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Microchip與IHWK正在合作開(kāi)發(fā)模擬計(jì)算平臺(tái)

科技綠洲 ? 來(lái)源:electronicproducts ? 作者:electronicproducts ? 2023-10-12 16:04 ? 次閱讀
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由于人工智能AI) 和機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 的進(jìn)步,嵌入式系統(tǒng)提供商越來(lái)越多地開(kāi)發(fā)大腦芯片,邊緣的人工智能 (AI) 使用正在急劇增長(zhǎng)。微芯科技股份有限公司韓國(guó)智能硬件 (IHWK) 正在合作開(kāi)發(fā)模擬計(jì)算平臺(tái),以加速神經(jīng)技術(shù)設(shè)備的邊緣 AI/ML 推理。

IHWK正在為神經(jīng)技術(shù)設(shè)備和現(xiàn)場(chǎng)可編程神經(jīng)形態(tài)設(shè)備開(kāi)發(fā)神經(jīng)形態(tài)計(jì)算平臺(tái)。Microchip Technology子公司Silicon Storage Technology(SST)宣布將通過(guò)為其SuperFlash memBrain神經(jīng)形態(tài)記憶解決方案提供評(píng)估系統(tǒng)來(lái)協(xié)助該平臺(tái)的開(kāi)發(fā)。該解決方案基于 Microchip 的非易失性存儲(chǔ)器 (NVM) SuperFlash 技術(shù),經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可通過(guò)模擬內(nèi)存計(jì)算方法為神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)執(zhí)行矢量矩陣乘法 (VMM)。

Sheer Analytics&Insights的一份報(bào)告預(yù)測(cè),到2028年,全球神經(jīng)形態(tài)計(jì)算市場(chǎng)將達(dá)到7.8億美元,在2020年至2028年的預(yù)測(cè)年份中以50%的年復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。

“神經(jīng)形態(tài)計(jì)算技術(shù)利用在模擬域內(nèi)操作關(guān)鍵過(guò)程的硬件來(lái)模仿大腦過(guò)程,”Microchip許可業(yè)務(wù)部門(mén)SST副總裁Mark Reiten說(shuō)?!澳M域內(nèi)的操作利用非馮諾依曼架構(gòu),以最小的功耗提供人工智能驅(qū)動(dòng)的功能。這是對(duì)基于數(shù)字硬件和傳統(tǒng)馮諾依曼架構(gòu)的主流人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的重大改進(jìn)。數(shù)字方法消耗的功率比人腦高出多個(gè)數(shù)量級(jí),以實(shí)現(xiàn)類(lèi)似的任務(wù)。
memBrain技術(shù)評(píng)估套件使IHWK能夠展示其神經(jīng)形態(tài)計(jì)算平臺(tái)在邊緣運(yùn)行推理算法的能效。目標(biāo)是為生成式 AI 模型、自動(dòng)駕駛汽車(chē)、醫(yī)療診斷、語(yǔ)音處理、安全/監(jiān)控和商用無(wú)人機(jī)等應(yīng)用創(chuàng)建超低功耗模擬處理單元 (APU)。

這是兩家公司之間的首次合作,合作期限可能長(zhǎng)達(dá)數(shù)年?!癐HWK打算使用我們提供的memBrain演示系統(tǒng)來(lái)試驗(yàn)設(shè)計(jì)理念,以便為他們正在評(píng)估的邊緣計(jì)算市場(chǎng)制定上市戰(zhàn)略,”Reiten說(shuō)。

當(dāng)前用于邊緣推理的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型可能需要 5000 萬(wàn)個(gè)或更多的突觸(權(quán)重)進(jìn)行處理,這為純數(shù)字神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算所需的片外 DRAM 帶來(lái)了帶寬瓶頸。memBrain 解決方案以超低功耗亞閾值模式將突觸權(quán)重存儲(chǔ)在片上浮柵中,并使用相同的存儲(chǔ)單元來(lái)執(zhí)行計(jì)算。這提高了電源效率和系統(tǒng)延遲。與傳統(tǒng)的數(shù)字 DSP 和基于 SRAM/DRAM 的方法相比,它為每個(gè)推理決策的功耗降低了 10× 到 20×并顯著降低了總體物料清單 (BOM)。

“突觸權(quán)重作為電導(dǎo)存儲(chǔ)在浮柵存儲(chǔ)單元中,這意味著該單元用作可編程電阻器,”Reiten解釋說(shuō)?!爱?dāng)在位線(xiàn)上的水平方向向電池施加輸入電壓并與電池電導(dǎo)相結(jié)合時(shí),以電流測(cè)量的輸出是輸入電壓(值1)乘以電導(dǎo)(值2)。我們將單詞行上許多細(xì)胞的輸出電流相加,在陣列中形成垂直方向的'神經(jīng)元'。

IHWK還與大田的韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(KAIST)合作開(kāi)發(fā)用于設(shè)備開(kāi)發(fā)的APU,并與首爾延世大學(xué)合作開(kāi)發(fā)設(shè)備設(shè)計(jì)協(xié)助。最終的APU應(yīng)優(yōu)化系統(tǒng)級(jí)算法,以便在每瓦20-80 TeraOPS之間運(yùn)行 - 這是專(zhuān)為電池供電設(shè)備設(shè)計(jì)的內(nèi)存計(jì)算解決方案的最佳性能。

“至于使用該技術(shù)的電池壽命,這實(shí)際上取決于特定的目標(biāo)市場(chǎng),但與同等性能的數(shù)字解決方案相比,memBrain技術(shù)應(yīng)該能夠?qū)a(chǎn)品的電池壽命延長(zhǎng)至少3×”Reiten說(shuō)。

通過(guò)使用NVM而不是片外存儲(chǔ)器來(lái)執(zhí)行神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算和存儲(chǔ)權(quán)重,memBrain技術(shù)可以消除與在邊緣執(zhí)行AI處理相關(guān)的大量數(shù)據(jù)通信瓶頸。IHWK正在利用SuperFlash存儲(chǔ)器的浮動(dòng)?xùn)艠O單元的非易失性來(lái)實(shí)現(xiàn)低功耗邊緣計(jì)算設(shè)備的新基準(zhǔn),支持使用高級(jí)ML模型進(jìn)行ML推理。

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    并非所有模擬計(jì)算都是平等的

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