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光刻廠落地雄安?中國(guó)電子院否認(rèn)!真相是啥?

Carol Li ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:李彎彎 ? 2023-09-20 08:56 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)近期,各大視頻平臺(tái)瘋傳一條消息,稱清華大學(xué)EUV項(xiàng)目,把ASML的***巨大化,實(shí)現(xiàn)了***國(guó)產(chǎn)化,并表示這個(gè)項(xiàng)目已經(jīng)在雄安新區(qū)落地,還在視頻中配了下面這張圖,表示圖片中的項(xiàng)目就是光刻廠。

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中國(guó)電子院對(duì)此回應(yīng)稱,該圖片中的項(xiàng)目并不是國(guó)產(chǎn)***工廠,而是北京高能同步輻射光源項(xiàng)目(HEPS)。該項(xiàng)目坐落于北京懷柔雁棲湖畔,是國(guó)家“十三五”重大科技基礎(chǔ)設(shè)施,它是我國(guó)第一臺(tái)高能量同步輻射光源,也是世界上亮度最高的,第四代同步輻射光源之一,早在2019年就開始建設(shè),將于2025年底投入使用。

清華大學(xué)SSMB為EUV光源提供思路

***是生產(chǎn)大規(guī)模集成電路的核心設(shè)備,制造和維護(hù)需要高度的光學(xué)和電子工業(yè)基礎(chǔ),世界上只有少數(shù)廠家掌握。***的作用是掃描曝光芯片晶圓,刻蝕集成電路。精度越高的***,能生產(chǎn)出納米尺寸更小,功能更強(qiáng)大的芯片。

而小于5nm的芯片晶圓,只能用EUV***生產(chǎn)。目前,荷蘭ASML掌握了90%以上的高端***市場(chǎng)份額。最新的兩代高端***領(lǐng)域,即浸入式(Immersion)和極紫外線式(EUV)***,全部由ASML掌握核心技術(shù)。

在當(dāng)前的國(guó)際貿(mào)易形勢(shì)下,國(guó)產(chǎn)***技術(shù)亟待突破。然而EUV***有幾個(gè)技術(shù)難點(diǎn),一是EUV光源系統(tǒng),二是光學(xué)鏡頭,三是雙工件臺(tái)系統(tǒng)。今天這篇文章我們主要談?wù)劰庠?,光刻?duì)EUV光源要求很高,要有很高的功率,同時(shí)還必須要是穩(wěn)定均勻的,很難做到。

很多人將“北京高能同步輻射光源項(xiàng)目”誤認(rèn)為是“清華大學(xué)EUV項(xiàng)目”,而且能夠在網(wǎng)絡(luò)上瘋傳,很大的原因在于,人們太過(guò)迫切地希望國(guó)產(chǎn)***實(shí)現(xiàn)突破,而EUV光源的突破是其中的關(guān)鍵技術(shù)之一。

事實(shí)上,清華大學(xué)確實(shí)在這方面有所進(jìn)展。2021年,清華大學(xué)工程物理系教授唐傳祥研究組與來(lái)自亥姆霍茲柏林材料與能源研究中心(HZB)以及德國(guó)聯(lián)邦物理技術(shù)研究院(PTB)的合作團(tuán)隊(duì)在《自然》(Nature)上發(fā)表了題為“穩(wěn)態(tài)微聚束原理的實(shí)驗(yàn)演示”(Experimental demonstration of the mechanism of steady-state microbunching)的研究論文,報(bào)告了一種新型粒子加速器光源“穩(wěn)態(tài)微聚束”(Steady-state microbunching,SSMB)的首個(gè)原理驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)。

基于SSMB原理,能獲得高功率、高重頻、窄帶寬的相干輻射,波長(zhǎng)可覆蓋從太赫茲到極紫外(EUV)波段,有望為光子科學(xué)研究提供廣闊的新機(jī)遇。

SSMB概念最早由斯坦福大學(xué)教授、清華大學(xué)杰出訪問(wèn)教授趙午與其博士生Daniel Ratner于2010年提出。趙午持續(xù)推動(dòng)SSMB的研究與國(guó)際合作。2017年,唐傳祥與趙午發(fā)起該項(xiàng)實(shí)驗(yàn),唐傳祥研究組主導(dǎo)完成了實(shí)驗(yàn)的理論分析和物理設(shè)計(jì),并開發(fā)測(cè)試實(shí)驗(yàn)的激光系統(tǒng),與合作單位進(jìn)行實(shí)驗(yàn),并完成了實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析與文章撰寫。

唐傳祥表示,“SSMB光源的潛在應(yīng)用之一是作為未來(lái)EUV***的光源?!贝蠊β实腅UV光源是EUV***的核心基礎(chǔ)。唐傳祥介紹說(shuō):“大功率EUV光源的突破對(duì)于EUV光刻進(jìn)一步的應(yīng)用和發(fā)展至關(guān)重要?;赟SMB的EUV光源有望實(shí)現(xiàn)大的平均功率,并具備向更短波長(zhǎng)擴(kuò)展的潛力,為大功率EUV光源的突破提供全新的解決思路?!?br />
可以看到,清華大學(xué)的SSMB光源確實(shí)可以為EUV***光源提供解決思路,然而從當(dāng)時(shí)的情況來(lái)看,該研究還只是完成實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。清華大學(xué)也在積極支持和推動(dòng)SSMB EUV光源在國(guó)家層面的立項(xiàng)工作。清華SSMB研究組已向國(guó)家發(fā)改委提交“穩(wěn)態(tài)微聚束極紫外光源研究裝置”的項(xiàng)目建議書,申報(bào)“十四五”國(guó)家重大科技基礎(chǔ)設(shè)施。

