功率放大器基本原理
功率放大器有很多種不同的分類方式,傳統(tǒng)上,按照功率放大器放大信號的模式,大體上可將功率放大器分為兩類:放大模式功率放大器和開關(guān)模式功率放大器。
放大模式功率放大器工作在雙極型晶體管的正向放大區(qū)和場效應(yīng)管的飽和區(qū)。放大模式功率放大器按照導(dǎo)通角不同又可以分為A類、B類、C類和AB類功率放大器。
對雙極型晶體管來說,開關(guān)工作模式功率放大器根據(jù)雙極型晶體管所處的端電壓狀態(tài),工作在截止區(qū)或飽和區(qū);對場效應(yīng)晶體管而言,開關(guān)工作模式放大器根據(jù)場效應(yīng)晶體管所處的端電壓狀態(tài),工作在截止區(qū)或線性區(qū)。開關(guān)模式功率放大器可以分為D類、E類和F類。
下面分別總結(jié)A、B、C和AB類功率放大器。
(1)A類功率放大器
A類功率放大器,晶體管在信號的整個周期內(nèi)均處于導(dǎo)通狀態(tài),其導(dǎo)通角為360度。A類功率放大器的輸入和輸出都是完整的正弦波信號,實(shí)現(xiàn)信號線性放大,所以A類功率放大器的線性度是最好的。A類功率放大器的優(yōu)點(diǎn)是線性度好、失真小,較好的噪聲系數(shù),其缺點(diǎn)是效率不高,尺寸大和較高的熱損耗,其效率理論上最高僅為50%。
(2)B類功率放大器
該功率放大器由兩個不同類型的晶體管-NPN晶體管和PNP晶體管——推挽構(gòu)成。當(dāng)輸入信號在正半周時,NPN晶體管導(dǎo)通,PNP晶體管截止;當(dāng)輸入信號在負(fù)半周期時,PNP晶體管導(dǎo)通,NPN晶體管截止。這樣在整個信號周期內(nèi),兩個晶體管交替工作,輸出電流和電壓波形仍然保持完整。每個晶體管只有半個周期導(dǎo)通,因此導(dǎo)通角為180度。由于B類功率放大器的晶體管沒有在整個信號周期導(dǎo)通,所以晶體管靜態(tài)損耗比A類功率放大器小,效率要相對高一些。雖然B類功率放大器效率比較高,但是當(dāng)晶體管趨于飽和或者電流為0甚至截止時會出現(xiàn)非線性現(xiàn)象。B類功率放大器在理想狀態(tài)下效率可以達(dá)到78.5%。
(3)C類功率放大器
C類功率放大器,導(dǎo)通角小于180度,晶體管只有小于半個周期是導(dǎo)通的,負(fù)載上的電流也只是整個正弦信號的一部分。信號出現(xiàn)失真,此時晶體管工作在非線性區(qū),所以通常需要濾波網(wǎng)絡(luò)濾出諧波分量。C類功率放大器的最大效率理論上可以達(dá)到100%,但此時的導(dǎo)通角為0度,即晶體管處于截止?fàn)顟B(tài),沒有功率輸出。
(4)AB類功率放大器
AB類功率放大器工作原理如圖所示。AB類功率放大器介于A類功率放大器和B類功率放大器之間,在沒有信號輸入時,對晶體管加一個較小的靜態(tài)偏執(zhí)電流,使其在輸入信號的大半個周期處于導(dǎo)通狀態(tài),導(dǎo)通角大于180度,小于360度,其效率和線性度也介于兩者之間。所以此類功率放大器是一個效率和線性度很好折中的功率放大器。
功率放大器的性能參數(shù)
功率放大器主要用來放大射頻信號至需要的功率以使接收機(jī)能夠接收到信號,功率放大器的基本性能參數(shù)包括輸出功率、功率增益、效率和線性度等,這些對于功率放大器的設(shè)計(jì)都是至關(guān)重要的。
1、輸出功率
功率放大器的輸出功率定義為功率放大器驅(qū)動給負(fù)載的帶內(nèi)射頻信號的總功率,它不包括諧波成分和雜散成分的功率。射頻功率放大器的負(fù)載通常為天線,射頻天線的等效阻抗一般為50Ω。
在不同的應(yīng)用中,功率放大器的輸出功率差別很大,對于移動通信的基站來說,發(fā)射功率可以達(dá)到上百瓦特,對于衛(wèi)星通信可以達(dá)到上千瓦特,而對于便攜式的無線通信設(shè)備,從計(jì)算毫瓦到幾百毫瓦不等。
2、功率增益
功率增益是表征功率放大器功率放大能力的物理量,也是功率放大器性能好壞的一個重要指標(biāo)。功率放大器的功率增益定義為輸出與輸入功率的比值。
3、效率
集電極最大效率定義為集電極的射頻輸出功率與直流功耗的比值。
4、線性度
線性度是衡量功率放大器輸出信號與輸入信號比值的線性關(guān)系的參數(shù)。當(dāng)晶體管工作在小信號狀態(tài)時,可以忽略非線性效應(yīng),視其為線性的。但射頻功率放大器工作在大信號狀態(tài),必須考慮晶體管的非線性效應(yīng)。
(1)、壓縮增益
當(dāng)功率放大器的輸入信號幅度在某一范圍內(nèi)變化時,輸出信號的幅度與輸入信號的幅度呈線性關(guān)系,即功率增益保持恒定。但隨著輸入信號幅度的增加,晶體管的工作區(qū)域由線性區(qū)轉(zhuǎn)向飽和區(qū),出現(xiàn)非線性失真,功率放大器的增益開始下降,或稱其為壓縮。通常以功率增益比線性增益小1dB時的功率點(diǎn)來衡量放大器的線性度,該點(diǎn)稱為1dB壓縮點(diǎn),通常用來表示,如下圖所示:
(2)、諧波失真
