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日本芯片技術(shù)突破!400層堆疊 3D NAND閃存將至!

今日半導(dǎo)體 ? 來源:芯事件 ? 2023-06-26 15:58 ? 次閱讀
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隨著科技的不斷發(fā)展,在人工智能物聯(lián)網(wǎng)等方面的應(yīng)用越來越廣泛,對于芯片的需求也越來越高。而要想保持領(lǐng)先優(yōu)勢,國家需要不斷地加強(qiáng)芯片制造領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā),提高核心競爭力,這才能確保芯片相關(guān)制品的質(zhì)量和技術(shù)水平,以此來滿足市場需求和生產(chǎn)的需要。近來,日本電子公司研發(fā)出的全新蝕刻技術(shù),引起了廣泛關(guān)注。本文將探討這項(xiàng)新技術(shù)在芯片制造業(yè)發(fā)展中的影響,并就中國芯片制造領(lǐng)域存在的挑戰(zhàn)提出相應(yīng)的建議和方向。

蝕刻技術(shù)的突破

在介紹日本電子公司研發(fā)的全新蝕刻技術(shù)之前,我們需要了解蝕刻技術(shù)的歷史。蝕刻技術(shù)是芯片制造基礎(chǔ)工藝之一,它是指對光刻技術(shù)制作的圖案進(jìn)行蝕刻,得到具有一定幾何形狀和結(jié)構(gòu)的微細(xì)孔洞和凹坑的工藝。而這項(xiàng)技術(shù)最初是由Intel公司成功開發(fā)出來的,它能夠完美地形成具有高簡陋度和高精度的圖形結(jié)構(gòu),從而大大提高了芯片的性能和可靠性。

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近日,日本電子公司則提出了全新的蝕刻技術(shù)。它能夠支持400層以上堆疊,是當(dāng)前市面上其他芯片廠商使用的蝕刻技術(shù)所不能及的。新的蝕刻技術(shù)采用了石英玻璃混合的介質(zhì),通過激光微加工、電化學(xué)加工等手段,可以將芯片的層數(shù)擴(kuò)增至400層。

開發(fā)團(tuán)隊(duì)的新工藝首次將電介質(zhì)蝕刻應(yīng)用帶入低溫范圍,從而打造了一個(gè)具有極高蝕刻率的系統(tǒng)。目前國內(nèi)長江存儲(chǔ)在有先進(jìn)設(shè)備的支持下,可以做到232層堆疊,而東京電子新的蝕刻技術(shù),則可能讓未來的閃存芯片在性能和容量上踏入一個(gè)新的臺階。而且這項(xiàng)技術(shù)具有極高的可控性和精度,對于芯片制造技術(shù)的發(fā)展帶來的影響將是意義重大的。

中國芯片制造業(yè)面臨的挑戰(zhàn)

盡管中國正在加快在芯片領(lǐng)域的發(fā)展步伐,但在技術(shù)、產(chǎn)業(yè)鏈和科技發(fā)展投入方面仍然存在一些挑戰(zhàn)。首先,中國與其他發(fā)達(dá)國家在高端芯片制造領(lǐng)域存在一定差距,芯片制造技術(shù)的短板還比較明顯。無法精準(zhǔn)控制制造工藝、無法解決如背板拋光等關(guān)鍵技術(shù)問題是高端芯片制造領(lǐng)域存在的問題。其次,在芯片產(chǎn)業(yè)鏈上,國內(nèi)的芯片廠商還沒有擁有完整的產(chǎn)業(yè)鏈,成為了芯片價(jià)格過高的重要原因之一??萍及l(fā)展投入方面,對芯片的投入還要進(jìn)一步增加。

中國芯片業(yè)的未來發(fā)展方向

基于以上挑戰(zhàn)和國家在芯片制造領(lǐng)域的戰(zhàn)略規(guī)劃,下面提出一些發(fā)展方向和具體措施,來促進(jìn)芯片制造業(yè)的發(fā)展。

1、教育方面

注重中小學(xué)階段的教育,為芯片產(chǎn)業(yè)的未來培養(yǎng)能力。特別是在高等教育階段,應(yīng)該逐步建立和完善芯片制造專業(yè),并加大對高水平大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)的投入。

2、研發(fā)方面

政府加大對科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)的支持,引導(dǎo)其加強(qiáng)創(chuàng)新并擴(kuò)大科研產(chǎn)出。國家應(yīng)該加強(qiáng)芯片領(lǐng)域人才的培養(yǎng),建立人才隊(duì)伍,以支持芯片領(lǐng)域技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)。

3、生產(chǎn)方面

國家應(yīng)該引導(dǎo)企業(yè)向精益制造和智能制造模式轉(zhuǎn)型,加大對芯片制造企業(yè)的資金支持和政策補(bǔ)貼力度。提高芯片在市場中的競爭力,確保國家技術(shù)優(yōu)勢和核心利益。

結(jié)語

芯片制造技術(shù)的發(fā)展是高度復(fù)雜和極度關(guān)鍵的。我們可以從自身的人力資源和技術(shù)狀況出發(fā),勇于投入研發(fā)和生產(chǎn),通過不斷創(chuàng)新和突破技術(shù)難關(guān),使中國成為全球芯片制造業(yè)的領(lǐng)軍者。中國芯片制造業(yè)必須未雨綢繆,勇于突破,加強(qiáng)技術(shù)研發(fā),提升核心競爭力。這也是我們實(shí)現(xiàn)芯片供需平衡的關(guān)鍵所在。

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原文標(biāo)題:日本芯片技術(shù)突破!400 層堆疊 3D NAND 閃存將至!

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