一、重點(diǎn)參數(shù)回顧

這里 并不全部列出所有的運(yùn)放內(nèi)部參數(shù) ，主要是幫助大家回顧最為 常用的七個(gè)參數(shù) ，也是后面要用來(lái)進(jìn)行運(yùn)放選型的內(nèi)容：

（ 不求記住如何計(jì)算，大致上理解參數(shù)概念就可以 ）失調(diào)電壓、失調(diào)電流、偏置電流、增益帶寬積、共模抑制比、失調(diào)電壓溫漂、轉(zhuǎn)換速度

這些參數(shù)都會(huì)寫(xiě)在數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格頁(yè)，有些重點(diǎn)標(biāo)明的參數(shù)還會(huì)寫(xiě)在數(shù)據(jù)手冊(cè)首頁(yè)。

1、失調(diào)電壓Vos

定義： 將運(yùn)放輸入端接地，理想運(yùn)放輸出為零，但實(shí)際的運(yùn)放輸出不為零。將實(shí)際運(yùn)放的輸出電壓除以增益所得到的等效輸入電壓稱(chēng)為失調(diào)電壓。

影響因素： 溫度（對(duì)應(yīng)失調(diào)電壓溫漂）、電源波動(dòng)（對(duì)應(yīng)電源抑制比）

影響結(jié)果： 運(yùn)算放大器輸出結(jié)果同理論值存在偏差，并且由于受溫度和電源波動(dòng)的影響，此誤差并不是固定值。注意：Vos為直流偏置，直接疊加在輸出上，因此如果是交流信號(hào)不必過(guò)多擔(dān)心該值，但是需要考慮是否疊加后超過(guò)供電電壓導(dǎo)致信號(hào)失真。 當(dāng)圖1中輸出受到Vos影響時(shí) ：

Vout=（1+R2/R1）×（Vos+Vin）

圖1：反向放大電路

2、偏置電流IB

定義： 當(dāng)運(yùn)放輸出直流電壓為零時(shí)，運(yùn)放兩個(gè)輸入端流進(jìn)或者流出直流電流的平均值

影響因素： 制造工藝，雙極型工藝 （即上述的標(biāo)準(zhǔn)硅工藝）的輸入偏置電流在±10nA~1μA之間； 場(chǎng)效應(yīng)管做輸入級(jí) ，輸入偏置電流一般低于1nA。

影響結(jié)果： 運(yùn)算放大器輸出結(jié)果同理論值存在偏差，參照?qǐng)D1，受偏置電流Ib影響得到的**偏置電壓為：**VB=R1*R2/（R1+R2）*Ib

對(duì)應(yīng) 得到的輸出為 ：

Vout=R1*R2/（R1+R2）*Ib+Vin。

可以通過(guò)在同相端增加匹配電阻：

R3= R1*R2/（R1+R2），實(shí)現(xiàn)誤差消除。

3、失調(diào)電流Ios

定義： 當(dāng)運(yùn)放輸出直流電壓為零時(shí)，運(yùn)放兩個(gè)輸入端流進(jìn)或者流出直流電流的差值

影響因素： 制造工藝 ，很難保證兩個(gè)輸入端口的偏置電流相等

影響結(jié)果： 同樣在運(yùn)放輸出信號(hào)引入誤差，如圖1中計(jì)算受到失調(diào)電流影響的輸出結(jié)果為：

Vout=（1+R2/R1）×（Ios*R2+Vin）

4、增益帶寬積GBP （Gain Band with Product）

定義： 在某頻率下測(cè)量的開(kāi)環(huán)電壓增益與測(cè)量頻率的乘積，GBP=FH*AM如圖所示，其中頻率為fH運(yùn)放增益衰減為-3dB時(shí)帶寬，ft時(shí)為單位增益帶寬。

影響因素： 這是由于運(yùn)放內(nèi)容結(jié)電容的頻率響應(yīng)特性導(dǎo)致。

影響結(jié)果： 該參數(shù)表明在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須考慮放大增益倍數(shù)同信號(hào)頻率之間的關(guān)系， 高頻信號(hào)增益大小受限 ，必須選用GBP參數(shù)較大的運(yùn)放。

