以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為代表的第三代化合物半導(dǎo)體，已在功率電子領(lǐng)域闖出一片天下。其中，碳化硅更適應(yīng)高壓、大電流的應(yīng)用場(chǎng)景，制霸新能源汽車(chē)市場(chǎng)，產(chǎn)值遠(yuǎn)超主攻中低電壓市場(chǎng)的氮化鎵。而近年來(lái)，氮化鎵的應(yīng)用已經(jīng)不再局限于快充等消費(fèi)電子市場(chǎng)，而是向數(shù)據(jù)中心、可再生能源甚至新能源汽車(chē)市場(chǎng)持續(xù)推進(jìn)。

英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用總監(jiān)鄒艷波表示，過(guò)去三年氮化鎵的性能獲得大幅提升，并且隨著技術(shù)的迭代和規(guī)模效應(yīng)發(fā)揮，成本與跟硅器件接近，特別是形成系統(tǒng)方案之后，整體的成本已經(jīng)可以為客戶(hù)帶來(lái)收益。據(jù)了解，英諾賽科擁有全球量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵的平臺(tái)，產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋15V到700V。相對(duì)于6英寸的平臺(tái)，8英寸單片晶圓器件可以增加80%，單顆產(chǎn)品就具備30%的成本優(yōu)勢(shì)。

在數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、汽車(chē)、通信電源等市場(chǎng)，對(duì)產(chǎn)品功率密度、能效、開(kāi)關(guān)頻率、熱管理、可靠性及尺寸等都提出了更高的要求。而氮化鎵因具備寬禁帶、高頻率、低損耗、抗輻射強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，正好滿足了各種應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)高效率、低能耗、高性?xún)r(jià)比的要求。

“在汽車(chē)領(lǐng)域，目前首先量產(chǎn)的是激光雷達(dá)產(chǎn)品，也有部分廠商正在致力于開(kāi)發(fā)用于汽車(chē)主逆變器的氮化鎵功率元件?！编u艷波表示。

氮化鎵也在向中高功率領(lǐng)域拓展。據(jù)了解，珠海鎵未來(lái)已經(jīng)著手將氮化鎵引入到戶(hù)外電源的雙向逆變器。聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體位居全球前五大功率分立器件公司，不斷提升氮化鎵在數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域性能，并推出了三代650V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

安世半導(dǎo)體副總裁姜克日前出席南沙國(guó)際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇時(shí)表示，未來(lái)汽車(chē)的800V構(gòu)架需要的1200V器件的話，業(yè)界給的主流答案肯定是碳化硅的；但預(yù)計(jì)未來(lái)三五年，縱向的GaN的器件方案將會(huì)推出。

國(guó)際功率巨頭更是對(duì)碳化硅和氮化鎵通吃的布局態(tài)度。英飛凌去年投資20億歐元，在馬來(lái)西亞擴(kuò)展寬禁帶半導(dǎo)體的產(chǎn)能，就包括碳化硅和氮化鎵；今年3月，英飛凌更是將斥資8.3億美元收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司，以進(jìn)一步增強(qiáng)英飛凌在功率系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

集邦咨詢(xún)化合物半導(dǎo)體分析師龔瑞驕表示，氮化鎵在400V系統(tǒng)內(nèi)車(chē)載充電機(jī)的應(yīng)用中，可能與碳化硅材料形成競(jìng)爭(zhēng)，但因?yàn)榈壊牧显诟邏荷系木窒蓿?00V系統(tǒng)領(lǐng)域短期內(nèi)應(yīng)該不會(huì)有競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)生。據(jù)預(yù)測(cè)，到2025年左右，氮化鎵功率元件會(huì)小批量地滲透到低功率的OBC（車(chē)載充電機(jī)）和DC-DC（直流轉(zhuǎn)直流電源）中，2030年代工廠商會(huì)考慮將氮化鎵移入到逆變器。