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基于TAE32F5300主控芯片的1KW GaN圖騰柱PFC+LLC數(shù)字控制電源方案

德瑞泰電子 ? 2022-08-03 15:26 ? 次閱讀
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泰為推出的基于TAE32F5300芯片的1KW圖騰柱PFC+LLC電源方案,其中功率管使用了GaNext (鎵未來) 的GaN (型號為:G1N65R035TB-N)。該方案具有性能優(yōu)越、效率高等特點,其主要性能參數(shù)如下:

pYYBAGLqIgiAWM4vAAGYxCa-qXM182.png

基于TAE32F5300芯片的1KW圖騰柱PFC+LLC的電源方案可以實現(xiàn),得益于芯片的如下性能:

具有ERPU協(xié)處理器,節(jié)約算法運算耗時

12通道高精度脈寬調(diào)制器(PWM),每路PWM輸出最小分辨率為195ps

ADC支持2.2MSPS采樣速率,ADC分辨率達到13位,支持過采樣、平均濾波等功能

4路DAC和CMP,其中DAC的分辨率為12位,CMP的轉(zhuǎn)換延遲為18ns

支持CBC、OST等多種故障保護模式

Vol.2 方案特點

基于TAE32F5300的1KW圖騰柱PFC+LLC數(shù)字電源具有強大的產(chǎn)品優(yōu)勢:

1

更高效

圖騰柱拓撲&GAN 具有更低的功率損耗,整機峰值效率達96%

2

更快速

使用IIR模塊實現(xiàn)50K的軟件鎖相,實現(xiàn)更高的環(huán)路計算頻率

3

更穩(wěn)定

數(shù)字控制方式、自動環(huán)路補償功能,加快了瞬態(tài)響應能力,增強了系統(tǒng)的穩(wěn)定性

4

更安全

芯片內(nèi)置快速的比較器,可實現(xiàn)CBC保護可以軟件編輯過壓、欠壓、過流等各種保護功能


TAE32F5300提供LQFP64、LQFP48、WQFN40、QFN32四種封裝形式。全系列內(nèi)置75KB容量FLASH程序存儲器,16KB容量數(shù)據(jù)FLASH存儲器,16KB系統(tǒng)SRAM+8KB算法SRAM,工作結(jié)溫范圍為-40°C ~ 125°C (工業(yè)級溫度)。

TAE32F5300已于2021年實現(xiàn)量產(chǎn)。

poYBAGLqImiAN1oDABBhaY287aE529.png
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