韓國總理室下屬的尖端研究機構(gòu)對外經(jīng)濟政策研究院（kiep）發(fā)表報告稱，在5至10年內(nèi)，中國將躍升為下一代半導體生產(chǎn)的領先者。

《中國半導體國產(chǎn)化推進狀況》報告稱，中國正在擴大對電動汽車及能源儲存系統(tǒng)（ess）用新一代電力半導體（sic及gan配件）的支援，并追求技術優(yōu)勢。

報告稱：“由于在制造過程中存在各種專利壁壘，中國很難克服尖端半導體技術的障礙，但新一代輸出半導體可以看作是中國在今后5至10年內(nèi)可以引領的領域。”

報告稱：“中國目前正集中投資具備先進的半導體芯片設計（fab - lease）能力，但在這方面，美國對中國的制裁相對較小?！敝袊雽w設計企業(yè)數(shù)量從2014年的681家增加到2021年的2810家，增加4.1倍；在此期間，非晶片銷售額增加4.3倍（2021年4519億元人民幣）。

報告書特別介紹了中國半導體企業(yè)的特點。belocker等新生企業(yè)具有設計高性能圖像處理裝置（gpu）的能力。華為目前正在包裝（晶片級包裝技術）、極紫外線版畫（euv）、電子設計自動化（eda）等領域申請專利。阿里巴巴、byte dance、騰訊也已經(jīng)開始設計ai芯片。

半導體設備的國產(chǎn)化率也在迅速上升。截至去年，中國半導體制造設備的國產(chǎn)化率為35%，滲透率迅速提高。隨著韓國企業(yè)通過政府的投資支援迅速獲得技術，蝕刻、薄膜、沉積等工程領域的國產(chǎn)化率明顯提高。

與此同時，在中國的半導體制造競爭力方面，nand閃存和dram仍落后世界領先者2年左右，在市場版圖上，中央處理器（cpu）、dram和nand的國產(chǎn)化率到2021年為止僅為一位數(shù)。