根據理論分析，不同的交流輸入電壓時，可以實現(xiàn)ZVS的最小負電流幅度是不同的。

當輸入電壓小于輸出母線電壓的一半（Uin <1/2Uo）時。由于電感電流上升和下降的斜率配合，即使沒有負電流（Ineg=0），仍然可以實現(xiàn)主功率管的ZVS。如下圖1所示。

圖 1輸入電壓小于母線電壓一半的情況下

當輸入電壓大于輸出母線電壓的一半（Uin >1/2Uo）時。由于電感電流上升和下降斜率的不同，實現(xiàn)ZVS的最小負電流是變化的。如下圖2所示。

圖 2 輸入電壓大于母線電壓一半的情況下

根據Kolar的文獻，其實現(xiàn)ZVS的最小負電流滿足下圖3所示的曲線。

圖3 實現(xiàn)ZVS的最小負電流的曲線

但實際工程處理，需要簡化此控制策略。目前的實際工程樣機的調試過程中，是采用固定負電流幅度的方法，可以設置為-1.5A~-2.5A都可以較好的ZVS效果。

縮小電路的相應延遲時間

TCM控制的工作原理決定了其硬件電路的觸發(fā)信號及DSP控制響應不能有太長的時間延遲，太長的響應延時會導致Tr過長，從而導致負電流過大問題，降低PFC工作效率及控制問題。因此，對于電感電流采樣電路、電感電流ZCD電路及DSP響應時間都有很嚴格時間要求。

A、為了滿足CCM控制情況下的控制效果，分流器采集的電流信號經過一級高速運放放大，此運放選用了TI的45MHz高速運放OPA2211?？紤]到目前電流采樣通路采用的48Khz的低通濾波器，后續(xù)降成本可以優(yōu)化該器件。

B、過零信號的比較器也需要選用高速的，目前選用的是TI的兩通道高速比較器TLV3502。其延遲時間為小于10ns。

C、如高頻管使用MOSFET，驅動IC選用低延遲時間的SI8233，其延遲時間也不超過100ns。而使用TI GAN器件LMG3410RWHR，其內部驅動延時也非常的低。

D、降低DSP的響應延遲時間。DSP的響應速度在進行ZCD及Tr控制時非常關鍵.

審核編輯：湯梓紅