最近，三星舉辦了題為“加快創(chuàng)新速度”的“三星先進代工生態(tài)系統(tǒng)論壇”，公布了在芯片代工制造領域的一系列重要技術(shù)創(chuàng)新和業(yè)務發(fā)展計劃。

在論壇上，三星詳細介紹了他們的2納米制造工藝量產(chǎn)計劃和性能水平，并宣布從2025年開始提供8英寸氮化鎵（GaN）功率半導體代工服務，以滿足人工智能技術(shù)的需求。這種半導體具有高性能低功耗的特點，在消費類電子、數(shù)據(jù)中心和汽車等領域?qū)⒌玫綇V泛應用。

早在今年3月，就有報道指出三星計劃投資約2，000億韓元（約1.54億美元）用于生產(chǎn)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）半導體，主要用于電源管理IC?，F(xiàn)在的消息顯示，三星將采用8英寸晶圓來生產(chǎn)碳化硅和氮化鎵芯片，而不是像大多數(shù)廠商使用的6英寸晶圓。

此外，三星還計劃使用8英寸晶圓制造MicroLED。他們的先進技術(shù)研究院已經(jīng)擁有相關的氮化鎵技術(shù)。

三星選擇使用8英寸晶圓進行功率半導體生產(chǎn)具有引人注目的意義，因為大多數(shù)廠商在碳化硅芯片方面使用的是4英寸和6英寸晶圓。而對于氮化鎵芯片來說，8英寸晶圓正變得越來越普遍。

碳化硅和氮化鎵相較于硅具有更高的耐用性和能源效率，因此被廣泛應用于最新的電源管理IC。汽車行業(yè)普遍青睞碳化硅，而氮化鎵則在無線通信領域獲得更多應用機會，主要因為其快速切換的特點。

編輯：黃飛