99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

旭化成旗下Crystal IS宣布生產(chǎn)4英寸氮化鋁單晶襯底

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-08-16 11:08 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)外電eenews報(bào)道,日本旭化成子公司Crystal IS在世界上首次成功生產(chǎn)了直徑4英寸(100毫米)的單晶氮化鋁襯底(基板)。

氮化鋁基板具有低缺陷密度、高紫外線透明度和低雜質(zhì)濃度、超寬帶差距及高熱傳導(dǎo)效率,對(duì)uvc led及電力配件等產(chǎn)業(yè)非常有魅力。根據(jù)目前uvc紫外線led的需求,4英寸基板的使用率超過(guò)80%。

旭化成研究員naohiro kuze博士表示:“此次成果證明,氮化鋁除了uvc led以外,在新的行業(yè)中也具有商業(yè)可能性?!?/p>

1997年成立的Crystal IS一直致力于開(kāi)發(fā)能夠生產(chǎn)260-270納米波長(zhǎng)紫外線led制造用直徑2英寸基板的氮化鋁基板。該公司擁有滿足消費(fèi)者需求的2英寸生產(chǎn)能力,每年生產(chǎn)數(shù)千個(gè)2英寸基板。

如果4英寸氮化鋁基板成功實(shí)現(xiàn)商用化批量生產(chǎn),該公司將產(chǎn)量翻一番。隨著生產(chǎn)能力的提高,可以整合到電力和無(wú)線頻率要素的生產(chǎn)中,基于氮化鋁的新應(yīng)用產(chǎn)品也將問(wèn)世。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • led
    led
    +關(guān)注

    關(guān)注

    242

    文章

    23828

    瀏覽量

    673798
  • 紫外線
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    375

    瀏覽量

    21698
  • 熱傳導(dǎo)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    42

    瀏覽量

    12587
  • 氮化鋁基板
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    15

    瀏覽量

    8034
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    從氧化鋁氮化鋁:陶瓷基板材料的變革與挑戰(zhàn)

    )和氮化硅(Si3N4)。這些材料各具特色,適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景,下面由深圳金瑞欣小編講解一下它們性能的詳細(xì)對(duì)比分析。 不同陶瓷材料性能對(duì)比如下: 氧化鋁(Al2O3) ? 氧化鋁陶瓷
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:53 ?160次閱讀
    從氧<b class='flag-5'>化鋁</b>到<b class='flag-5'>氮化鋁</b>:陶瓷基板材料的變革與挑戰(zhàn)

    12英寸SiC,再添新玩家

    科晶體也宣布成功研制差距12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底,并同期研制成功12英寸N型碳化硅單晶
    的頭像 發(fā)表于 05-21 00:51 ?6480次閱讀

    12英寸碳化硅襯底,又有新進(jìn)展

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近日,由西湖大學(xué)孵化的西湖儀器成功實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離自動(dòng)化解決方案,大幅降低損耗,提升加工速度,推進(jìn)了碳化硅行業(yè)的降本增效。 ? 碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓
    的頭像 發(fā)表于 04-16 00:24 ?2012次閱讀

    我國(guó)首發(fā)8英寸氧化鎵單晶,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破!

    2025年3月5日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布,成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標(biāo)志著我國(guó)在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了國(guó)際領(lǐng)先地位,也為我國(guó)
    的頭像 發(fā)表于 03-07 11:43 ?1479次閱讀
    我國(guó)首發(fā)8<b class='flag-5'>英寸</b>氧化鎵<b class='flag-5'>單晶</b>,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破!

    氮化鋁陶瓷基板:高性能電子封裝材料解析

    系統(tǒng))以及高溫穩(wěn)定(如航空航天和工業(yè)設(shè)備)等領(lǐng)域。生產(chǎn)工藝包括原料制備、成型、燒結(jié)和后處理等步驟,原料純度是關(guān)鍵。氮化鋁陶瓷基板市場(chǎng)需求不斷增加,未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)是更高性能、更低成本和更環(huán)保。作為現(xiàn)代電子工業(yè)中的重要材料,氮化鋁陶瓷
    的頭像 發(fā)表于 03-04 18:06 ?597次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化鋁</b>陶瓷基板:高性能電子封裝材料解析

