半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體，GaN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體前景廣闊。Ga2O3是大功率、高效率、特高壓器件的理想選擇，是高靈敏、高響應(yīng)日盲紫外探測(cè)器的天然材料。從Ga2O3材料國(guó)內(nèi)外發(fā)展形勢(shì)來(lái)看，Ga2O3產(chǎn)業(yè)化時(shí)間短、技術(shù)差距小、產(chǎn)品應(yīng)用面廣、市場(chǎng)空間巨大。美國(guó)、日本已對(duì)中國(guó)全面禁運(yùn)Ga2O3襯底材料和相關(guān)器件設(shè)備。我國(guó)Ga元素儲(chǔ)量豐富，提煉技術(shù)先進(jìn)，大尺寸Ga2O3單晶襯底實(shí)現(xiàn)低成本生產(chǎn)。

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會(huì)、全國(guó)半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

期間，“平行論壇2：光電子器件及應(yīng)用”上，廈門大學(xué)徐翔宇帶來(lái)了“氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測(cè)器研究”的主題報(bào)告，報(bào)告分享了高性能Ga2O3光電探測(cè)器的性能調(diào)控，以及Al/In合金化薄膜的光電調(diào)控和電子結(jié)構(gòu)的研究進(jìn)展與成果。

研究顯示，通過(guò)對(duì)外延薄膜后退火處理，獲得高響應(yīng)度、高探測(cè)率的日盲紫外光電探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)對(duì)實(shí)際日盲信號(hào)的靈敏響應(yīng)。解釋了器件性能的大幅改善，是受到了由退火引起的缺陷以及表面狀態(tài)變化的共同影響。通過(guò)對(duì)Ga2O3進(jìn)行Al/In合金化，實(shí)現(xiàn)了大范圍的帶隙調(diào)控，制備出了能夠響應(yīng)全日盲波段的紫外光電探測(cè)器，并解釋了合金組分的引入對(duì)能帶結(jié)構(gòu)的影響。





審核編輯：劉清