1.常用ESD放電模型

1.1 HBM放電模型

模擬人體正常接觸設(shè)備時，人體所帶靜電對EUT的放電過程，人體阻抗大，容值小，所以特點(diǎn)是電壓高，電流小，EMC驗(yàn)證的通常都采用這種模型。

1.1.1 HBM放電示意圖

1.1.2 HBM應(yīng)用

人體靜電模型，根據(jù)不同的產(chǎn)品要求，有多重RC組合及測試布局要求。

（1）基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)：EN/IEC61000-4-2、GB/T17626.2；

（2）汽車電子標(biāo)準(zhǔn)：ISO 10605；

（3）半導(dǎo)體器件：JESD22-114F;

（4）其他；

1.2 MM放電模型

模擬機(jī)械摩擦產(chǎn)生的靜電，機(jī)械設(shè)備容值比人體更大，阻抗低，特點(diǎn)是電壓低、電流大，這種情況一般出現(xiàn)在生產(chǎn)過程中，所以是生產(chǎn)ESD防護(hù)的一部分；

1.2.1 MM放電示意圖

1.2.2 MM應(yīng)用

常應(yīng)用在半導(dǎo)體器件：JESD22-A115C。

1.3 CDM放電模型

模擬半導(dǎo)體器件在包裝、運(yùn)輸、存儲及生產(chǎn)過程中抹擦產(chǎn)生的靜電放電過程，半導(dǎo)體容值相對較小，阻抗也較小，特點(diǎn)是電壓低，電流大，由于半導(dǎo)體器件極易受到ESD損壞，所以在包裝運(yùn)輸（用到防靜電袋）及生產(chǎn)過程都需要嚴(yán)格的ESD管控；

1.3.1 CDM放電示意圖

1.3.2 CDM應(yīng)用

常應(yīng)用在半導(dǎo)體器件：JESD22-C101F。

2. ESD放電工況示意

3. ESD放電模塊

3.1 ESD的RC組合說明

（1）150pF：人體容量（例：從車輛外部容易接觸到的放電位置模型）電容特性；

（2）330pF：車輛內(nèi)部容易接觸到的放電位置的人體模型電容特性；

（3）2000Ω：直接通過人體皮膚放電的電阻特性；

（4）330Ω：人體通過金屬部件放電的電阻特性：

（5）100pF：半導(dǎo)體靜電要求RC特性；

（6）1500Ω：半導(dǎo)體靜電要求RC特性；

（7）200pF：半導(dǎo)體靜電要求RC特性；

（8）1Ω：半導(dǎo)體靜電要求RC特性；

（9）其他；

3.2 ESD的RC組合統(tǒng)計(jì)表

4. ESD放電等級

4.1 JESD-22A114F(HBM)標(biāo)準(zhǔn)

4.1.1 HBM等級說明

4.1.2 HBM放電電路

Simplified HBM Simulator Circuit with Loads

4.2 JESD22-A115C(MM)標(biāo)準(zhǔn)

4.2.1 MM等級說明

4.2.2 MM放電電路

Typical equivalent MM ESD circuit

4.3 JESD22-C101F(CDM)標(biāo)準(zhǔn)

4.3.1 CDM等級說明

4.3.2 CDM放電電路

Field induced CDM simulator

5. PIM模塊ESD測試方案

5.1 測試目的

找到被測設(shè)備的ESD耐受量，在設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、貯存、包裝等各環(huán)節(jié)進(jìn)行相關(guān)的靜電防護(hù)和ESD水平控制。

5.2 PIM靜電耐受量行業(yè)調(diào)研

• 富士模塊的ESD耐量：通過與富士技術(shù)人員交流及參考富士ESD文件，一般為1KV等級；
• 宏微模塊的ESD耐量：通過與測試人員溝通，采用HBM模型，等級為1KV；
• 英飛凌模塊的ESD耐量：通過與技術(shù)人員溝通及技術(shù)資料參考，采用HBM模型，等級為Class 1C；

5.3 PIM模塊ESD放電模型與等級選擇

5.3.1 PIM模塊的ESD放電模型選擇

PIM模塊選擇JESD-22A114F標(biāo)準(zhǔn)的HBM放電模型進(jìn)行靜電耐受量的考量。

5.3.2 PIM模塊ESD考量等級

PIM模塊選擇Class 1C等級，對應(yīng)1KV等級；

5.4 PIM模塊引腳測試組合方案

5.4.1 ESD-22A114Fpin腳組合說明

5.4.2 PIM模塊具體引腳說明

5.5 PIM模塊ESD實(shí)施流程