7月11日，據(jù)“中國(guó)光谷”微信公眾號(hào)消息，華工科技近期制造出了我國(guó)首臺(tái)核心部件100%國(guó)產(chǎn)化的高端晶圓激光切割設(shè)備。

據(jù)華工激光半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)黃偉介紹，半導(dǎo)體晶圓屬于硬脆材料，在一個(gè)12英寸的晶圓上有數(shù)千顆甚至數(shù)萬顆芯片，晶圓切割和芯片分離無論采取機(jī)械或激光方式，都會(huì)因物質(zhì)接觸和高速運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生熱影響和崩邊，從而影響芯片性能，因此，控制熱影響的擴(kuò)散范圍和崩邊尺寸是關(guān)鍵。

而機(jī)械切割的熱影響和崩邊寬度約20微米，傳統(tǒng)激光在10微米左右；此外，切割線寬的減少，意味著晶圓能做到更高的集成度，從而使得半導(dǎo)體制造更經(jīng)濟(jì)、更有效率。

自去年以來，黃偉團(tuán)隊(duì)對(duì)半導(dǎo)體晶圓切割技術(shù)，展開微納米級(jí)激光加工的迭代升級(jí)、攻堅(jiān)突破，“最忙時(shí)團(tuán)隊(duì)20多人兩班倒輪流做測(cè)試實(shí)驗(yàn)和產(chǎn)品優(yōu)化，設(shè)備24小時(shí)不停?！?/p>

經(jīng)過一年努力，華工科技制的半導(dǎo)體晶圓切割技術(shù)成功實(shí)現(xiàn)升級(jí)，熱影響降為0，崩邊尺寸降至5微米以內(nèi)，切割線寬可做到10微米以內(nèi)。成為了我國(guó)首臺(tái)核心部件100%國(guó)產(chǎn)化的高端晶圓激光切割設(shè)備，在半導(dǎo)體激光設(shè)備領(lǐng)域攻克多項(xiàng)中國(guó)第一。

按照生產(chǎn)一代、研發(fā)一代、儲(chǔ)備一代的理念，華工激光正在研發(fā)具備行業(yè)領(lǐng)先水平的第三代半導(dǎo)體晶圓激光改質(zhì)切割設(shè)備，計(jì)劃今年7月推出新產(chǎn)品，同時(shí)也正在開發(fā)我國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的第三代半導(dǎo)體晶圓激光退火設(shè)備。

資料顯示，華工科技成立于1999年，擁有20000多平米的研發(fā)、中試基地，在海外設(shè)有3個(gè)研發(fā)中心，與華中科技大學(xué)共建有激光加工國(guó)家工程研究中心、國(guó)家防偽工程研究中心、敏感陶瓷國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。通過產(chǎn)學(xué)研用紐帶，華工科技牽頭制定國(guó)家“863”計(jì)劃項(xiàng)目、國(guó)家科技支撐計(jì)劃項(xiàng)目、十三五國(guó)家重大科技計(jì)劃專項(xiàng)等50余項(xiàng)，牽頭制定中國(guó)激光行業(yè)首個(gè)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，獲得國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)3項(xiàng)。

審核編輯：劉清