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詳解運(yùn)放的失調(diào)電壓Vos

CHANBAEK ? 來源:模擬IC小記 ? 作者:天是映過去的海 ? 2023-09-28 11:50 ? 次閱讀
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失配導(dǎo)致高的Vos和低的CMRR。失調(diào)電壓Vos會(huì)導(dǎo)致放大器產(chǎn)生大的誤差,大的失調(diào)電壓會(huì)嚴(yán)重限制信號(hào)的可測精度。

失調(diào)電壓Vos可以定義為:使得運(yùn)放輸出電壓Vout為零時(shí)的兩輸入端電壓差。導(dǎo)致失調(diào)電壓產(chǎn)生的因素主要有兩個(gè):系統(tǒng)、隨機(jī)。

下面兩幅手稿圖采用反相放大器給出Vos與輸出電壓之間關(guān)系;采用電阻負(fù)載的簡單差分對分析了Vos產(chǎn)生的原因,并給出減小Vos的方法,解釋說明了為什么input pair工作在弱反型區(qū)。

圖片

圖1 反相放大器的Vos和電阻負(fù)載差分對在負(fù)載電阻存在失配時(shí)的Vos

圖片

圖1 電阻負(fù)載差分對在負(fù)載電阻R、輸入對管M1,2管的Vth、W/L、工藝因子K存在失配時(shí)的Vos

在一些超低功耗運(yùn)放設(shè)計(jì)中,PMOS做輸入對管工作在弱反型區(qū)內(nèi)時(shí),Vgs-Vth的值可達(dá)到上百mV以上! 僅供參考。

額外小結(jié):運(yùn)放通常用PMOS做輸入對管,原因是PMOS器件的1/f噪聲比NOS要低(因?yàn)镻MOS管運(yùn)輸空穴是在距離硅-氧化物界面一定距離的地方,它俘獲和釋放載流子的概率比較小), 而且PMOS做輸入對管時(shí)共模電壓可以到地軌。

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