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浪潮存儲(chǔ) ? 來源:未知 ? 2023-08-28 16:10 ? 次閱讀
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論壇

數(shù)聚AI 新存致遠(yuǎn)

8月29日

0910

浪潮信息存儲(chǔ)產(chǎn)品線副總經(jīng)理:劉希猛

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分論壇

專注可靠 綠色高效

打造數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)底座

8月30日

14:00-14:30

浪潮信息集中式存儲(chǔ)總經(jīng)理:王爽

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生成式AI時(shí)代 極致存儲(chǔ) 智慧有數(shù)

8月30日

09:30-10:00

浪潮分布式存儲(chǔ)總經(jīng)理:姜樂果

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閱讀原文了解2023閃存峰會(huì)詳情


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    發(fā)表于 04-09 15:02

    迅為RK3588開發(fā)板實(shí)時(shí)系統(tǒng)編譯-Preemption系統(tǒng)/ Xenomai系統(tǒng)編譯-編譯Linux實(shí)時(shí)系統(tǒng)-單獨(dú)編譯1

    界面,進(jìn)入之后如下所示: ./build.sh 光標(biāo)默認(rèn)就在uboot,所以直接回車即可開始uboot的編譯,編譯過程如下所示: Uboot 編譯完成如下圖所示: 編譯完成后生成 uboot.img 到 u-boot 目錄,如下圖所示: 第二步:編譯 kernel(關(guān)注
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    為什么耐高溫材料的關(guān)注度持續(xù)不減

    前言 在材料科學(xué)的中,耐高溫高分子材料無疑占據(jù)著極為關(guān)鍵的位置,展現(xiàn)出廣闊的發(fā)展前景和重大意義。為什么耐高溫材料的關(guān)注度持續(xù)不減呢? 耐高溫的核心是什么? 首先需要明確的是,耐高溫是一種較為常見且
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    就在明天!年度IC設(shè)計(jì)盛會(huì)ICCAD 2024!邀您相聚上海,共啟數(shù)智驗(yàn)證之旅!
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    敬請(qǐng)期待 | 迅為RK3576開發(fā)板即將發(fā)布

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    的頭像 發(fā)表于 11-22 15:13 ?618次閱讀
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    BQ77915被動(dòng)均衡的介紹及相關(guān)注意事項(xiàng)

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    發(fā)表于 08-29 14:33 ?0次下載
    BQ77915被動(dòng)均衡的介紹及相<b class='flag-5'>關(guān)注</b>意事項(xiàng)

    INA188同一頻率下不同大小的信號(hào)放大倍數(shù)不一樣,為什么?

    ,所以不是采樣電阻的問題。 3、電路與其它電路斷開后仍然存在放大倍數(shù)不一致現(xiàn)象,可以斷定問題就在這一塊。 4、是否因?yàn)樽呔€引起?明天直接測運(yùn)放引腳處得輸入信號(hào),看看是不是干擾。 5、是不是反饋電阻不穩(wěn)定
    發(fā)表于 08-20 06:23

    MOS需關(guān)注哪些參數(shù)?

    MOS是一種用于驅(qū)動(dòng)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的集成電路,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明等領(lǐng)域。在設(shè)計(jì)和選擇MOS驅(qū)動(dòng)芯片時(shí),需要關(guān)注以下幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù): 1. 輸入電壓
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