5、共模抑制比CMRR（Common Mode Rejection Ratio）

定義： 放大器對(duì)差模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Aud與對(duì)共模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Auc之比，CMRR=Aud/Auc或者表示為

CMR=20lg│Aud/Auc│(dB)。

影響因素： 電路對(duì)稱(chēng)性（失調(diào)電流等參數(shù)）、線(xiàn)性工作范圍

影響結(jié)果： 這一參數(shù)是為了說(shuō)明差分放大電路抑制共模信號(hào)及放大差模信號(hào)的能力， 抑制共模輸入的干擾信號(hào)提高信噪比 。

6、失調(diào)電壓溫漂αVOS

定義： 芯片承受溫度范圍內(nèi)，輸入失調(diào)電壓的變化與溫度變化的比值

影響因素： 溫度

影響結(jié)果： 失調(diào)電壓發(fā)生變化， 導(dǎo)致運(yùn)放輸出受到影響， 如果是直流信號(hào)后面跟A/D，直接影響最后檢測(cè)結(jié)果。

7、轉(zhuǎn)換速度SR （Slew Rate）

定義： 也稱(chēng)為 壓擺率 ，將一個(gè)大信號(hào)（包括階躍信號(hào)）輸入至運(yùn)放輸入端，運(yùn)算放大器輸出電壓的上升速率，單位有通常有V/s，V/ms和V/μs。 壓擺率的數(shù)學(xué)定義 ：SR=2×pi×f×Vpk。

式中： f為最大頻率，一般認(rèn)為是帶寬；Vpk是放大輸出信號(hào)的最大峰峰值。

影響結(jié)果： 評(píng)價(jià)運(yùn)放對(duì)信號(hào)變化速度的適應(yīng)能力，是衡量運(yùn)放在大幅度信號(hào)作用時(shí)工作速度的參數(shù)。當(dāng)輸入信號(hào)變化斜率的絕對(duì)值小于SR時(shí)， 輸出電壓才按線(xiàn)性規(guī)律變化 。

二、歸類(lèi)選型

看完常見(jiàn)的運(yùn)放參數(shù)，大家其實(shí)心里面已經(jīng)有一個(gè)初步的概念了，也大致知道如何確定一個(gè)運(yùn)放的特性，那么 下面幫大家對(duì)運(yùn)放的要求進(jìn)行歸類(lèi) ，同時(shí)對(duì)照上面參數(shù)，幫助大家更好的去建立一個(gè)整體思維，按照順序思考?xì)w類(lèi)，更加方便記憶哦：

1、輸入信號(hào)類(lèi)型

問(wèn)己： 交流還是直流？差分還是單端？低頻還是高頻？

判斷： 直流注意 失調(diào)電流 、失調(diào)電壓參數(shù)；差分輸入判斷是否選擇 儀表放大器 ；高頻交流注意增益帶寬積GBD和 轉(zhuǎn)換速度SR ；

2、精度要求

算參： 根據(jù)精度要求，重點(diǎn)計(jì)算失調(diào)電壓、偏置電流、失調(diào)電流以及共模抑制比對(duì)精度影響，判斷是否選用高阻運(yùn)放或者是 精密運(yùn)放 。

3、環(huán)境條件

問(wèn)己： 溫度極端否？溫度變化劇烈否？電源波動(dòng)嚴(yán)重否（用了DCDC或者模數(shù)分割沒(méi)做好，這些坑我都踩過(guò)）？

算參： 看看運(yùn)放 溫度量程 ；注意溫漂參數(shù)影響；注意電源紋波抑制比PSRR 參數(shù) （沒(méi)列出來(lái)，可以望文生義）；

4、其他要求

1）通道數(shù)： 如果是多級(jí)在確定其他指標(biāo)前提下選用多通道運(yùn)放；

2）單/雙電源： 選軌對(duì)軌信號(hào)失真小，可滿(mǎn)幅值輸出；

3）功率大?。?/strong> 高壓或大電流選用專(zhuān)用功率運(yùn)放；