- 它們在輸出信號上顯示為噪聲(包括時序噪聲和信號電平噪聲),可能導(dǎo)致邏輯電平的誤讀
- 它們產(chǎn)生的輻射EMI可以從電路板上測量,通常是從邊緣測量
元素 |
對電源完整性的影響 |
電源和接地層對 |
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離散電容器 |
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電容器封裝和過孔電感 |
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嵌入式電容 |
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封裝寄生效應(yīng) |
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總的來說,這些元素將決定PDN的阻抗頻譜。PDN的各種貢獻因素如下圖所示,這些貢獻大致按頻率范圍劃定。此處顯示的阻抗譜由大量電容器構(gòu)成,這是以快速邊沿速率運行的、具有高I/O計數(shù)的數(shù)字處理器的典型特征。
PDN拓撲
所有為高級處理器供電的PDN都是多端口網(wǎng)絡(luò)。它們需要多重穩(wěn)定電壓,從高值到低邏輯電平。在高引腳數(shù)處理器上,電壓從較高邏輯電平(5V0或3V3)下降到低至0V8是很常見的。
定義高級處理器PDN的電源樹如下所示。該示例旨在說明如何構(gòu)建不同的電源軌,這些軌道來自為整個系統(tǒng)供電的主電源或穩(wěn)壓器。
處理器的PDN拓撲示例需要四個電壓逐漸降低的不同電源軌
- 在中檔頻率下提供更高的電容,從而降低阻抗(高達1 GHz)
- 將與電源/接地層對相關(guān)的PDN諧振移至較低頻率
- 抑制與電源/接地層對相關(guān)的GHz范圍內(nèi)的PDN諧振峰值
- 將與平面電容相關(guān)的PDN阻抗谷值(從0.1到1 GHz)移至較低頻率
-
pcb
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原文標(biāo)題:PCB電源完整性完整指南:從電路板到封裝
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