本應用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機驅(qū)動設計。它描述了使用不同電壓應用的設計，以及自適應 MOSFET 柵極驅(qū)動器，這是驅(qū)動雙 n 溝道半橋的第三種方法。

低壓電機驅(qū)動器使用兩種基本 MOSFET 配置：n 溝道半橋以及 p 和 n 溝道（互補）半橋?；パa方法的主要優(yōu)點是其柵極驅(qū)動電路的簡單性，如 Vishay Siliconix 應用筆記 AN90-4 中所述。當 n 溝道 MOSFET 用于高側(cè)（或“上部”）開關(guān)時，柵極驅(qū)動信號需要電平轉(zhuǎn)換，從而導致復雜性和成本增加。

5V 應用

在圖 1 中，電荷泵電路用于將 5 V 電源（實際上為 4.5 V）升壓至足以直接驅(qū)動上部和下部 MOSFET 柵極的電壓。

5V、三相電機驅(qū)動

下部 n 溝道器件的額定電壓，并為上部 n 溝道 MOSFET 提供至少 7.5 V 的柵極增強電壓?！败壍杰墶彬?qū)動所有柵極 考慮到輸入電平變化（4.5 至 5.5 V）和電荷泵損耗，產(chǎn)生的電源電壓范圍約為 12 至 16 V。該電壓范圍安全地在 20 -V 柵源導致較低器件的阻抗稍低。然而，在電機驅(qū)動中，總阻抗（一個上部 MOSFET 加一個下部 MOSFET）通常比對稱性更重要。

12V 應用

如果可以接受動態(tài)柵極驅(qū)動技術(shù)，則可以大大簡化中間低壓應用（大約 12V）。自舉電容器布置是一種簡單且廉價的方法，可提供驅(qū)動高側(cè)柵極所需的電壓（圖 2）。在相對較窄的電壓范圍（約 10 至 20 V）內(nèi)，可以選擇簡單的無源上拉 （R1） 值，以提供快速轉(zhuǎn)換速率和可容忍的開關(guān)損耗。對于高于 20V 的工作電壓，可能需要采用有源上拉電平移位裝置，并且應使用齊納二極管對 Q2 的柵源進行鉗位，以保證不違反 V GS 額定值。采用這種技術(shù)時，工作電壓低于約 10 V 可能會導致 Q2 柵極驅(qū)動不足。自舉電容器中存儲的電壓等于 10V（電源電壓）減去二極管壓降，再減去 MOSFET 壓降（Q1 上的負載電流 xr DS（on））。該電壓因電荷而進一步降低，必須傳輸電荷才能充分增強 Q2 的柵極，并且電壓會因流經(jīng) D1 和 Q3 的漏電流而隨時間衰減。

12V電機驅(qū)動

在圖 2 中，下部 MOSFET （Q1） 和電平轉(zhuǎn)換 MOSFET （Q3） 的輸入連接在一起。自舉布置并不能完全消除使用關(guān)閉兩個輸出器件的換向或調(diào)制序列，并且有必要在開啟 Q2 之前開啟 Q1 以對自舉電容器進行再充電。Q2 不能無限期地保持，并且自舉裝置固有的“動態(tài)”性質(zhì)使其無法在某些電機驅(qū)動應用中使用。但對于許多其他人來說，它可以提供技術(shù)上可接受且極具成本效益的解決方案。

12V 至 36V 應用

簡單、元件少的電荷泵電路可為中壓應用提供靜態(tài)操作和可容忍的開關(guān)時間。圖 3 所示的電荷泵電路已減少到少數(shù)量的組件，并假設系統(tǒng) 12V 電源可用于驅(qū)動接地參考 MOSFET 柵極和振蕩器。遠高于所需開關(guān)頻率的振蕩器頻率將利用小電荷泵電容 （C1） 在短的時間內(nèi)對高側(cè) MOSFET 柵極進行充電。在此示例中，為了實現(xiàn) 20kHz 開關(guān)頻率和可容忍的開關(guān)損耗，選擇了 2MHz 振蕩器和 0.001μF 電荷泵電容器以獲得 500ns 的輸出上升時間。

12 至 36 V 電機驅(qū)動

Si9910DY 自適應 MOSFET 柵極驅(qū)動器（圖 4）提供了第三種驅(qū)動雙 n 溝道半橋的方法。雖然 Si9910 設計用于以更高功率水平驅(qū)動 MOSFET，但事實證明，Si9910 對于低功率系統(tǒng)來說是一種極具成本效益的解決方案（與分立解決方案相比）。

Si9910 在集成 MOSFET 柵極驅(qū)動器中，它提供低輸出阻抗，同時在開啟（輸出高電平）時消耗小于 1 A 的電源電流。這使得驅(qū)動器能夠以高側(cè)開關(guān)的源極為參考，并由自舉電容器、電荷泵或兩者的組合供電。將 Si9910 與自舉電容器的高峰值電流能力相結(jié)合，可實現(xiàn)快速、高效的轉(zhuǎn)換速率。添加小型電荷泵將克服導通狀態(tài)泄漏損耗，從而提供高側(cè)輸出器件的連續(xù)（靜態(tài)）操作。Si9910 還提供 di/dt、dv/dt 和直通電流控制以及欠壓和災難性電流保護的方法。