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針對不同的終端應(yīng)用(住宅、商業(yè)、公用事業(yè))，有多種類型的太陽能逆變器(集中式、組串式、微型)。組串式逆變器以其靈活、易于維護(hù)的特點(diǎn)，正在成為主流太陽能逆變器類型。組串式光伏逆變器的單機(jī)故障對總發(fā)電量影響有限，其余逆變器可繼續(xù)照常工作。同時，更小的尺寸更易于安裝，無需重型機(jī)械即可完成安裝。隨著功率器件的不斷迭代，單組逆變器的功率水平/功率密度不斷提升，單價和體積越來越小，這推動組串式逆變器成為商用逆變器市場的主流選擇。

組串式太陽能逆變器典型框圖

功率器件是光儲充系統(tǒng)的核心器件，通過功率半導(dǎo)體開關(guān)器件的開通和關(guān)斷，把直流電轉(zhuǎn)換成交流電，最終實(shí)現(xiàn)并網(wǎng)。因此，光儲充一體化中涉及功率轉(zhuǎn)換的設(shè)備，轉(zhuǎn)換效率的可減小整個光儲充系統(tǒng)的損耗，功率密度的提升可有效減少設(shè)備的體積，降低系統(tǒng)的成本。

在功率器件中，IGBT模塊備受各行業(yè)青睞，它是由4個交替層(P-N-P-N)組成的功率半導(dǎo)體晶體管，通過施加于金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)柵極的電壓進(jìn)行控制。雖然第三代寬禁帶技術(shù)碳化硅正獲得越來越多的關(guān)注，但許多應(yīng)用仍適合繼續(xù)使用IGBT，在技術(shù)的不斷發(fā)展和升級下，IGBT可實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗和更高的功率密度。截止目前，安森美已推出了多款超高能效明星IGBT，具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平，能最大程度降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，助力客戶的系統(tǒng)設(shè)計，例如第7代1200V IGBT FGY75T120SWD等。

使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V），而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其“拖尾電流”和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。安森美的 EliteSiC 技術(shù)專注于電動汽車與能源基礎(chǔ)設(shè)施這兩大關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域，最新發(fā)布的下一代1200V EliteSiC M3S器件有助于提高開關(guān)速度的EliteSiC MOSFET和模塊，以適配越來越多的800V電動汽車車載充電器和電動汽車直流快充、太陽能方案以及能源儲存等能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。

充電樁是用來給電動汽車補(bǔ)能的設(shè)備裝置，是新能源汽車發(fā)展路徑上必備的配套基礎(chǔ)設(shè)施，但充電樁的建設(shè)和發(fā)展，其實(shí)對電網(wǎng)是有沖擊的。例如對配電網(wǎng)負(fù)荷曲線的影響、對系統(tǒng)電壓偏差的影響、對系統(tǒng)網(wǎng)損增加的影響、對系統(tǒng)三相平衡的影響、對變電站供電范圍和短路容量的影響等。

同時，一款高集成度的功能安全合規(guī)型隔離式柵極驅(qū)動器，能夠助力工程師設(shè)計更高效的牽引逆變器，并更大限度地延長電動汽車行駛里程。安森美的隔離柵極驅(qū)動器針對SiC和GaN等技術(shù)所需的最高開關(guān)速度和系統(tǒng)尺寸限制而設(shè)計，為MOSFET提供可靠控制。