諧波失真是指當(dāng)功率放大器輸入單一信號時,在輸出端,除了基頻信號被放大外,原信號的各次諧波也被放大,導(dǎo)致可能干擾其他頻帶,通常需要加匹配網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行諧波抑制。
(3)三階交調(diào)失真
交調(diào)失真是指當(dāng)功率放大器的輸入端的兩個頻率相差很小時,會出現(xiàn)因輸入信號的和差(交互調(diào)變)而產(chǎn)生的交調(diào)失真信號,如圖所示,其中,三階交調(diào)失真(IMD3)因其頻率與載波頻率很近,難以用濾波器消除,容易干擾臨近頻率,對系統(tǒng)產(chǎn)生很大的危害。
三階交調(diào)失真定義為基頻信號的輸出功率與三階交調(diào)信號的功率比值。
三階交調(diào)點(diǎn)(IP3)為基頻信號功率與三階交調(diào)信號功率的虛擬延長線的交點(diǎn)。通常三階交調(diào)點(diǎn)功率大約比1dB壓縮點(diǎn)功率要高10dBm。
(4)、錯誤向量幅度
發(fā)射機(jī)發(fā)射的信號除了不在相鄰信道內(nèi)產(chǎn)生干擾外,對它的本質(zhì)要求是信道內(nèi)的信號具有很高的質(zhì)量,能被接收機(jī)準(zhǔn)確解調(diào)。錯誤向量幅度(EVM)就說為了衡量發(fā)射機(jī)的信號質(zhì)量而引入的參數(shù)。
功率放大器的設(shè)計(jì)步驟
1、確定設(shè)計(jì)指標(biāo),選擇工藝并添加設(shè)計(jì)所需的工藝庫
2、根據(jù)功率放大器的要求和晶體管確定靜態(tài)工作點(diǎn)
3、進(jìn)行功率放大器的電路設(shè)計(jì),包括偏置電路的設(shè)計(jì)、阻抗匹配等
4、對所設(shè)計(jì)電路進(jìn)行仿真,分析仿真曲線并優(yōu)化
功率放大器仿真實(shí)例
AB類功率放大器是設(shè)計(jì)中最為常用的一種形式,這種結(jié)構(gòu)較好地利用了效率和線性度進(jìn)行設(shè)計(jì)。
工作頻率:900MHz
1dB壓縮點(diǎn)輸出功率:>35dBm
增益:>20db
確定設(shè)計(jì)指標(biāo)后,就可以進(jìn)行功率放大器的設(shè)計(jì)和仿真了。
直流分析步驟
1、下載,建立原理圖所需要添加設(shè)計(jì)所需要的工藝庫
這時:Read-Only Libraries面就可以找到庫
2、新建工程和原理圖
這時就會出現(xiàn)兩個模型
3、調(diào)出MW6S010N晶體管,如圖所示,進(jìn)行電路搭建。
4、完成電路圖如下所示:
完成電路圖,并設(shè)置,之前在直流仿真中有講過。
這里會出現(xiàn)錯誤,如果只添加了MW6S010N,是不夠的,還需要添加RF_Power_ADS_designKit這個庫。
這些庫都需要到飛思卡爾的官網(wǎng)進(jìn)行下載。
這個庫導(dǎo)入之后還是不能夠,總是會出現(xiàn)找不到模型的錯誤。
在這里卡了很久,后面解決了,解決的方法如下:
點(diǎn)擊OK。
最后進(jìn)行仿真,得到直流仿真的結(jié)果如下:
功率放大器穩(wěn)定性分析步驟
主要觀察穩(wěn)定因子,穩(wěn)定因子小于1 ,則晶體管可能會振蕩,穩(wěn)定因子大于1,這代表晶體管處于穩(wěn)定狀態(tài)。
1、創(chuàng)建一個原理圖,命名為“PA_BIAS”,在原理圖選擇[insert]->[Template],選擇“S_Params”模板,自動插入S參數(shù)掃描模板。
2、從“Lumped-Components”元件面板中調(diào)出射頻扼流圈“DC-Feed”和隔直電容“DC_Block”;從“Source-Freq Domain”元件面板中調(diào)出“StabFact控件”控制器;雙擊兩個電源,分別將電壓設(shè)為3.3V和15V。
射頻扼流圈“DC-Feed”:RF choke射頻扼流圈,經(jīng)常應(yīng)用在電源濾波電路中,對高頻RF(射頻)信號呈高阻,從而抑制高頻信號進(jìn)入系統(tǒng),與磁珠的功能有點(diǎn)類似。
StabFact返回的是穩(wěn)定性因子。
完成電路如下圖所示:
3、進(jìn)行仿真,并添加StabFact曲線。
看“StabFact”可以看出穩(wěn)定系數(shù)隨頻率變化的曲線,可以看出,在900M時穩(wěn)定因子大于1,這代表晶體管處于穩(wěn)定狀態(tài)。如果穩(wěn)定因子小于1,則晶體管有可能會發(fā)生振蕩,所以要采取一定的穩(wěn)定措施來使晶體管處于穩(wěn)定工作狀態(tài)。
穩(wěn)定措施有很多,常用的一種是在晶體管的柵極加入一個小電阻,然而電阻的引入會導(dǎo)致增益和功率的降低,所以可以在電阻上并聯(lián)一個電容來減小損耗。增加電容和電阻之后的原理圖如下,穩(wěn)定系數(shù)曲線如下。
好了,今天就到這里了。
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