目前該項(xiàng)目的具體進(jìn)展情況并未對(duì)外公布,不過(guò)可以肯定的是,最近網(wǎng)絡(luò)上流傳的那張圖片,并不是清華SSMB的項(xiàng)目,而是北京高能同步輻射光源項(xiàng)目(HEPS)。

同步輻射光源能否用于EUV光刻

那么,北京高能同步輻射光源項(xiàng)目(HEPS)是干嘛用的呢?它跟***有沒(méi)有關(guān)系?根據(jù)中國(guó)電子院的介紹,它的作用是通過(guò)加速器,將電子束加速到6GeV,然后注入周長(zhǎng)1360米的儲(chǔ)存環(huán),用接近光速的速度保持運(yùn)轉(zhuǎn),電子束在儲(chǔ)存環(huán)的不同位置,通過(guò)彎轉(zhuǎn)磁鐵或者各種插入件時(shí),就會(huì)沿著偏轉(zhuǎn)軌道切線的方向,釋放出穩(wěn)定、高能量、高亮度的光,也就是同步輻射光。

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同步輻射光源是指產(chǎn)生同步輻射的物理裝置,它是一種利用相對(duì)論性電子(或正電子)在磁場(chǎng)中偏轉(zhuǎn)時(shí)產(chǎn)生同步輻射的高性能新型強(qiáng)光源。電子同步加速器的出現(xiàn),特別是電子儲(chǔ)存環(huán)的發(fā)展,推動(dòng)了同步輻射的廣泛應(yīng)用。同步輻射的早期研究是在電子同步加速器上進(jìn)行的,有人把它稱為第零代光源。

人們從上世紀(jì)40年代開始制造并利用同步輻射光源,服務(wù)于物理、化學(xué)、生命科學(xué)、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。數(shù)十年間,同步輻射光源不斷升級(jí)。大家可能知道的上海光源(Shanghai Synchrotron Radiation Facility,簡(jiǎn)稱 SSRF),是一臺(tái)高性能的中能第三代同步輻射光源。

工程包括三大加速器,分別是一臺(tái)150MeV的電子直線加速器、一臺(tái)能在0.5秒內(nèi)把電子束能量從150MeV提升到3.5GeV的全能量增強(qiáng)器和一臺(tái)周長(zhǎng)432米的3.5GeV高性能電子儲(chǔ)存環(huán),由中國(guó)科學(xué)院上海應(yīng)用物理研究所承擔(dān)建造。上海光源位于上海浦東張江高科技園區(qū),工程于2004年12月25日動(dòng)工,于2009年4月完成調(diào)試并向用戶開放。

如今,北京懷柔的高能同步輻射光源項(xiàng)目(HEPS),是第四代同步輻射光源,它將是中國(guó)擁有的第一臺(tái)高能量同步輻射光源。簡(jiǎn)單的說(shuō),HEPS可以看成是一個(gè)超精密、超高速、具有強(qiáng)大穿透力的巨型X光機(jī),它產(chǎn)生的小光束可以穿透物質(zhì)、深入內(nèi)部進(jìn)行立體掃描,從分子、原子的尺度,多維度地觀察微觀世界。HEPS是進(jìn)行科學(xué)實(shí)驗(yàn)的大科學(xué)裝置。

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那么同步輻射光源是否能夠用于EUV光刻呢?清華大學(xué)去年在物理學(xué)報(bào)刊登的一篇綜述里,列出了幾類光源的特點(diǎn):LPP,即laserproduced plasma,激光等離子體EUV 光源,荷蘭ASML采用的就是這種光源;SR,同步輻射,其特點(diǎn)是技術(shù)成熟,但EUV光功率達(dá)不到EUV光刻大規(guī)模量產(chǎn)需求;還有SRF-FEL,這是基于超導(dǎo)直線加速器技術(shù)的高重頻FEL,和上文提到的清華大學(xué)研究的SSMB光源。

可以看到,同步輻射用于EUV光刻,它有一個(gè)很明顯的問(wèn)題在于功率達(dá)不到大規(guī)模量產(chǎn)需求。事實(shí)上,此前也有廠商在做同步輻射光刻的的研究,比如英特爾,然而都只是停留在研究的階段,從原理上來(lái)說(shuō),同步輻射確實(shí)可以用于光刻,然而同步輻射通常是超大的科學(xué)裝置,要將其在世界各地的工廠中實(shí)現(xiàn)商用,卻存在難度。

總結(jié)

過(guò)去幾年,我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,然而在***的技術(shù)突破上卻存在難度,這也成了舉國(guó)上下關(guān)注的焦點(diǎn),因此一有風(fēng)吹草動(dòng)便在網(wǎng)絡(luò)上引起“轟動(dòng)”。比如,這次誤將“北京高能同步輻射光源項(xiàng)目(HEPS)”傳成“光刻廠”事件。雖然我們熱切期待進(jìn)展,但是面對(duì)網(wǎng)絡(luò)上還未證實(shí)的消息,仍需理性對(duì)待。

值得一提的是,經(jīng)過(guò)這些年的努力,事實(shí)上,國(guó)產(chǎn)EUV***在光源系統(tǒng)、光學(xué)鏡頭、雙工件臺(tái)系統(tǒng)這三大技術(shù)難關(guān)上,都取得了一定的研究進(jìn)展。就比如光源,除了上述提到的清華大學(xué)SSMB的研究,今年4月長(zhǎng)春光機(jī)所還展示了EUV光源樣機(jī),這相當(dāng)于是等驗(yàn)收就能交付客戶使用了。相信隨著各項(xiàng)技術(shù)的逐個(gè)突破,國(guó)產(chǎn)EUV***會(huì)比預(yù)想的更早來(lái)到。




















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