    環(huán)球晶宣布:6英寸碳化硅襯底價(jià)格趨于穩(wěn)定

    的前景似乎更為樂(lè)觀。 報(bào)道指出,2024年市場(chǎng)供過(guò)于求影響全球SiC行業(yè),價(jià)格跌破生產(chǎn)成本,擾亂了全球供應(yīng)鏈。徐秀蘭透露,價(jià)格已暴跌超過(guò)50%,達(dá)到前所未有的低點(diǎn)。盡管6英寸SiC襯底價(jià)格現(xiàn)已穩(wěn)定,但短期內(nèi)復(fù)蘇尚不明顯。 此前有
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:35 ?533次閱讀

    第四代半導(dǎo)體新進(jìn)展:4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜

    生長(zhǎng)4英寸導(dǎo)電型氧化鎵單晶仍沿用了細(xì)籽晶誘導(dǎo)+錐面放肩技術(shù),籽晶與晶體軸向平行于[010]晶向,可加工4英寸(010)面
    發(fā)表于 02-17 09:13 ?971次閱讀

    鎵仁半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電摻雜

    VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”)基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化,采用垂直布里奇曼(VB)法成功實(shí)現(xiàn)4
    的頭像 發(fā)表于 02-14 10:52 ?473次閱讀
    鎵仁半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)VB法<b class='flag-5'>4</b><b class='flag-5'>英寸</b>氧化鎵<b class='flag-5'>單晶</b>導(dǎo)電摻雜

    豐田合成開(kāi)發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓

    近日,日本豐田合成株式會(huì)社宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破:成功開(kāi)發(fā)出用于垂直晶體管的200mm(8英寸氮化鎵(GaN)單晶晶圓。
    的頭像 發(fā)表于 01-23 16:46 ?827次閱讀

    揭示電子行業(yè)中氮化鋁的3個(gè)常見(jiàn)誤區(qū)

    雖然早在1862年就首次開(kāi)發(fā)了氮化鋁(AIN),但直到20世紀(jì)80年代,其在電子行業(yè)中的潛力才被真正認(rèn)識(shí)到。經(jīng)過(guò)幾年的發(fā)展,氮化鋁憑借其獨(dú)特的特性,成為下一代電力電子設(shè)備(如可再生能源系統(tǒng)和電動(dòng)汽車
    的頭像 發(fā)表于 01-22 11:02 ?582次閱讀
    揭示電子行業(yè)中<b class='flag-5'>氮化鋁</b>的3個(gè)常見(jiàn)誤區(qū)

    日本開(kāi)發(fā)出用于垂直晶體管的8英寸氮化單晶晶圓

    工藝的橫向晶體管相比,采用氮化單晶構(gòu)建垂直晶體管可提供更高密度的功率器件,可用于 200mm 和 300mm 晶圓。然而,制造尺寸大于4英寸的GaN
    的頭像 發(fā)表于 01-09 18:18 ?897次閱讀

    碳化硅襯底,進(jìn)化到12英寸

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開(kāi)始逐漸落地,進(jìn)入試產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 11-21 00:01 ?4114次閱讀
    碳化硅<b class='flag-5'>襯底</b>,進(jìn)化到12<b class='flag-5'>英寸</b>!

    氮化鎵晶圓在劃切過(guò)程中如何避免崩邊

    9月,英飛凌宣布成功開(kāi)發(fā)出全球首款12英寸(300mm)功率氮化鎵(GaN)晶圓。12英寸晶圓與8英寸晶圓相比,每片能多
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:25 ?1577次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b>鎵晶圓在劃切過(guò)程中如何避免崩邊

    功率氮化鎵進(jìn)入12英寸時(shí)代!

    等第三代半導(dǎo)體而言,它們還有提升空間。 ? 就在9月11日,英飛凌宣布率先開(kāi)發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm(12英寸氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù),英飛凌也成為了全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 09-23 07:53 ?6564次閱讀
    功率<b class='flag-5'>氮化</b>鎵進(jìn)入12<b class='flag-5'>英寸</b>時(shí)代!

    合盛新材料8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項(xiàng)目全線貫通

    合盛硅業(yè)旗下寧波合盛新材料有限公司近日傳來(lái)振奮人心的消息,其8英寸導(dǎo)電型4H-SiC(碳化硅)襯底項(xiàng)目已圓滿實(shí)現(xiàn)全線貫通,標(biāo)志著公司在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的研發(fā)與
    的頭像 發(fā)表于 09-12 17:20 ?1179次閱讀