智能功率模塊（IPM）是一種適應(yīng)當(dāng)前功率器件模塊化、復(fù)合化、功率集成電路（PIC）發(fā)展趨勢(shì)的先進(jìn)功率開(kāi)關(guān)器件，在電力電子領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。

高集成度IPM是逆變器的好伙伴，IPM一般采用高速、低功耗的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為功率開(kāi)關(guān)元件，并集成電流傳感器、保護(hù)電路和柵極驅(qū)動(dòng)電路。IPM以其高可靠性和易用性贏得了越來(lái)越大的市場(chǎng)，特別適用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的變頻器和各種逆變器，是變頻調(diào)速、冶金機(jī)械、電力牽引的理想電力電子裝置。

IPM將功率開(kāi)關(guān)器件與驅(qū)動(dòng)電路集成在一起，還集成了邏輯、控制和過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱故障檢測(cè)電路，并可以向CPU發(fā)送檢測(cè)信號(hào)。它們由高速低功耗芯片、優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)電路和快速保護(hù)電路組成，使用方便，不僅減小了系統(tǒng)尺寸和開(kāi)發(fā)時(shí)間，還大大增強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性。即使發(fā)生負(fù)載事故或使用不當(dāng)，IPM本身也不會(huì)損壞。

在IPM中，IGBT是巨型晶體管(GTR)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的復(fù)合體，GTR由MOSFET驅(qū)動(dòng)。因此，IGBT 兼有 GTR 和 MOSFET 的優(yōu)點(diǎn)。 GTR具有高電流密度、低飽和電壓和高耐壓的優(yōu)點(diǎn)，而MOSFET具有高輸入阻抗、高開(kāi)關(guān)頻率和低驅(qū)動(dòng)功率的優(yōu)點(diǎn)。

與之前的 IGBT 模塊和驅(qū)動(dòng)電路的組件相比，IPM 包含設(shè)置最佳 IGBT 驅(qū)動(dòng)條件的驅(qū)動(dòng)電路。由于驅(qū)動(dòng)電機(jī)和 IGBT 之間的距離非常短，并且輸出阻抗非常低，因此不需要反向偏置。 IPM具有過(guò)流（OC）保護(hù)和欠壓（UV）保護(hù)等功能，確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。