30W快充應(yīng)用同步整流ic U711X推薦應(yīng)用范圍：U7116，輸出電壓3~21V，輸出電流≤3A；U7110，輸出電壓3~21V，輸出電流≤4A，是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U711X內(nèi)部集成有智能開通檢測功能，可以有效防止反激電路中由于寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關(guān)誤開通，提高了系統(tǒng)效率及可靠性！

同步整流ic U711X在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值3.8V)之前，芯片處于關(guān)機狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會發(fā)生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到VDD_ON之后，芯片啟動，內(nèi)部控制電路開始工作，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的溝道實現(xiàn)續(xù)流。當VDD電壓低于欠壓保護閾值VDD_OFF (典型值 3.5V)后，芯片關(guān)機，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。

變壓器副邊續(xù)流階段開始時，同步整流內(nèi)置MOSFET的溝道處于關(guān)閉狀態(tài)，副邊電流Is經(jīng)MOSFET體二極管實現(xiàn)續(xù)流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(<-500mV)。當負向Vds電壓小于同步整流ic U711X內(nèi)置MOSFET開啟檢測閾值Vth_on (典型值-220mV)，經(jīng)過開通延遲Td_on (典型值25ns)，內(nèi)置MOSFET的溝道開通。在同步整流內(nèi)置MOSFET導通期間，U711X采樣MOSFET 漏-源兩端電壓 (Vds)。當Vds電壓高于MOSFET關(guān)斷閾值Vth_of f (典型值 0mV)，經(jīng)過關(guān)斷延遲Td_of f (典型值 22ns)，內(nèi)置MOSFET的溝道關(guān)斷。

同步整流ic U711X管腳描述：

1 HV I 漏極檢測引腳。HV 到 Drain 建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值 100Ω

2 VDD P IC 供電引腳，VDD 到 GND 建議放置一個1μF的貼片陶瓷電容

3, 4 GND G IC 參考地

5,6,7,8 Drain P 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極

同步整流ic U711X內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。U711X的快速關(guān)斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應(yīng)力，可支持斷續(xù)工作模式(DCM)、準諧振工作模式(QR) 及連續(xù)工作模式 (CCM)。U711X內(nèi)部集成有智能的開通檢測功能，可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關(guān)誤開通。