光刻是通過一系列操作，除去外延片表面特定部分的工藝，在半導體器件和集成電路制作中起到極為關(guān)鍵的作用。

按照曝光方式光刻可分為接觸式曝光、掃描投影式曝光、步進式曝光、步進式掃描曝光和電子束直寫曝光。

接觸式光刻

工作時晶片一般與掩模版相接觸（或者有幾微米的間隔），對準后一次性完成曝光。由于易污染掩模版和較低的分辨能力，一般適用于0.5 微米以上的工藝。

掃描投影式光刻

利用反射系統(tǒng)將圖形投影到晶片表面，克服接觸式光刻的問題。

步進式光刻

光源并不是一次把整個掩模上的圖形投影在晶圓上，而是每次只曝光晶片的一部分，載有掩模的工件臺沿著一個方向移動，等價于曝光系統(tǒng)對掩模做了掃描。

步進式掃描光刻

使用分布重復和掃描的辦法對圖形掃面。

電子束直寫曝光

在幾種曝光方式中，電子束曝光的分辨率最高，同時其還具有不需要制備掩模版等優(yōu)點。但是由于其曝光原理的限制，這種曝光方式一般較慢，對工業(yè)級的大規(guī)模生產(chǎn)并不適用。

審核編輯：劉清