電遷移是金屬線在電流和溫度作用下產(chǎn)生的金屬遷移現(xiàn)象——運(yùn)動(dòng)中的電子和主體金屬晶格之間相互交換動(dòng)量，金屬原子沿電子流方向遷移時(shí)，就會(huì)在原有位置上形成空洞，同時(shí)在金屬原子遷移堆積形成丘狀突起。

前者將引線開路或斷裂，而后者會(huì)造成光刻困難和多層布線之間的短路，從而影響芯片的正常工作。

為更好地滿足客戶EM測試需求，季豐電子提供EM測試樣品制備服務(wù)，樣品外形涵蓋DIP8、DIP16、DIP24、DIP28等。

工藝可靠性電遷移（EM）測試

芯片經(jīng)過長時(shí)間高溫、大電流（密度），容易引起金屬線metal-line或連接通孔Via失效，測試環(huán)境250~300°。

測試流程是通過在施加溫度和電流時(shí)測量電阻，直至該顆測試樣品達(dá)到設(shè)定電阻變化，被判定失效發(fā)生，測試實(shí)驗(yàn)終止。

樣品制備流程：晶圓減薄劃片-陶瓷管殼打線

陶瓷管殼焊線材質(zhì)一般用金線和鋁線，以下將2種材質(zhì)的樣品進(jìn)行對(duì)比：

1. 陶瓷管殼封裝-Au wire 實(shí)驗(yàn)溫度條件 250°C

（FApictureofAubond）

2. 陶瓷管殼封裝-Alwire實(shí)驗(yàn)溫度條件250°C

當(dāng)溫度處于250°C，時(shí)間達(dá)到48小時(shí)，頂部金屬擴(kuò)散到Au和Al襯底，會(huì)引起測試結(jié)構(gòu)Open。

EM測試時(shí)需要250°以上高溫，使用鋁線制備EM樣品最佳。

審核編輯：劉清