電子發(fā)燒友網報道（文/吳子鵬）根據外媒的最新報道，日本政府支持的投資公司JIC(產業(yè)革新投資機構)計劃斥資64億美元（約合9093億日元）收購日本光刻膠龍頭JSR。據悉，JIC計劃在12月下旬發(fā)起收購要約以將JSR私有化，每股出價4350日元，比上周五的收盤價溢價35%。

考慮到JIC的背景和出資方（瑞穗銀行和日本開發(fā)銀行），很明顯日本政府是想要將JSR國有化。再結合近日日本經產省與荷蘭經濟事務和氣候政策部在東京簽署的半導體合作備忘錄，日本在東亞打造先進晶圓制造第三極的野心昭然若揭。

JSR是光刻膠主要供應商

JSR成立于1957年，是全球領先的材料供應商，截至2023年3月31日，JSR共有員工7994名。JSR 的全球總部位于日本東京，在歐洲、美國、中國大陸、中國臺灣、韓國和泰國設有工廠和辦事處，產品涉及生命科學、合成橡膠、電子材料、顯示器和光學材料等。

日本是全球最大的半導體材料生產國和出口國，據SEMI預測，在半導體材料領域，日本企業(yè)的占比高達52%左右，行業(yè)領先地位十分明顯。在光刻膠方面，用于7nm以下芯片制造的EUV光刻膠，日本的份額為100%。根據市場統(tǒng)計數據，JSR是全球僅存的幾家EUV光刻膠生產商之一，同時也是全球最大的光刻膠生產商。截至2020年末的統(tǒng)計數據顯示，全球前五大光刻膠供應商分別是JSR、東京應化、信越化學、住友化學和富士膠片，市占比分別為27%、25%、18%、14%和7%。

在用于130nm-7nm工藝的ArF光刻膠領域，JSR占比達39%，三星、臺積電、美光科技等行業(yè)巨頭都是JSR的客戶。

過去這些年，JSR一直都是光刻膠材料發(fā)展的引領者。在10nm及以上工藝時，***的發(fā)射波長為160 nm左右的浸入式ArF光源，這在聚合物材料的光吸收和反應范圍內，而過去30多年的時間里，JSR為首的公司一直在這個領域深挖，建立了很高的技術壁壘。

到了10nm工藝時，晶圓代工廠開始采用EUV***，發(fā)射波長變?yōu)?3.5nm，需要光刻膠在溶解后滿足以下指標：
·L/S：線/間距抗蝕墻寬度/墻與墻的間距；
·H/P或HP：半間距相鄰抗蝕墻的間距；
·LER：線邊緣粗糙度抗蝕墻壁兩側的粗糙度；
·LWR：線寬度粗糙度抗蝕墻壁的寬度變化。

在10nm制程下，要在非常狹窄的區(qū)域內控制質子發(fā)射和擴散，這是一項非常困難的工作，很難保證LWR、LER等方面的穩(wěn)定性和低變異性。因此，ASML公司開始轉向了Inpria的一種含有無機材料的光刻膠。而在2021年9月，JSR收購了Inpria。值得注意的是，在2017年JSR就推出了一種化學增幅型酸發(fā)生型聚合物光刻膠，能夠滿足5nm的制程工藝，現在有了Inpria的技術，JSR能夠繼續(xù)保持在先進制程用光刻膠方面的領先性。

而現在日本政府將JSR實現了國有化，那么當日本的先進制程量產后，可以有非常穩(wěn)定的供應，并持續(xù)保持技術的領先性。

Rapidus不與臺積電競爭？

很明顯，日本政府“國有化”JSR能夠幫助Rapidus提升競爭力。Rapidus是由豐田、NTT、Sony、鎧俠、軟銀、NEC、電裝、三菱日聯(lián)銀行等8家日企成立的半導體公司，該公司與IBM于2022年12月簽署了技術協(xié)議，合作發(fā)展2納米半導體技術。

