插入至 –20V 時(shí)出現(xiàn)的狀況。在連接的前一刻，V_IN、V_OUT 和 GATE 以地電位為起始點(diǎn)。由于 V_IN 和 GATE 連接線的寄生電感之原因，V_IN 和 GATE 引腳上的電壓將顯著地變至 –20V以下。外部 MOSFET 必須具有一個(gè)可安全承受該過沖的擊穿電壓指標(biāo)。

圖 3：從 V_IN 至 –20V 的熱插拔保護(hù)

顯然，LTC4365 反向保護(hù)電路的動(dòng)作速度取決于 GATE 引腳在負(fù)電壓瞬變期間跟隨 V_IN的緊密程度。在所示的標(biāo)度上，兩者的波形幾乎無法區(qū)分。請(qǐng)注意，提供反向保護(hù)并不需要其他外部電路。

還有更多功能！

AC 隔離、V_OUT 通電時(shí)的反向V_IN 熱插拔 (Hot Swap) 控制在出現(xiàn) OV 或 UV 故障之后 (或當(dāng) VIN 變至負(fù)值時(shí))，輸入電源必須返回有效的工作電壓窗口并持續(xù)至少36ms 以重新接通外部 MOSFET。這將有效地隔離50Hz和60Hz的未整流AC 電源。

另外，LTC4365 還針對(duì)負(fù) V_IN 連接提供了保護(hù)作用，即使在 V_OUT 由一個(gè)單獨(dú)的電源驅(qū)動(dòng)時(shí)也是如此。只要不超過外部 MOSFET 的擊穿電壓 (60V)，那么 V_IN上的極性反接就不會(huì)對(duì)V_OUT上的20V電源造成影響。

結(jié)論

通過采用背對(duì)背 MOSFET (而并未使用二極管)，LTC4365 控制器為敏感電路提供了過壓、欠壓和電源反接的保護(hù)作用。電源電壓只有在合格通過可由用戶調(diào)節(jié)的 UV 和 OV 跳變門限時(shí)才能傳送至輸出端。任何超出該窗口的電壓都被隔離，保護(hù)范圍可高達(dá)60V和低至–40V。

LTC4365的新穎架構(gòu)造就了一款外部組件極少的堅(jiān)固型小尺寸解決方案，并可提供纖巧型 8 引腳 3mm x2mm DFN 和 TSOT-23 封裝。LTC4365 具有一個(gè) 2.5V至34V的寬工作范圍，停機(jī)期間僅消耗10μA。