前言

本文以龍騰MOS管為基礎(chǔ)，分享幾種PD快充目前最常用最有效的幾種拓部結(jié)構(gòu)，與應(yīng)用方式。

可以幫助到大家更全面的了解PD 快充的原理以及應(yīng)用技巧。

一、快充技術(shù)背景以及趨勢

1.PD快充背景介紹

隨著智能電子產(chǎn)品的高速發(fā)展，顯示越加清晰，像素越來越高，處理器運行速度和內(nèi)存性能不斷提高，這就要求其電池容量更大、能量密度更大、產(chǎn)品小型化、輕量化，最典型的就是手機、平板、筆記本。手機電池的容量基本都達到5000mAh，如此大的容量，對充電速度提出了更高的要求。

2.遵循的原理-倆大技術(shù)路徑

遵循的原理 是最基本的 P = U × I，快充的兩條技術(shù)路徑如下：

1. 高壓小電流：優(yōu)點是線損小，缺 點是手機端需降壓，手機發(fā)熱嚴(yán)重（僅在黑屏下快充）。

2. 低壓大電流：優(yōu)點是手機端損耗小，可邊玩邊快充，缺點是線損大，需要改進充電線材及端口。

3.USB type C的演變

4.USB充電器產(chǎn)品類型

5.USB充電器接口

二、PD快充充電器調(diào)研

三、PD快充拓?fù)鋱D以及龍騰對應(yīng)型號推薦

快充充電器拓?fù)?1

快充充電器拓?fù)?2

快充充電器拓?fù)?3

輸出電壓變化過程與效率

四、超結(jié)MOSFET在PD中應(yīng)用問題

• 1.輻射——EMI優(yōu)化器件更受歡迎；
• 2.效率；
• 3.在LLC應(yīng)用中，體二極管反向恢復(fù)問題，開關(guān)動作容易引起采樣干擾；
• 4.在ACF中，會有大電流沖擊，MOSFET會在大電流下關(guān)斷，考驗器件的dv/dt能力；
• 5.某些設(shè)計中，待機功耗較大。

五、SGT MOSFET在PD中應(yīng)用問題

• 1.輻射；
• 2.體二極管反向恢復(fù)問題，CCM下容易引起VDS尖峰過高。

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