據報道，Rapidus計劃派出100名工程師到IBM獲取2納米芯片生產所需的全環(huán)繞柵極（GAA）技術。GAA技術被認為是FinFET工藝的繼承者，該技術透過降低供電電壓級以及增加驅動電流能力以提升性能，從而突破FinFET的性能限制。

和FinFET工藝相比，GAA技術有兩大突出的優(yōu)勢：其一是GAA晶體管解決了許多有關泄漏電流的挑戰(zhàn)，因為GAA通道采用水平架構；其二是相較于當前FinFET制程中的三個側面，GAA晶體管的四個側邊都被柵極包圍著，從而改善了晶體管的結構。

業(yè)界普遍認識，2nm工藝將必須使用GAA技術。值得注意的是，IBM在2021年就曾展示過基于GAA實現2nm工藝的技術原型，如今IBM計劃將這項技術共享給Rapidus。

基于和IBM合作的技術，Rapidus將成為先進制程的有力競爭者。不過，日本財團Rapidus負責人小池淳義表示，Rapidus計劃基于IBM 2nm工藝技術開發(fā)“Rapidus 版”制造技術，2025年開始邏輯半導體試產，2027年量產。并不會和臺積電形成競爭，而是更愿意繼續(xù)成為專注于服務器領域、汽車行業(yè)、通信網絡，量子計算和智能城市方面的利基制造商。

根據他的描述，Rapidus專注的兩大工藝分別是用于“高性能計算（HPC）”芯片和“Ultra Low Power（超低功耗）” 芯片。很明顯，這也是臺積電先進制程主要關注的領域之二，所以這種競爭關系是與生俱來的。此前，Rapidus會長東哲郎在接受采訪時就談到，在日本政府和國內設備制造商的支持下，新成立的Rapidus有能力迅速趕上臺積電、三星電子等行業(yè)巨頭。

當然，要實現這樣的工藝就離不開ASML的***，這也是日本和荷蘭政府簽署備忘錄的主要目的。相關報道指出，Rapidus計劃利用經產省提供的補貼，采購EUV光刻設備。我們都知道，用于先進制程的EUV***產量非常有限，因此供應也非常緊俏，而如果Rapidus和ASML展開合作，有望強化供應鏈，甚至是獲得更先進EUV的優(yōu)先購買權。

此前有產業(yè)鏈人士表示，Rapidus成立僅9個月之后就已經完成了1臺EUV***的籌備，不過具體的型號及進度沒有說明。小池淳義表示，通常大規(guī)模量產先進工藝需要至少1000名工程師，但他們引入了AI和自動化技術，現在有500名工程師了，用一半的資源就能完成。

他強調：“Rapidus是日本挽回空白10年的‘最后機會’。”

除了自己建廠布局先進制程，日本還大規(guī)模引進晶圓代工廠。我們此前有報道過，臺積電將在日本熊本縣建設22nm和28nm的半導體生產線，預計于2024年開始量產，用于車規(guī)和家電用芯片產品的生產。知情人士透露，臺積電日本工廠的計劃是長期的，將隨著產業(yè)的發(fā)展進行升級，也就是說未來將會升級到12nm-16nm。

另外，日本還招攬了美光。美光公司此前表示，計劃在日本政府的支持下，未來幾年在極紫外線(EUV)光刻技術領域投資高達5,000億日元(37億美元)。知情人士透露，美光準備從日本政府獲得約2000億日元(14.8億美元)的財政補貼，以幫助其在日本生產下一代DRAM存儲芯片。

綜合這些因素來看，正如上面所講的，日本希望在中國臺灣和韓國之外，在該國本土構建一個東亞芯片制造的新基地。為了實現這個目標，日本可以說是已經采取了舉國之力的模式。

后記

正如一些專家講到的，全球半導體的發(fā)展趨勢是構建以自我為中心的新全球化產業(yè)鏈，在此過程中，每一個主要國家和地區(qū)都希望構建本土化的芯片產能，以增強本土的芯片供應能力，和供應鏈的穩(wěn)定性。很顯然，日本也是如此。