深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
發(fā)表于 04-18 10:52
近日,據韓媒報道,三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進技術升級與產能擴張計劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術)轉換至第八代V-
發(fā)表于 02-14 13:43
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據外媒報道,芯片巨頭Arm計劃大幅度提高授權許可費用,漲幅最高可達300%。這一消息對三星Exynos芯片的未來發(fā)展構成了嚴峻挑戰(zhàn)。
發(fā)表于 01-23 16:17
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DRAM內存產品面臨的良率和性能雙重挑戰(zhàn),已決定在2024年底對現有的1b nm工藝進行改進,并從頭開始設計新版1b nm DRAM。然而,三星電子現在對此表示否認,強調其并未有重新設計1b
發(fā)表于 01-23 15:05
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問題,在2024年底決定在改進現有1b nm工藝的同時,從頭設計新版1b nm DRAM。 不過,三星通過相關媒體表示相關報道不準確。盡管三星否認了重新設計,但有業(yè)內人士透露,三星的目
發(fā)表于 01-23 10:04
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(High Bandwidth Memory 4)內存規(guī)劃方面產生影響。 原本,三星電子計劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,這是結束開發(fā)工作并進入量產階段所必需的水平
發(fā)表于 01-22 14:27
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nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項目被命名為D1B-P,其重點將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進版制程V6P相似,顯示出
發(fā)表于 01-22 14:04
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價格將出現暴跌。在這樣的市場環(huán)境下,三星電子面臨著巨大的壓力,難以維持過去那種壓倒性的生產力。 據報道,SK海力士正在積極增加NAND閃存的供應規(guī)模,這無疑加劇了市場競爭。面對如此激烈的競爭環(huán)境,
發(fā)表于 01-14 14:21
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近日,信榮證券分析師Park Sang-wook對三星電子的未來前景表達了擔憂。他預測,由于客戶庫存過剩,三星電子在2025年上半年可能會面臨內存芯片價格下跌的挑戰(zhàn)。 Park指出,盡管下半年
發(fā)表于 11-27 11:22
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近日,據相關報道,三星電子在3D NAND閃存生產領域取得了重要技術突破,成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據悉,三星已經制定了未來NAND閃存的生產路線圖,并
發(fā)表于 11-27 11:00
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近日,業(yè)界傳出消息稱,三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產能供給,并計劃在2024年底停止在現貨市場銷售該類產品,而到了2025年6月,MLC NAND閃存可能會正式停產。這一消
發(fā)表于 11-21 14:16
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近日,業(yè)界傳出消息,MLC NAND(多層單元閃存)的產能供給將大幅削減,其中三星電子被指將調整產能。據市場傳言,三星計劃在2024年底現貨市場停止銷售MLC
發(fā)表于 11-20 16:13
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近日,據供應鏈消息,三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對NAND閃存進行減產,并預計根據市場狀況分階段實施。
發(fā)表于 10-30 16:18
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近期,DRAM和NAND存儲行業(yè)再次遭遇消費者需求下滑的沖擊,導致存儲合約價格在短短一個月內出現大幅下跌。據分析公司DRAMeXchange的數據顯示,DRAM
發(fā)表于 10-09 17:08
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